專利名稱：基于arm的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)儀器，特別涉及一種基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
高頻電刀是一種取代傳統(tǒng)手術(shù)刀進(jìn)行組織切割和止血的醫(yī)療設(shè)備，其工作原理是:通過(guò)手術(shù)電極產(chǎn)生的0.3MHz到5MHz頻段內(nèi)的高壓射頻信號(hào)對(duì)人體組織進(jìn)行加熱，從而實(shí)現(xiàn)組織切割和血液凝固。高頻電流的特性決定了高頻電刀是一種安全要求極高的醫(yī)療儀器。由于諸多原因，高頻電刀在臨床應(yīng)用中存在許多安全隱患，主要為高頻漏電流超標(biāo)、工作數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性漂移、容易引起操作失誤等。近年來(lái)由于使用高頻電刀產(chǎn)生的醫(yī)療事故趨于上升態(tài)勢(shì)，高頻電刀的性能與患者和醫(yī)生的安全密切相關(guān)，因此定期對(duì)高頻電刀進(jìn)行計(jì)量檢測(cè)，確保高頻電刀輸出數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠，是保證醫(yī)患安全和醫(yī)療質(zhì)量的基礎(chǔ)?！禞JF1217-2009高頻電刀校準(zhǔn)規(guī)范》于2009年7月已頒布實(shí)施，對(duì)輸出頻率和射頻漏電流等參數(shù)進(jìn)行了明確的規(guī)定。目前我國(guó)尚無(wú)國(guó)產(chǎn)的符合校準(zhǔn)規(guī)范的高頻電刀專用檢測(cè)儀，國(guó)外的多數(shù)同類產(chǎn)品并不是針對(duì)國(guó)內(nèi)的校準(zhǔn)規(guī)范生產(chǎn)設(shè)計(jì)的，盡管可用但是針對(duì)性不強(qiáng)，與我國(guó)校準(zhǔn)規(guī)范規(guī)定的技術(shù)參數(shù)不符合，而且操作復(fù)雜，價(jià)格較貴，用戶界面全英文容易導(dǎo)致出錯(cuò)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，其可對(duì)高頻漏電流、輸出功率設(shè)定值誤差、最大輸出功率進(jìn)行校準(zhǔn)，且精度高、用戶界面友好。本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，包括一儀器殼體、一 ARM模塊(所述ARM模塊為采用ARM芯片的電路模塊)、一單片機(jī)控制模塊以及一無(wú)感電阻箱，所述ARM模塊、單片機(jī)控制模塊以及無(wú)感電阻箱均封裝于所述儀器殼體內(nèi)，所述ARM模塊和單片機(jī)控制模塊相互連接，所述單片機(jī)控制模塊通過(guò)數(shù)據(jù)線連接所述無(wú)感電阻箱，所述無(wú)感電阻箱與待檢定的高頻電刀連接。進(jìn)一步地，所述單片機(jī)控制模塊具體包括依次連接的:單片機(jī)芯片、A/D轉(zhuǎn)換電路、放大電路以及RMS-DC轉(zhuǎn)換器(所述RMS-DC轉(zhuǎn)換器的中文名稱:真有效值轉(zhuǎn)換為直流電壓轉(zhuǎn)換器)；所述無(wú)感電阻箱具體包括:步進(jìn)電阻切換電路、以及相互串聯(lián)的第一無(wú)感電阻與第二無(wú)感電阻；所述單片機(jī)芯片連接所述ARM模塊；所述單片機(jī)芯片連接所述步進(jìn)電阻切換電路，所述步進(jìn)電阻切換電路連接所述第二無(wú)感電阻的一端，所述RMS-DC轉(zhuǎn)換器連接所述第一無(wú)感電阻與第二無(wú)感電阻的公共端，所述第一無(wú)感電阻的另一端連接高頻電刀的手術(shù)電極，所述第二無(wú)感電阻的一端還連接高頻電刀的中性電極。進(jìn)一步地， 還包括一觸摸顯示屏和一鍵盤，所述觸摸顯示屏和鍵盤均設(shè)于所述儀器殼體上，所述觸摸顯示屏與鍵盤均連接所述ARM模塊。進(jìn)一步地，所述單片機(jī)芯片的型號(hào)為C8051F350。進(jìn)一步地，所述ARM模塊采用ARMl I芯片。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型基于ARM技術(shù)，結(jié)合單片機(jī)控制電路對(duì)無(wú)感電阻箱進(jìn)行控制，可對(duì)高頻漏電流、輸出功率設(shè)定值誤差、最大輸出功率進(jìn)行校準(zhǔn)。所述單片機(jī)控制電路通過(guò)采用C8051F350高速單片機(jī)作為檢測(cè)儀的控制芯片，再以嵌入式芯片ARMll和觸摸顯示屏作為檢測(cè)儀信息控制平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制和人際交互。所述無(wú)感電阻箱采用大功率無(wú)感電阻和高壓繼電器，實(shí)現(xiàn)負(fù)載阻值范圍(10-2000) Ω，并以10Ω步進(jìn)檢測(cè)，大大提高檢測(cè)精度。
下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。圖1和圖2是本實(shí)用新型的示意圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，包括一儀器殼體1、一 ARM模塊
2、一單片機(jī)控制模塊3、一無(wú)感電阻箱4、一觸摸顯示屏5以及一鍵盤6，所述ARM模塊2、單片機(jī)控制模塊3以及無(wú)感電阻箱4均封裝于所述儀器殼體I內(nèi)，所述ARM模塊2和單片機(jī)控制模塊3相互連接，所述單片機(jī)控制模塊3通過(guò)數(shù)據(jù)線連接所述無(wú)感電阻箱4，所述無(wú)感電阻箱4與待檢定的高頻電刀(未圖示)連接。所述觸摸顯示屏5和鍵盤6均設(shè)于所述儀器殼體I上，所述觸摸顯示屏5與鍵盤6均連接所述ARM模塊2。請(qǐng)參閱圖2，所述單片機(jī)控制模塊3具體包括依次連接的:單片機(jī)芯片31、A/D轉(zhuǎn)換電路32、放大電路33以及RMS-DC轉(zhuǎn)換器34 ;所述無(wú)感電阻箱4具體包括:步進(jìn)電阻切換電路41、以及相互串聯(lián)的第一無(wú)感電阻42與第二無(wú)感電阻43 ;所述單片機(jī)芯片31連接所述ARM模塊2 ;所述單片機(jī)芯片31連接所述步進(jìn)電阻切換電路41，所述步進(jìn)電阻切換電路41連接所述第二無(wú)感電阻42的一端，所述RMS-DC轉(zhuǎn)換器34連接所述第一無(wú)感電阻42與第二無(wú)感電阻43的公共端，所述第一無(wú)感電阻42的另一端連接高頻電刀的手術(shù)電極，所述第二無(wú)感電阻43的一端還連接高頻電刀的中性電極。所述單片機(jī)芯片31的型號(hào)可以采用C8051F350。所述ARM模塊2可以采用ARMll芯片。所述RMS-DC轉(zhuǎn)換器34將輸入的交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換成熱，借助正、負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻和外部電路以直流電壓的方式輸出，從而完成交流信號(hào)的有效值的測(cè)量。所述無(wú)感電阻箱4采用大功率無(wú)感電阻和高壓繼電器(所述高壓繼電器設(shè)于所述步進(jìn)電阻切換電路內(nèi))，實(shí)現(xiàn)負(fù)載阻值范圍(10-2000) Ω，并以10Ω步進(jìn)。所述單片機(jī)控制模塊3采用C8051F350高速單片機(jī)作為系統(tǒng)檢測(cè)部分控制芯片，以嵌入式芯片ARMll+觸摸顯示屏5為系統(tǒng)信息控制平臺(tái)，WINCE操作系統(tǒng)為開(kāi)發(fā)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制和人機(jī)交互。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:基于ARM技術(shù)， 結(jié)合單片機(jī)控制電路對(duì)無(wú)感電阻箱進(jìn)行控制，可對(duì)高頻漏電流、輸出功率設(shè)定值誤差、最大輸出功率進(jìn)行校準(zhǔn)。所述單片機(jī)控制電路通過(guò)采用C8051F350高速單片機(jī)作為檢測(cè)儀的控制芯片，再以嵌入式芯片ARMll和觸摸顯示屏作為檢測(cè)儀信息控制平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制和人際交互。所述無(wú)感電阻箱采用大功率無(wú)感電阻和高壓繼電器，實(shí)現(xiàn)負(fù)載阻值范圍(10-2000) Ω，并以10Ω步進(jìn)檢測(cè)，大大提高檢測(cè)精度。以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，故不能依此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型專利范圍及說(shuō)明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，其特征在于:包括一儀器殼體、一ARM模塊、一單片機(jī)控制模塊以及一無(wú)感電阻箱，所述ARM模塊、單片機(jī)控制模塊以及無(wú)感電阻箱均封裝于所述儀器殼體內(nèi)，所述ARM模塊和單片機(jī)控制模塊相互連接，所述單片機(jī)控制模塊通過(guò)數(shù)據(jù)線連接所述無(wú)感電阻箱，所述無(wú)感電阻箱與待檢定的高頻電刀連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，其特征在于:所述單片機(jī)控制模塊具體包括依次連接的:單片機(jī)芯片、A/D轉(zhuǎn)換電路、放大電路以及RMS-DC轉(zhuǎn)換器；所述無(wú)感電阻箱具體包括:步進(jìn)電阻切換電路、以及相互串聯(lián)的第一無(wú)感電阻與第二無(wú)感電阻；所述單片機(jī)芯片連接所述ARM模塊；所述單片機(jī)芯片連接所述步進(jìn)電阻切換電路，所述步進(jìn)電阻切換電路連接所述第二無(wú)感電阻的一端，所述RMS-DC轉(zhuǎn)換器連接所述第一無(wú)感電阻與第二無(wú)感電阻的公共端，所述第一無(wú)感電阻的另一端連接高頻電刀的手術(shù)電極，所述第二無(wú)感電阻的一端還連接高頻電刀的中性電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，其特征在于:還包括一觸摸顯示屏和一鍵盤，所述觸摸顯示屏和鍵盤均設(shè)于所述儀器殼體上，所述觸摸顯示屏與鍵盤均連接所述ARM模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，其特征在于:所述單片機(jī)芯片的型號(hào)為C8051F350。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，其特征在于:所述ARM模塊采用ARMll芯片。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種基于ARM的便攜式高頻電刀檢測(cè)裝置，包括一儀器殼體、一ARM模塊、一單片機(jī)控制模塊以及一無(wú)感電阻箱，所述ARM模塊、單片機(jī)控制模塊以及無(wú)感電阻箱均封裝于所述儀器殼體內(nèi)，所述ARM模塊和單片機(jī)控制模塊相互連接，所述單片機(jī)控制模塊通過(guò)數(shù)據(jù)線連接所述無(wú)感電阻箱，所述無(wú)感電阻箱與待檢定的高頻電刀連接。本實(shí)用新型基于ARM技術(shù)，結(jié)合單片機(jī)控制電路對(duì)無(wú)感電阻箱進(jìn)行控制，可對(duì)高頻漏電流、輸出功率設(shè)定值誤差、最大輸出功率進(jìn)行校準(zhǔn)，其用戶界面友好，檢測(cè)精度高。
文檔編號(hào)A61B18/12GK203001104SQ20122066876
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月7日
發(fā)明者魏鵬, 張煌輝 申請(qǐng)人:福建省計(jì)量科學(xué)研究院