技術(shù)編號：8096393
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提供一種，所述制備方法為以（110）晶面的半導(dǎo)體材料為催化基底，采用化學(xué)氣相沉積法，通過氣態(tài)或固態(tài)碳源于所述催化基底表面形成具有特定形狀且排列整齊的石墨烯單晶疇。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)惰性氣體、碳源和氫氣的濃度比例、生長溫度以及生長時間等可以控制單晶石墨烯的尺寸、密度、形狀，并且可以直接獲得排列整齊的石墨烯單晶疇。本發(fā)明獲得的石墨烯單晶疇，具有高質(zhì)量、低缺陷，并且規(guī)則排列等優(yōu)點(diǎn)。專利說明 技術(shù)領(lǐng)域 [0001] 本發(fā)明涉及一種石墨烯單晶疇的制備方法，特別是涉及一種具有特定形狀且排列 整齊的石墨烯單晶疇的制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。