裝載可撓性基板的裝置及微影裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種搬送系統(tǒng)，具備保持被載置的晶片(W)且能沿既定平面移動的微動載臺(WFS)、從上方以非接觸方式保持晶片且能垂直地移動的夾具本體(130)、以及能在微動載臺(WFS)上從下方支承被夾具本體(130)保持的晶片且能垂直移動的垂直動銷(140)。又，控制裝置，一邊維持通過夾具本體對晶片的保持狀態(tài)以及維持垂直動銷對晶片的支承狀態(tài)，一邊驅動夾具本體及垂直動銷下降直到晶片下面接觸微動載臺(WFS)為止，以及解除上述保持狀態(tài)及支承狀態(tài)。
【專利說明】裝載可撓性基板的裝置及微影裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是關于搬入方法、曝光方法、搬送系統(tǒng)及曝光裝置、以及元件制造方法，特別是將薄板狀的物體搬入保持裝置的搬送方法、利用該搬入方法的曝光方法、搬送薄板狀的物體的搬送系統(tǒng)、具備該搬送系統(tǒng)的曝光裝置、以及使用上述曝光方法或曝光裝置的元件制造方法。
【背景技術】
[0002]一直以來，制造半導體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等電子元件(微型元件)的微影工藝，主要是使用步進重復(stepfcepeat)方式的投影曝光裝置(所謂的步進機)、或步進掃描(st印&scan)方式的投影曝光裝置(所謂的掃描步進機(亦稱掃描機))
坐寸ο
[0003]此種曝光裝置所使用的作為曝光對象的晶片或玻璃板片等基板，日漸的(例如，晶片(wafer)是每10年)大型化?，F(xiàn)在雖以直徑300mm的300mm晶片為主流,但使用直徑450mm的450mm晶片時代的到來亦日漸接近。一旦采用450mm的晶片時,能從一片晶片擷取的小片(dies)(芯片(chips))數(shù)量將為現(xiàn)行300mm晶片的2倍以上，對成本的降低有非常大的貢獻。再者，就能源、水及其他資源的有效利用而言，亦可減少I芯片所需使用的所有資源，而被賦予高度的期待。
[0004]然而，由于晶片的厚度并非與尺寸成正比地變大，因此450mm晶片的強度遠較300mm晶片弱。因此，單單談到例如晶片的搬送，即可想見以與目前300mm晶片相同的手段方法難以實現(xiàn)。因此，發(fā)明人先提出了一種通過搬送構件從上方以非接觸方式保持物體并搬入保持裝置的即使是450_晶片亦能采用的搬入方法等(參照例如專利文獻I)。
[0005]然而，依據(jù)其后的研究，發(fā)現(xiàn)了在使用于專利文獻I亦有揭示的貝努里夾具來進行晶片的非接觸保持的情形，即使是現(xiàn)在的300_晶片亦有在搬入時位置偏移量超過所欲的范圍的情形。因此，450_晶片位置偏移量會更大，而可預想其后進行的對準測量(晶片上標記的位置測量)會變得困難。
[0006]又，半導體元件逐漸微細化，因此，曝光裝置被邀高解像力。作為提升解像力的手段，有曝光用光的短波長化與投影光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的增大化(高NA化)。為了將投影光學系統(tǒng)的實質數(shù)值孔徑增大至最大限度，已提出各種經(jīng)由投影光學系統(tǒng)與液體使晶片曝光的液浸曝光裝置(參照例如專利文獻2)。此專利文獻2揭示了以在短時間內進行晶片對準(標記的檢測)動作與表面位置信息(聚焦信息)的檢測動作為主要目的的曝光裝置及其曝光方法。
[0007]然而，一旦成為450mm晶片，則即使直接采用例如專利文獻2所揭示的現(xiàn)有例的曝光裝置及曝光方法，則亦可預想產(chǎn)能非充分的事態(tài)，而被期待能使產(chǎn)能更加提升的曝光裝置。
[0008]引用列表
[0009]專利文獻[0010][專利文獻I]美國發(fā)明專利申請公開第2010/0297562號說明書；
[0011][專利文獻2]美國發(fā)明專利申請公開第2008/0088843號說明書。

【發(fā)明內容】

[0012]根據(jù)本發(fā)明的第I態(tài)樣，提供一種第I搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述方法包含:在上述保持裝置的上方的一區(qū)域中，一邊通過吸附構件從上方以非接觸方式保持上述物體，一邊通過能垂直移動的支承構件從下方支承上述物體的動作；以及一邊維持通過上述吸附構件對上述物體的保持狀態(tài)及通過上述支承構件的支承狀態(tài)，一邊驅動上述吸附構件及上述支承構件下降直到上述物體的下面接觸上述保持裝置為止，以及在上述物體的下面接觸上述保持裝置之處，解除對上述物體的通過上述支承構件的支承及通過上述吸附構件的保持的動作。
[0013]根據(jù)這個方法，能將物體在維持高平面度的狀態(tài)下不位置偏移地(再現(xiàn)性良好地)搬入保持裝置上的一區(qū)域。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第2態(tài)樣，提供一種第I曝光方法，其包含:通過上述的第I搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及在搬入后以能量束使通過上述保持裝置所保持的上述物體曝光，以及于上述物體上形成圖案的動作。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第3態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第I曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第4態(tài)樣，提供一種第2搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述方法包含:在上述保持裝置的上方的一區(qū)域中，一邊通過第I支承構件從上方以非接觸方式支承上述物體，一邊通過與上述第I支承構件不同的第2支承構件接觸支承上述物體的動作；使上述第1、第2支承構件與上述保持裝置相對移動直到以通過上述第1、第2支承構件所支承的上述物體的下面與上述保持裝置接觸為止的動作；以及以上述保持裝置保持上述物體以使上述下面與上述保持裝置接觸的動作。
[0017]根據(jù)這個方法，能將物體在維持高平面度的狀態(tài)下不位置偏移地(再現(xiàn)性良好地)搬入保持裝置上的一區(qū)域。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第5態(tài)樣，提供一種第2曝光方法，其包含:通過上述的第2搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及在搬入后以能量束使通過上述保持裝置所保持的上述物體曝光，以及于上述物體上形成圖案的動作。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的第6態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第2曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的第7態(tài)樣，提供一種第3搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述方法包含:于垂直方向位移通過第I支承構件從上方以非接觸方式支承的上述物體的至少一部分，使得通過第I支承構件以非接觸方式支承的上述物體的變形被抑制的動作；以及上述第I支承構件與上述保持裝置于垂直方向相對移動，使得抑制上述變形的上述物體通過上述保持裝置所保持的動作。
[0021]根據(jù)這個方法，能將物體在維持高平面度的狀態(tài)下搬入保持裝置上。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的第8態(tài)樣，提供一種第3曝光方法，其包含:通過上述的第3搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及在搬入后以能量束使通過上述保持裝置所保持的上述物體曝光，以及于上述物體上形成圖案的動作。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的第9態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第3曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的第10態(tài)樣，提供一種第4搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述方法包含:相對移動第I支承構件與保持裝置，使得在上述保持裝置上方通過上述第I支承構件從上方以非接觸方式支承的物體的下面與上述保持裝置接觸；對上述下面與上述保持裝置接觸的上述物體的至少一部分，通過上述第I支承構件從上方施予向下的力的動作；以及以上述保持裝置保持被施予上述向下的力的上述物體的動作。
[0025]根據(jù)這個方法，能將物體在維持高平面度的狀態(tài)下搬入保持裝置上。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的第11態(tài)樣，提供一種第4曝光方法，其包含:通過上述的第4搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及在搬入后以能量束使通過上述保持裝置所保持的上述物體曝光，以及于上述物體上形成圖案的動作。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的第12態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第4曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的第13態(tài)樣，提供一種搬入系統(tǒng)，搬送薄板狀的物體，所述系統(tǒng)具備:保持裝置，保持被載置的上述物體，且能沿既定平面移動；吸附構件，在上述保持裝置的移動面上的第I位置上方，從上方以非接觸方式保持上述物體且能垂直移動；以及支承構件，設于上述保持裝置中，當上述保持裝置位于上述第I位置時，能從下方支承通過上述吸附構件保持的上述物體且能垂直移動，其中一邊維持上述吸附構件對上述物體的保持狀態(tài)及上述支承構件對上述物體的支承狀態(tài)，一邊使上述吸附構件及上述支承構件向下驅動降至直到上述物體的下面接觸上述保持裝置為止，在上述物體的下面接觸上述保持裝置之處，解除上述支承構件的支承及上述保持構件的保持。
[0029]根據(jù)這個方法，能將物體在維持高平面度的狀態(tài)下不位置偏移地(再現(xiàn)性良好地)搬入保持裝置上。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的第14態(tài)樣，提供一種第I曝光裝置，是以能量束使薄板狀的物體曝光，以及于上述物體上形成圖案，其具備:上述搬入系統(tǒng)，具有上述保持裝置，其具有設置在與上述既定面實質上平行的一表面上的測量面；移動體，能沿上述既定面移動，將上述保持裝置沿上述既定面能相對移動地支承；測量系統(tǒng)，通過對上述測量面照射至少一條測量光束，以及接收該測量光束的來自上述測量面的返回光，以測量上述保持裝置的至少上述既定面內的位置信息；以及驅動系統(tǒng)，根據(jù)通過上述測量系統(tǒng)所測量的上述位置信息，單獨或與上述移動體一體地驅動上述保持裝置。
[0031]根據(jù)這個裝置，根據(jù)通過測量系統(tǒng)所測量的位置信息，驅動系統(tǒng)使保持裝置單獨或與移動體一體地驅動，在維持高平面度的狀態(tài)下對搬入該保持裝置上的一區(qū)域的物體進行曝光。因此，物體的高精度曝光變成可能。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的第15態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第I曝光裝置使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的第16態(tài)樣，提供一種第5曝光方法，是經(jīng)由光學系統(tǒng)與液體以能量束使物體曝光，所述方法包含:在曝光站經(jīng)由上述光學系統(tǒng)與上述液體使能沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動的移動體所保持的上述物體曝光的動作；以及在曝光前，從位于上述曝光站的平行于上述第I軸的第I方向的一側的裝載位置，往上述曝光站使保持上述物體的上述移動體在不接觸于上述液體的情形下移動，在該移動的途中通過在平行于上述第2軸的第2方向上檢測區(qū)域的位置不同的多個標記檢測系統(tǒng)來檢測上述物體上的多個標記的動作。
[0034]根據(jù)這個方法，能較上述現(xiàn)有例的曝光方法更高速且高加速地進行包含用以檢測標記的移動路徑的從裝載位置往曝光站的移動路徑的移動體的移動。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的第17態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第5曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的第18態(tài)樣，提供一種第2曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)與液體以能量束使物體曝光，所述裝置具備:第I移動體，保持上述物體并且能包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動；曝光部，具有對緊挨上述光學系統(tǒng)下方供應上述液體而形成液浸區(qū)域的液浸構件，以及在通過上述第I移動體所保持的物體上經(jīng)由上述液浸區(qū)域的上述液體進行曝光；以及測量部，于上述測量部內部配置有定位于相關于上述曝光部的平行于上述第I軸的第I方向的一側上、在平行于上述第2軸的第2方向上檢測區(qū)域的位置不同的多個標記檢測系統(tǒng)，以及通過上述多個標記檢測系統(tǒng)進行上述物體上的多個標記的檢測，其中上述第I方向的位置信息被設定在上述光學系統(tǒng)間，使得當上述第I移動體從設定于上述測量部的上述第I方向的一側的裝載位置往上述曝光部移動，且在此移動路徑的途中進行上述多個標記檢測系統(tǒng)對上述物體上的上述標記檢測時，直到上述多個標記的檢測結束為止，上述第I移動體的任何部分均不接觸上述液浸區(qū)域。
[0037]根據(jù)這個裝置，能較上述現(xiàn)有例的曝光裝置更高速且高加速地進行包含用以檢測標記的移動路徑的從裝載位置往上述曝光部的移動路徑的第I移動體的移動。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的第19態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:使用上述的第2曝光裝置使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的第20態(tài)樣，提供一種第6曝光方法，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述方法包含:在曝光站經(jīng)由上述光學系統(tǒng)使能沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動的移動體所保持的上述物體曝光的動作；以及在曝光前，保持上述物體的上述移動體從位于上述曝光站的平行于上述第I軸的第I方向中的一側分離的裝載位置往上述曝光站移動，在該移動的途中通過于上述光學系統(tǒng)的上述第I方向中的一側上配置有檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)來檢測上述物體上的多個標記的動作；以及在設定于上述標記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域與上述曝光站之間的卸載位置處，從上述移動體上的一區(qū)域搬出已曝光的上述物體的動作。
[0040]根據(jù)這個方法，保持物體的移動體沿第I方向從裝載位置往曝光站移動，在該移動的途中，物體上的多個標記通過標記檢測系統(tǒng)檢測。接著，在曝光站處使通過移動體所保持的物體曝光后，移動體在從曝光站沿第I方向返回裝載位置前，在設定于該移動路徑中的卸載位置處從移動體上的一區(qū)域搬出曝光后的物體。因此，能在當移動體從位于在第I方向分離的裝載位置往曝光站往返移動時的短時間內效率良好地進行物體對移動體上的一區(qū)域的搬入(裝載)、物體上的標記檢測、物體的曝光、曝光完畢的物體從移動體上的一區(qū)域的搬出(卸載)的一連串處理。
[0041 ] 根據(jù)本發(fā)明的第21態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第6曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的第22態(tài)樣，提供一種第3曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述裝置具備:移動體，能保持上述物體并且沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動；曝光部，具有上述光學系統(tǒng)，以及對上述移動體所保持的上述物體進行曝光；測量部，具有位于相關于上述曝光部的平行于上述第I軸的第I方向的一側上、于上述光學系統(tǒng)的上述第I方向的一側上配置有其檢測區(qū)域的多個標記檢測系統(tǒng)，通過上述多個標記檢測系統(tǒng)進行上述物體上的多個標記的檢測；裝載位置，設定于上述測量部的上述第I方向的一側，供進行上述物體往上述移動體上的一區(qū)域的搬入；以及卸載位置，設定于上述測量部與上述曝光部之間，供進行從上述移動體上的一區(qū)域搬出上述物體。
[0043]根據(jù)這個方法，保持物體的移動體沿第I方向從裝載位置往曝光部移動，在該移動的途中，在位于移動路徑上的測量部處，上述物體上的多個標記通過標記檢測系統(tǒng)檢測。接著，在曝光部使保持于移動體的物體曝光后，在從曝光部沿第I方向返回裝載位置前，在設定于從曝光部往測量部的移動體的移動路徑中的卸載位置從移動體上的一區(qū)域搬出曝光后的物體。藉此，當移動體從位于在第I方向分離的裝載位置往曝光部往返移動時的短時間內效率良好地進行物體對移動體上的一區(qū)域的搬入(裝載)、物體上的標記檢測、物體的曝光、曝光完畢的物體從移動體上的一區(qū)域的搬出(卸載)的一連串處理。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的第23態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:使用上述的第3曝光裝置使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的第24態(tài)樣，提供一種第7曝光方法，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述方法包含:在曝光站經(jīng)由上述光學系統(tǒng)使能沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動的移動體所保持的上述物體曝光的動作；在曝光前，保持上述物體的上述移動體從位于上述曝光站的平行于上述第I軸的第I方向中的一側上分離的裝載位置往上述曝光站移動的動作；以及在設定于上述曝光站與上述裝載位置間的卸載位置處，將曝光后的上述物體從上述移動體上的一區(qū)域搬出的動作；在上述曝光中，通過上述移動體所保持的物體一邊與上述移動體沿既定路徑移動，一邊從遠離上述卸載位置的既定第I區(qū)域開始曝光，并且該第I區(qū)域附近的區(qū)域最后被曝光。
[0046]根據(jù)這個方法，在曝光站處，通過移動體所保持的物體系一邊與移動體沿既定路徑移動，一邊從遠離上述卸載位置的既定第I區(qū)域開始被曝光，該第I區(qū)域附近的區(qū)域最后被曝光。亦即，在物體的曝光時，物體(移動體)是在曝光開始時點與曝光結束時點，位于在曝光時的物體的移動路徑中最接近卸載位置的位置。因此，曝光結束后，能以大致最短時間使曝光完畢的物體往卸載位置移動而從移動體上卸載物體后，使移動體返回裝載位置。能迅速且在從曝光站返回裝載位置的移動體的移動路徑上進行曝光完畢的物體的卸載。
[0047]根據(jù)本發(fā)明的第25態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第7曝光方法使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的第26態(tài)樣，提供一種第4曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述裝置具備:移動體，能保持上述物體并且沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動；曝光部，具有上述光學系統(tǒng)，以及對上述移動體所保持的上述物體進行曝光；裝載位置，設定于相關于上述曝光部的平行于上述第I軸的第I方向的一側，供進行上述物體往上述移動體上的一區(qū)域的搬入；以及卸載位置，設定于上述曝光部與上述裝載位置之間，供進行從上述移動體上的一區(qū)域搬出上述物體；在上述曝光部中，通過上述移動體所保持的上述物體一邊與上述移動體沿既定路徑移動，一邊從遠離上述卸載位置的既定第I區(qū)域開始曝光，以及該第I區(qū)域附近的區(qū)域最后被曝光。
[0049]根據(jù)這個裝置，在曝光部中，當通過移動體所保持的物體一邊與移動體沿既定路徑移動，一邊從遠離上述卸載位置的既定第I區(qū)域開始曝光，該第I區(qū)域附近的區(qū)域最后被曝光。亦即，在物體的曝光時，物體(移動體)是在曝光開始時點與曝光結束時點，位于在曝光時的物體的移動路徑中最接近卸載位置的位置。因此，曝光結束后，能以大致最短時間使曝光完畢的物體往卸載位置移動而從移動體上卸載物體后，使移動體返回裝載位置。能迅速且在從曝光部返回裝載位置的移動體的移動路徑上進行曝光完畢的物體的卸載。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的第27態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:使用上述的第4曝光裝置使物體曝光的動作；以及使曝光后的上述物體顯影的動作。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的第28態(tài)樣，提供一種第5曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)使基板曝光，所述裝置具備:基板載臺，具有載置上述基板的保持構件；搬送裝置，具有從上方以非接觸方式支承上述基板的第I支承構件與接觸支承上述基板的與上述第I支承構件不同的第2支承構件；以及驅動器，在至少垂直方向中相對移動上述第1、第2支承構件與上述保持構件，使得通過上述第1、第2支承構件支承的上述基板被移交至上述保持構件。
[0052]根據(jù)本發(fā)明的第29態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第5曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后的上述基板顯影的動作。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的第30態(tài)樣，提供一種第6曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)使基板曝光，所述裝置具備:基板載臺，具有載置上述基板的保持構件；搬送裝置，具有從上方以非接觸方式支承上述基板的第I支承構件；位移裝置，使通過上述第I支承構件支承的上述基板的至少一部分于垂直方向位移；以及驅動器，在至少垂直方向中相對移動上述第I支承構件與上述保持構件，使得通過上述第I支承構件支承的基板被移交至上述保持構件，其中在上述保持構件對上述基板的保持前進行藉上述位移裝置對上述基板的位移。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的第31態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第6曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后的上述基板顯影的動作。
[0055]根據(jù)本發(fā)明的第32態(tài)樣，提供一種第7曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)使基板曝光，所述裝置具備:基板載臺，具有載置上述基板的保持構件；搬送裝置，具有從上方以非接觸方式支承上述基板的第I支承構件；驅動器，在至少垂直方向中相對移動上述第I支承構件與上述保持構件，使得通過上述第I支承構件支承的基板被移交至上述保持構件；以及控制器，控制上述第I支承構件，使得以向下的力通過上述第I支承構件從上方施予到移交至上述保持構件的上述基板的至少一部分；通過上述保持構件保持被施予上述向下的力的上述基板。
[0056]根據(jù)本發(fā)明的第33態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:通過上述的第7曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后的上述基板顯影的動作。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0057]圖1是概略顯示相關一實施形態(tài)的曝光裝置的結構的圖；
[0058]圖2(A)是顯示圖1的晶片載臺WST的俯視圖，圖2(B)是從一Y方向觀看晶片載臺WST的圖(前視圖)；
[0059]圖3 (A)是從一Y方向觀看圖1的測量載臺MST的圖(前視圖)，圖3⑶是從+X方向觀看測量載臺MST的圖(側視圖)，圖3(C)是顯示測量載臺MST的俯視圖；
[0060]圖4是以投影光學系統(tǒng)為基準顯示圖1的曝光裝置所具備的第I至第4頂側編碼器系統(tǒng)、對準系統(tǒng)、多點AF系統(tǒng)等的配置的圖；
[0061]圖5是用以說明圖4的第I至第4頂側編碼器系統(tǒng)的具體讀頭配置的圖；
[0062]圖6 (A)是顯示夾具單元的概略前視圖(從一 Y方向觀看的圖)，圖6(B)是夾具單元的概略俯視圖；
[0063]圖7是用以說明圖1的第I背側編碼器系統(tǒng)的概略構成的圖；
[0064]圖8(A)是顯示第2背側編碼器系統(tǒng)的測量臂前端部的立體圖，圖8(B)是顯示圖8(A)的測量臂前端部的俯視圖；
[0065]圖9(A)是用以說明圖1的第I背側編碼器系統(tǒng)的概略構成的圖，圖9(B)是顯示第2背側編碼器系統(tǒng)的測量臂前端部的立體圖；
[0066]圖10㈧及圖10⑶是用以說明使用第I背側編碼器系統(tǒng)70A進行的微動載臺WFS的六自由度方向的位置測量及XYZ網(wǎng)格的差分測量的圖；
[0067]圖1l(A)~圖1l(C)是用以說明通過差分測量求取ΛΧ圖的情形的圖； [0068]圖12⑷及圖12⑶分別顯示Λ Y圖及Λ Z圖一例的圖；
[0069]圖13(A)是顯示通過第I頂側編碼器系統(tǒng)與第I背側編碼器系統(tǒng)并行的晶片臺WTB的位置測量處理情形的圖，圖13(B)是顯示切換部設定成第I模式時通過上述位置測量所得到的拼合位置信號一例的圖；
[0070]圖14(A)及圖14(B)是用以說明第I頂側編碼器系統(tǒng)的坐標系統(tǒng)的再新的圖；
[0071]圖15是用以說明卸載裝置構成的圖；
[0072]圖16是顯示以一實施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)為中心構成的主控制裝置的輸出入關系的方塊圖；
[0073]圖17是顯示圖16的第1、第2微動載臺位置測量系統(tǒng)的具體構成一例的圖；
[0074]圖18是顯示圖16的切換部150Α的構成一例的方塊圖；
[0075]圖19是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其I)；
[0076]圖20 (A)~圖20⑶是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其2)，且是用以說明往晶片載臺上的裝載的順序的圖；
[0077]圖21是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其3)；
[0078]圖22是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其4)；
[0079]圖23是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其5)；
[0080]圖24是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其6)；
[0081]圖25是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其7)；
[0082]圖26 (A)~圖26 (D)是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其8)，且是用以說明往夾具單元下方搬入次一晶片的動作的圖；
[0083]圖27是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其9)；
[0084]圖28是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其10)，且是用以說明導線檢核的圖；[0085]圖29是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其11);
[0086]圖30是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其12)；
[0087]圖31是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其13)；
[0088]圖32(A)~圖32(D)是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其14)，且是用以說明將在待機位置待機中的晶片搬送至與晶片搬送系統(tǒng)的移交位置的順序的圖；
[0089]圖33是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其
15)；
[0090]圖34是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其
16)；
[0091]圖35是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其17)；
[0092]圖36 (A)~圖36 (D)是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其18)，且是用以說明將曝光完畢的晶片從晶片載臺上卸載的順序的圖；
[0093]圖37是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其19)；
[0094]圖38 (A)~圖38 (E)是用以說明使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作的圖(其20)，且是用以說明從卸載位置往待機位置的晶片搬送順序的圖；
[0095]圖39是用以說明取代由干涉儀系統(tǒng)統(tǒng)構成的測量載臺位置測量系統(tǒng)而使用由編碼器系統(tǒng)構成的測量測量臺的位置的測量系統(tǒng)的變形例的圖。
【具體實施方式】
[0096]以下，根據(jù)圖1~圖38(E)說明一實施形態(tài)。
[0097]圖1中概略顯示了一實施形態(tài)的曝光裝置100的構成。此曝光裝置100是步進掃描(step&scan)方式的投影曝光裝置、即所謂的掃描機。如后所述，本實施形態(tài)中，設有投影光學系統(tǒng)PL。以下，將與此投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設為Z軸方向(Z方向)、將在與此正交的面內標線片R與晶片W相對掃描的方向設為Y軸方向(Y方向)、將與Z軸及Y軸正交的方向設為X軸方向(X方向)，并將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉(傾斜)方向分別設為ΘΧ、0y及Θ Z方向來進行說明。
[0098]曝光裝置100，如圖1所示，具備配置于底盤12上的+Y側端部附近的曝光部200、配置于底盤12上的一 Y側端部附近的測量部300、在底盤12上獨立在XY平面內二維移動的晶片載臺WST及測量載臺MST、以及此等的控制系統(tǒng)等。以下，為了說明方便，作為顯示曝光部200、測量部300各個的場所的用語，使用與曝光部、測量部相同的符號稱為曝光站200、測量站300。
[0099]底盤12，通過防振機構(省略圖示)大致水平地(與XY平面平行地)支承于地面上。底盤12由具有平板狀外形的構件構成。此外，圖1中，晶片載臺WST位于曝光站200，于晶片載臺WST(更詳細而言是后述的晶片臺WTB)上保持有晶片W。又，測量載臺MST位于曝光站200內或其附近。測量載臺MST在使用晶片載臺WST的晶片W的曝光動作中以不與在投影光學系統(tǒng)PL下方移動的晶片載臺WST接觸的方式位于從投影光學系統(tǒng)PL下方離開的既定位置(退避位置或待機位置)。又，在晶片W的曝光動作結束前，測量載臺MST以對在投影光學系統(tǒng)PL下方移動的晶片載臺WST接近的方式相對移動，最遲在曝光動作的結束時點，晶片載臺WST與測量載臺MST位于彼此接近(或接觸)的位置。進而，已彼此接近的晶片載臺WST與測量載臺MST相對投影光學系統(tǒng)PL移動，測量載臺MST取代晶片載臺WST而與投影光學系統(tǒng)PL對向配置。此外，用以使晶片載臺WST與測量載臺MST彼此接近并定位的相對移動動作的至少一部分亦可在晶片W的曝光動作后進行。
[0100]曝光部200具備照明系統(tǒng)10、標線片載臺RST、投影單元PU、以及局部液浸裝置8
坐寸ο
[0101]照明系統(tǒng)10，例如美國發(fā)明專利申請公開第2003/0025890號說明書等所揭示，包含光源與具有光學積分器等的照度均一化光學系統(tǒng)及標線片遮簾等(均未圖示)的照明光學系統(tǒng)。照明系統(tǒng)10，是通過照明光(曝光用光)IL，以大致均一的照度來照明被標線片遮簾(亦稱遮罩系統(tǒng))設定(限制)的標線片R上的狹縫狀照明區(qū)域IAR。此處，作為照明光IL，例如是使用ArF準分子激光(波長193nm)。
[0102]于標線片載臺RST上，于其圖案面(圖1的下面)形成有電路圖案等的標線片R被以例如真空吸附加以固定。標線片載臺RST，能通過包含例如線性電機等的標線片載臺驅動系統(tǒng)11(圖1中未圖示，參照圖16)在XY平面內微幅驅動，且于掃描方向(圖1中紙面內左右方向的Y軸方 向)以既定掃描速度驅動。
[0103]標線片載臺RST的XY平面內的位置信息(含Θ z方向的旋轉信息)，是以標線片激光干涉儀(以下稱“標線片干涉儀”)13，經(jīng)由固定于標線片載臺RST的移動鏡15 (實際上設有具有正交于Y軸方向的反射面的Y移動鏡(或后向反射器)與具有正交于X軸方向的反射面的X移動鏡)以例如0.25nm程度的分析能力隨時加以檢測。標線片干涉儀13的測量值被送至主控制裝置20(圖1中未圖示，參照圖16)。又，亦可取代標線片干涉儀13而使用揭示于例如美國發(fā)明專利第7，839，485號說明書等的編碼器來測量標線片載臺RST的位置信息。此情形下，亦可將形成格子的格子構件(標尺板或網(wǎng)格板)與編碼器讀頭中的一方設于標線片載臺RST的下面?zhèn)?，將另一方配置于標線片載臺RST下方，或將格子部與編碼器讀頭中的一方設于標線片載臺RST的上面?zhèn)?，將另一方配置于標線片載臺RST上方。又，標線片載臺RST亦可是與后述的晶片載臺WST同樣的是粗微動構造。
[0104]投影單元配置于標線片載臺RST的圖1中的下方。投影單元W，通過被未圖示支承構件水平支承的主支架(度量衡支架)BD經(jīng)由設于其外周部的突緣部FLG支承。主支架BD構成搭載照明光學系統(tǒng)至少一部分或標線片載臺RST的曝光裝置100的本體支架的一部分，本實施形態(tài)中，通過分別經(jīng)由防振機構配置于設置面(例如地面等)的多個(例如三個或四個)支承構件(未圖示)支承。此外，于設置面亦配置后述的底盤12等。又，防振機構亦可配置于各支承構件與主支架BD之間。再者，亦可如例如國際公開第2006/038952號所揭示，相對配置于投影單元PU上方的本體支架的一部分懸吊支承投影單元W。
[0105]投影單元包含鏡筒40、與被保持于鏡筒40內的投影光學系統(tǒng)PL。作為投影光學系統(tǒng)PL，是使用例如由沿與Z軸平行的光軸AX排列的多個光學元件(透鏡元件)構成的折射光學系統(tǒng)。投影光學系統(tǒng)PL是例如兩側遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。因此，若以來自照明系統(tǒng)10的照明光IL照明標線片R上的照明區(qū)域IAR，通過通過投影光學系統(tǒng)PL的第I面(物體面)與圖案面大致一致配置的標線片R的照明光IL，經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL(投影單元PU)將該照明區(qū)域IAR內的標線片R的電路圖案的縮小像(電路圖案的部分縮小像)，即形成于配置于投影光學系統(tǒng)PL的第2面(像面)偵U、于表面涂布有光阻(感應劑)的晶片W上的與上述照明區(qū)域IAR共軛的區(qū)域(以下亦稱曝光區(qū)域)IA。接著，通過標線片載臺RST與微動載臺WFS(更正確而言，是保持晶片W的后述的微動載臺WFS)的同步驅動，相對照明區(qū)域IAR(照明光IL)使標線片R移動于掃描方向(Y軸方向)，并相對曝光區(qū)域IA(照明光IL)使晶片W移動于掃描方向(Y軸方向)，以進行晶片W上的一個照射區(qū)域(區(qū)劃區(qū)域)的掃描曝光，于該照射區(qū)域轉印標線片R的圖案。亦即，本實施形態(tài)中是以照明系統(tǒng)10及投影光學系統(tǒng)PL于晶片W上生成標線片R的圖案，以照明光IL使晶片W上的感應層(光阻層)曝光以于晶片W上形成其圖案。
[0106]局部液浸裝置8是對應曝光裝置100進行液浸方式的曝光而設置。局部液浸裝置8包含液體供應裝置5、液體回收裝置6(圖1中皆未圖示，參照圖16)及嘴單元32等。嘴單元32，如圖1所示，以圍繞構成投影光學系統(tǒng)PL的最像面?zhèn)?晶片W側)的光學元件、此處是圍繞保持透鏡(以下，亦稱“前端透鏡”或“最終透鏡”)191的鏡筒40下端部周圍的方式，經(jīng)由未 圖示的支承構件懸吊支承于支承投影單元PU等的主支架BD。嘴單元32，具備液體Lq的供應口及回收口、與晶片W對向配置且設有回收口的下面、以及分別與液體供應管31A及液體回收管31B(圖1中皆未圖示，參照圖4)連接的供應流路及回收流路。于液體供應管31A，連接有其一端連接于液體供應裝置5(圖1中未圖示、參照圖16)的未圖示供應管的另一端，于液體回收管31B，連接有其一端連接于液體回收裝置6(圖1中未圖示、參照圖16)的未圖示回收管的另一端。又，嘴單元32于其內部具有供應流路與回收流路，液體供應管31A與液體回收管31B分別經(jīng)由供應流路與回收流路連接于供應口與回收口。進而，嘴單元32于其下面具有從投影光學系統(tǒng)PL射出的照明光IL通過的開口部，回收口配置于該開口部周圍。本實施形態(tài)中，雖于包圍前端透鏡的嘴單元32的內側面設有供應口，但亦可在嘴單元32下面?zhèn)认鄬﹂_口部于較回收口內側處設置與該供應口不同的供應口。
[0107]本實施形態(tài)中，主控制裝置20控制液體供應裝置5 (參照圖16)經(jīng)由液體供應管31A及嘴單元32將液體供應至前端透鏡191與晶片W之間，并控制液體回收裝置6 (參照圖
16)經(jīng)由嘴單元32及液體回收管3IB從前端透鏡191與晶片W之間回收液體。此時，主控制裝置20是以所供應的液體的量與所回收的液體的量恒相等的方式控制液體供應裝置5與液體回收裝置6。因此，在前端透鏡191與晶片W之間隨時交換保持有一定量的液體Lq(參照圖1)。局部液浸裝置8，能通過經(jīng)由嘴單元32供應的液體Lq于投影光學系統(tǒng)PL下形成液浸區(qū)域，且經(jīng)由嘴單元32從液浸區(qū)域回收液體，僅于晶片W的一部分保持液體Lq、亦即于與投影光學系統(tǒng)PL對向配置的晶片載臺WST (微動載臺WFS)上面進而較晶片W的表面小的局部區(qū)域內保持液體Lq而形成液浸區(qū)域。因此，嘴單元32亦能稱為液浸構件、液浸空間形成構件、liquid confinement member、或 liquid containment member 等。本實施形態(tài)中，作為上述液體是使用能使ArF準分子激光(波長193nm的光)透射的純水。此外，純水對ArF準分子激光的折射率η為大致1.44，于純水中，照明光IL的波長，縮短至193nmXl/n=約 134nm。[0108]本實施形態(tài)中，雖是將嘴單元32懸吊支承于主支架BD，但亦可于與主支架BD不同的支架構件、例如與主支架BD另外獨立配置于上述設置面的支架構件設置嘴單元32。藉此，能抑制或防止從嘴單元32傳達至投影光學系統(tǒng)PL的振動。又，亦可使在嘴單元32下面?zhèn)扰c液體Lq (液浸區(qū)域的界面)接觸的嘴單元32 —部分為可動，在晶片載臺WST的移動時，以晶片載臺WST與嘴單元32的相對速度變小的方式使嘴單元32的一部分移動。藉此，可抑制或防止特別是在晶片W的曝光動作中液體Lq —部分從液浸區(qū)域分離而殘留于晶片載臺WST上面或晶片W的表面。此情形下，雖亦可在晶片載臺WST的移動中隨時使嘴單元32的一部分移動，但亦可在曝光動作的一部分、例如僅在晶片載臺WST的步進動作使嘴單元32的一部分移動。又，嘴單元32的一部分亦可是例如具有回收口與下面的至少一部分的可動單元、或是能相對嘴單元32移動且具有與液體接觸的下面的板件等。
[0109]此外，于曝光部200具備第I微動載臺位置測量系統(tǒng)110A，其包含具有從主支架BD經(jīng)由支承構件72A被以大致懸臂狀態(tài)支承(支承一端部附近)的測量臂7IA的第I背側編碼器系統(tǒng)70A與后述的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A(圖1中未圖示、參照圖16等)。其中，為了說明的方便，關于第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA留待后述的微動載臺的說明后再予說明。
[0110]測量部300具備:設于主支架BD的對準裝置99、設于主支架BD的多點焦點位置檢測系統(tǒng)(以下，簡稱為多點AF系統(tǒng))(90a，90b)(圖1中未圖示，參照圖16等)、以及包含具有從主支架BD經(jīng)由支承構件72B被以大致懸臂狀態(tài)支承(支承一端部附近)的測量臂71B的第2背側編碼器系統(tǒng)70B與后述的第2頂側編碼器系統(tǒng)80B(圖1中未圖示、參照圖16等)的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110B。又，于對準裝置99附近，如圖1所示設有夾具單元120。此外，為了說明的方便，關于第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB留待后述的微動載臺的說明后再予說明。又，對準裝置99亦稱為對準檢測系統(tǒng)或標記檢測系統(tǒng)等。
[0111]對準裝置99包含圖4所示的五個對準系統(tǒng)ALlAI^1 ~AL24。詳述之，如圖4及圖5所示，在通過投影單元的中心(投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX、本實施形態(tài)中亦與上述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與Y軸平行的直線(以下稱為基準軸)LV上，以檢測中心位于自光軸AX往一 Y側相隔既定距離的位置的狀態(tài)配置有第一對準系統(tǒng)AL1。隔著第一對準系統(tǒng)ALl于X軸方向一側與另一側，分別設有相對基準軸LV大致對稱地配置有檢測中心的第二對準系統(tǒng)AL2p AL22、以及AL23，AL24。亦即，五個對準系統(tǒng)AL1，AI^1~AL24，其檢測中心沿X軸方向配置。五個對準系統(tǒng)ALLAI^1 ~AL24，可使用例如影像處理方式的FIA(FieldImage Alignment (場像對準))系統(tǒng)，其能將不會使晶片上的光阻感光的寬頻檢測光束照射于對象標記，并以攝影元件(CCD(電荷耦合裝置)等)拍攝通過來自該對象標記的反射光而成像于受光面的對象標記的像、以及未圖示的指標(設于各對準系統(tǒng)內的指標板上的指標圖案)像，并輸出該等的拍攝信號。來自五個對準系統(tǒng)Α?1，ΑΙΑ~ΑΙΛ各自的攝影信號，供應至主控制裝置20(參照圖16)。此外，關于對準裝置99的詳細構成，揭示于例如美國專利申請公開第2009/0233234號說明書等。又，對準系統(tǒng)AL1，AI^1~AL24的各個不限于攝影方式，亦可是例如將同調測量光罩設于對準標記(繞射格子)，并檢測從該標記產(chǎn)生的繞射光的方式等。
[0112] 作為多點AF系統(tǒng)，如圖4及圖5所示設有由送光系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b構成的斜入射方式的多點AF系統(tǒng)。與多點AF系統(tǒng)(90a、90b)相同的構成揭示于例如美國發(fā)明專利第5，448, 332號說明書等。本實施形態(tài)中，作為其一例，送光系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b于往通過第一對準系統(tǒng)ALl的檢測中心的與X軸平行的直線(基準軸)LA的+Y側分離相同距離的位置相對基準軸LV配置成對稱。送光系統(tǒng)90a與受光系統(tǒng)90b的X軸方向的間隔，設定為較設于后述的晶片臺WTB上的一對標尺3%，392 (參照圖2(A))的間隔寬。
[0113]多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的多個檢測點，在被檢測面上沿X軸方向以既定間隔配置。本實施形態(tài)中，例如配置成一行M列(M為檢測點的總數(shù))或兩行N列(N為檢測點總數(shù)的1/2)的行矩陣狀。圖4及圖5中并未分別圖示檢測光束分別照射的多個檢測點，而顯示在送光系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細長檢測區(qū)域AF。此檢測區(qū)域AF，由于其X軸方向的長度設定成與晶片W的直徑相同程度，因此通過僅沿Y軸方向掃描晶片W一次，即能測量晶片W的大致全面的Z軸方向位置信息(信息)。又，該檢測區(qū)域AF，由于是于Y軸方向，配置于投影光學系統(tǒng)PL (曝光區(qū)域IA)與對準系統(tǒng)(Α?Ι,ΑΙ^,ΑΙΛ,ΑΙΛ,ΑΙΛ)的檢測區(qū)域之間，因此能同時以多點AF系統(tǒng)與對準系統(tǒng)進行其檢測動作。
[0114]此外，多個檢測點雖是以I行M列或2行N列來配置，但行數(shù)及/或列數(shù)并不限于此。不過，當行數(shù)為2以上時，最好是在不同行之間使檢測點在X軸方向的位置亦相異。再者，雖多個檢測點是沿X軸方向配置，但并不限于此，亦可將多個檢測點的全部或一部分配置于在Y軸方向不同的位置。例如亦可沿與X軸及Y軸兩方交叉的方向配置多個檢測點。亦即，多個檢測點只要至少在X軸方向位置相異即可。又，雖在本實施形態(tài)中是對多個檢測點照射檢測光束，但例如亦可對檢測區(qū)域AF全區(qū)照射檢測光束。再者，檢測區(qū)域AF在X軸方向的長度亦可不與晶片W的直徑為相同程度。
[0115]晶片載臺WST由圖1及圖2 (B)等可知，具有:粗動載臺WCS ;以及微動載臺WFS，經(jīng)由致動器(包含例如音圈電機與EI線圈的至少一方)以非接觸狀態(tài)支承于粗動載臺WCS且能相對粗動載臺WCS移動 。雖未圖示，但于粗動載臺WCS經(jīng)由配管、配線成一體化的管連接有配置于往底盤12的+X側(或一 X側)分離而設置的導引面上的管載體。管載體是將例如電力(電流)、冷媒、壓縮空氣及真空等的力經(jīng)由管供應至粗動載臺WCS者。又，供應至粗動載臺WCS的力的一部分(例如真空等)被供應至微動載臺WFS。管載體，通過主控制裝置20經(jīng)由例如線性電機等追隨晶片載臺WST被往Y軸方向驅動。管載體往Y軸方向的驅動，無需嚴密地追隨晶片載臺WST的Y軸方向的驅動，只要在某容許范圍內追隨即可。又，管載體亦可配置于底盤12上，此情形下，能通過驅動粗動載臺WCS的后述平面電機驅動管載體。此外，管載體亦能稱為纜線載體、或從動件等(follower)。又,晶片載臺WST不一定要是粗微動構造。
[0116]晶片載臺WST(粗動載臺WCS)通過包含后述平面電機的粗動載臺驅動系統(tǒng)51A(參照圖16)以既定行程被驅動于X軸及Y軸方向且被微幅驅動于ΘΖ方向。又，微動載臺WFS通過包含上述致動器的微動載臺驅動系統(tǒng)52Α(參照圖16)相對粗動載臺WCS被驅動于六自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、0y、ΘΖ的各方向)。此外，亦可通過后述的平面電機將粗動載臺WCS驅動于六自由度方向。
[0117]晶片載臺WST (粗動載臺WCS)的至少XY平面內的位置信息(亦含θ ζ方向的旋轉信息)以由干涉儀系統(tǒng)構成的晶片載臺位置測量系統(tǒng)16Α(參照圖1及圖16)加以測量。又，位于曝光站200的粗動載臺WCS所支承的微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息是以第I微動載臺位置測量系統(tǒng)110Α(參照圖1)加以測量。此外，亦可不設置晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A。此情形下，僅以第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA測量在曝光站200的晶片載臺WST的六自由度方向的位置信息。
[0118]又，在粗動載臺WCS位于測量站300時，粗動載臺WCS所支承的微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息是通過第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110B(參照圖1)加以測量。
[0119]又，在測量站300內進行后述的聚焦映射時等，亦通過后述的第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C(參照圖16)測量微動載臺WFS的位置信息。本實施形態(tài)中，由于如前所述，對準裝置99的檢測中心與多點AF系統(tǒng)的檢測點在Y方向的位置不同，因此是與第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB分別地另外設有第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C。因此，在對準裝置99對晶片W等的標記檢測，能通過第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB在至少Y方向與對準裝置99的檢測中心實質上為相同位置測量晶片載臺WST的位置信息，且在多點AF系統(tǒng)對晶片W等的Z方向位置信息的測量，能通過第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C在至少Y方向與多點AF系統(tǒng)的檢測點實質上為相同位置測量晶片載臺WST的位置信息。
[0120]又，當對準裝置99的檢測中心與多點AF系統(tǒng)的檢測點在Y方向的位置實質上為相同或Y方向的間隔較小時，亦可不設置第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80Co此情形下，只要在多點AF系統(tǒng)的測量動作中亦使用第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB測量晶片載臺WST的位置信息即可。又，即使對準裝置99的檢測中心與多點AF系統(tǒng)的檢測點在Y方向的位置不同，當不設置第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C而僅使用第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB時，亦可將第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB配置成可于Y方向在對準裝置99的檢測中心與多點AF系統(tǒng)的檢測點之間例如中心測量晶片載臺WST的位置信息。
[0121]再者，在與曝光站200及測量站300之間、亦即第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA及第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的微動載臺WFS的位置信息，是通過后述的第4頂側編碼器系統(tǒng)80D(參照圖16)加以測量。此外，在第1、第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110AU10B無法測量晶片載臺WST的位置信息的范圍內、亦即上述的測量范圍外，測量晶片載臺WST的位置信息的測量裝置不限于第4頂側編碼器系統(tǒng)80D，亦可使用例如干涉儀系統(tǒng)、或檢測方向及/或構成異于第4頂側編碼器系統(tǒng)80D的編碼器系統(tǒng)等其他測量裝置。
[0122]又，測量載臺MST的XY平面內的位置信息是通過由干涉儀系統(tǒng)構成的測量載臺位置測量系統(tǒng)16B(參照圖1及圖16)加以測量。此外，測量測量載臺MST的位置信息的測量裝置不限于干涉儀系統(tǒng)，亦可使用其他測量裝置、例如編碼器系統(tǒng)(包含后述的第5頂側編碼器系統(tǒng)等)等。
[0123]晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A、測量載臺位置測量系統(tǒng)16B、以及第4頂側編碼器系統(tǒng)80D的測量值(位置信息)分別為了粗動載臺WCS、測量載臺MST、以及微動載臺WFS的位置控制而供應至主控制裝置20 (參照圖16)。又，第I及第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110A、110B、以及第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的測量結果，為了粗動載臺WCS、測量載臺MST、以及微動載臺WFS的位置控制而分別經(jīng)由后述的切換部150A?150C供應至主控制裝置20 (參照圖16)。
[0124]此處，詳述包含上述各種測量系統(tǒng)的載臺系統(tǒng)的構成等。首先說明晶片載臺WST。
[0125]粗動載臺WCS，如圖2 (B)所示，具備粗動滑件部91、一對側壁部92a、92b、以及一對固定件部93a、93b。粗動滑件部91，由在俯視下(從+Z方向所視)X軸方向長度較Y軸方向長些許的長方形板狀構件構成。一對側壁部92a、92b，分別由以Y軸方向為長度方向的長方形板狀構件構成，分別以與YZ平面平行的狀態(tài)固定在粗動滑件部91的長度方向一端部與另一端部上面。一對固定件部93a、93b，分別朝內側而固定在側壁部92a、92b各自的上面的Y軸方向中央部。粗動載臺WCS，其全體為一具有上面的X軸方向中央部及Y軸方向兩側面開口的高度較低的直方體形狀。亦即，于粗動載臺WCS的內部形成有貫通于Y軸方向的空間部。于此空間部內在后述的曝光時、對準時等插入測量臂71A、71B。此外，側壁部92a、92b的Y軸方向長度亦可與固定件部93a、93b大致相同。亦即，側壁部92a、92b亦可僅設于粗動滑件部91的長邊方向一端部與另一端部的上面的Y軸方向中央部。又，粗動載臺WCS只要是能支承微動載臺WFS而可動即可，能稱為晶片載臺WST的本體部、或可動體或移動體
坐寸ο
[0126]于底盤12內部，如圖1所示收容有包含以XY 二維方向為行方向、列方向配置成矩陣狀的多個線圈17的線圈單元。此外，底盤12于投影光學系統(tǒng)PL下方配置成其表面與XY平面大致平行。
[0127]對應于線圈單元，于粗動載臺WCS底面、亦即粗動滑件部91底面，如圖2(B)所示設有由以XY 二維方向為行方向、列方向配置成矩陣狀的多個永久磁石18構成的磁石單元。磁石單元與底盤12的線圈單元一起構成例如美國專利第5，196，745號說明書等所揭示的電磁力(勞倫茲力)驅動方式的平面電機所構成的粗動載臺驅動系統(tǒng)51A(參照圖16)。供應至構成線圈單元的各線圈17的電流的大小及方向通過主控制裝置20控制。
[0128]于粗動滑件部91的底面，于上述磁石單元周圍固定有多個空氣軸承94。粗動載臺WCS通過多個空氣軸承 94于底盤12上方經(jīng)由既定間隙(clearance、gap)、例如數(shù)μ m程度的間隙被懸浮支承，并通過粗動載臺驅動系統(tǒng)51A驅動于X軸方向、Y軸方向、以及θ ζ方向。
[0129]此外，作為粗動載臺驅動系統(tǒng)51A，并不限于電磁力(勞倫茲力)驅動方式的平面電機，例如亦可使用可變磁氣電阻驅動方式的平面電機。此外，亦可通過磁浮型的平面電機構成粗動載臺驅動系統(tǒng)51A，而能通過該平面電機將粗動載臺WCS驅動于六自由度方向。此時，亦可不于粗動滑件部91的底面設置空氣軸承。
[0130]一對固定件部93a、93b的各個由外形為板狀的構件構成，其內部收容有由用以驅動微動載臺WFS的多個線圈所構成的線圈單元CUa、CUb。供應至構成線圈單元CUa、CUb的各線圈的電流的大小及方向由主控制裝置20控制。
[0131]微動載臺WFS，如圖2(B)所示，具備本體部81、分別固定在本體部81的長邊方向一端部與另一端部的一對可動件部82a、82b、以及一體固定于本體部81上面的俯視矩形的板狀構件構成的晶片臺WTB。
[0132]本體部81由俯視以X軸方向為長邊方向的八角形板狀構件構成。于本體部81下面，水平(與晶片W表面平行)地配置固定有既定厚度的既定形狀、例如俯視矩形或較本體部81大一圈的八角形板狀構件所構成的標尺板83。于標尺板83下面的至少較晶片W大一圈的區(qū)域設有二維光柵(以下單稱為光柵)RG。光柵RG包含以X軸方向為周期方向的反射型繞射格子(X繞射格子)與以Y軸方向為周期方向的反射型繞射格子(Y繞射格子)。X繞射格子及Y繞射格子的格子線的間距設定為例如I μ m。[0133]本體部81與標尺板83最好是以例如熱膨脹率相同或相同程度的材料形成，該材料最好是低熱膨脹率。又，光柵RG表面亦可被保護構件例如光能透射的透明材料且低熱膨脹率的罩玻璃覆蓋來加以保護。此外，光柵RG只要在不同的兩方向周期性排列，其構成等可為任意，周期方向亦可不與X、Y方向一致，例如周期方向亦可相對X、Y方向旋轉45度。
[0134]本實施形態(tài)中，雖微動載臺WFS具有本體部81與晶片臺WTB，但例如亦可不設置本體部81而通過上述的致動器驅動晶片臺WTB。又，微動載臺WFS只要于其上面的一部分具有晶片W的載置區(qū)域即可，能稱為晶片載臺WST的保持部或臺、可動部等。
[0135]一對可動件部82a、82b具有分別固定于本體部81的X軸方向一端面與另一端面的YZ剖面矩形框狀的殼體。以下，為了說明方便，將此等殼體使用與可動件部82a、82b相同的符號標記為殼體82a、82b。
[0136]殼體82a，具有Y軸方向尺寸(長度)及Z軸方向尺寸(高度)均較固定件部93a大些許的于Y軸方向細長的YZ剖面為矩形的空間(開口部)。于殼體82a的空間內以非接觸方式插入有粗動載臺WCS的固定件部93a的一 X側端部。于殼體82a的上壁部82&1及底壁部82a2的內部設有磁石單兀MUa1、MUa2。
[0137]可動件部82b雖與可動件部82a為左右對稱但構成相同。于殼體(可動件部)82b的空間內以非接觸方式插入有粗動載臺WCS的固定件部93b的+X側端部。于殼體82b的上壁部82bi及底壁部82b2的內部設有與磁石單元MUa1JUa2相同構成的磁石單元MUbpMUb2t5
[0138]上述的線圈單元⑶a、CUb，以分別對應于磁石單元MUa1JUa2及MUb1JUb2的方式分別收容于固定件部93a及93b內部。
[0139]磁石單元MUa1' MUa2及願匕、MUb2、以及線圈單元⑶a、CUb的構成,詳細揭示于例如美國專利申請公開第2010/0073652號說明書及美國專利申請公開第2010/0073653號說明書等。
[0140]本實施形態(tài)中，包含上述可動件部82a所具有的一對磁石單元MUa1、MUa2&固定件部93a所具有的線圈單元CUa與可動件部82b所具有的一對磁石單元MUb1、MUb2及固定件部93b所具有的線圈單元CUb在內，構成與上述美國專利申請公開第2010/0073652號說明書及美國專利申請公開第2010/0073653號說明書同樣的將微動載臺WFS相對粗動載臺WCS以非接觸狀態(tài)懸浮支承且以非接觸方式往六自由度方向驅動的微動載臺驅動系統(tǒng)52A(參照圖16)。
[0141]此外，當使用磁浮型的平面電機作為粗動載臺驅動系統(tǒng)51A(參照圖16)的情形，由于能通過該平面電機將微動載臺WFS與粗動載臺WCS —體地微幅驅動于Z軸、θ X及Θ y各方向，因此微動載臺驅動系統(tǒng)52A亦可構成為能將微動載臺WFS驅動于X軸、Y軸及Θ z各方向、亦即XY平面內的三自由度方向。此外，例如亦可于粗動載臺WCS的一對側壁部92a、92b的各個將各一對電磁石與微動載臺WFS的八角形斜邊部對向設置,并與各電磁石對向地于微動載臺WFS設置磁性體構件。藉此，由于能通過電磁石的磁力在XY平面內驅動微動載臺WFS，因此亦可通過可動件部82a、82b與固定件部93a、93b構成一對Y軸線性電機。
[0142] 于晶片臺WTB的上面中央設有通過真空吸附等保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。晶片保持具亦可與晶片臺WTB —體形成，亦可相對晶片臺WTB經(jīng)由例如靜電夾具機構或夾鉗機構等、或通過接著等來固定。此處，在圖2(B)等雖省略了圖示，但于本體部81設有可經(jīng)由設于晶片臺WTB及晶片保持具的孔垂直移動的多個例如三支垂直動銷140 (參照圖6(A))。三支垂直動銷140能在上端面位于晶片保持具(晶片臺WTB)上面的上方的第I位置與位于晶片保持具(晶片臺WTB)上面的下方的第2位置之間垂直移動。三支垂直動銷140，是經(jīng)由驅動器142 (參照圖16)通過主控制裝置20來驅動。
[0143]于晶片臺WTB上面的晶片保持具(晶片W的載置區(qū)域)外側，如圖2(A)所示，安裝有其中央形成有較晶片保持具大一圈的大圓形開口且具有矩形外形(輪廓)的板片(撥液板)28。板片28是由例如玻璃或陶瓷(例如首德公司的ZeiOdur (商品名))、Al2O3或TiC等)構成，于其表面施加對液體Lq的撥液化處理。具體而言，是通過例如氟樹脂材料、聚四氟乙烯(鐵氟龍(注冊商標))等氟系樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料或硅系樹脂材料等來形成撥液膜。此外，板片28是以其表面全部(或一部分)與晶片W表面實質上成為同一面的方式固定在晶片臺WTB的上面。
[0144]板件28具有位于晶片臺WTB的X軸方向中央且于其中央形成有上述圓形開口的具有矩形外形(輪廓)的第I撥液區(qū)域28a、以及在X軸方向隔著該第I撥液區(qū)域28a而位于晶片臺WTB的+X側端部、一 X側端部的長方形的一對第2撥液區(qū)域28b。此外，本實施形態(tài)中，由于如前所述是使用水來作為液體Lq，因此以下將第I撥液區(qū)域28a及第2撥液區(qū)域28b亦分別稱為第I撥水板28a及第2撥水板28b。
[0145]于第I撥水板28a的+Y側端部附近設有測量板30。于此測量板30中央設有基準標記FM，以隔著基準標記FM的方式設有一對空間像測量狹縫圖案(狹縫狀測量用圖案)SL0又，與各空間像測量狹縫圖案SL對應的，設有將透射過該等的照明光IL導至晶片載臺WST外部(設于后述的測量載臺MST的受光系統(tǒng))的送光系統(tǒng)(未圖示)。測量板30例如配置于與配置晶片保持具的開口不同的板件28的開口內，測量板30與板件28的間隔被密封構件等封閉以避免液體流入晶片臺WTB。又，測量板30于晶片臺WTB設成其表面與板件28的表面實質上成為同一面。此外，亦可將與狹縫圖案SL不同的至少一個開口部(光透射部)形成于測量板30，且以 感測器檢測出經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL與液體透射開口部的照明光IL，例如能測量投影光學系統(tǒng)PL的光學特性(包含波面像差等)及/或照明光IL的特性(包含光量、在上述曝光區(qū)域IA內的照度分布等)等。
[0146]于一對第2撥水板28b分別形成有第I至第4頂側編碼器系統(tǒng)80A~80D用的標尺39p 392。詳述之，標尺39” 392分別是以例如以Y軸方向為周期方向的繞射格子與以X軸方向為周期方向的繞射格子所組合而成的反射型二維繞射格子所構成。二維繞射格子的格子線間距，于Y軸方向及X軸方向的任一方向均設定為例如I μ m。又，由于一對第2撥水板28b分別具有標尺(二維格子)39” 392，因此稱為格子構件、標尺板、或網(wǎng)格板等，本實施形態(tài)中，例如于低熱膨脹率的玻璃板表面形成二維格子，以覆蓋該二維格子的方式形成撥液膜。此外，圖2(A)中，為了圖示方便，格子的間距圖示成較實際的間距大。于其他圖亦相同。又，二維格子只要在不同的兩方向周期性排列，其構成等可為任意，周期方向亦可不與X、Y方向一致，例如周期方向亦可相對X、Y方向旋轉45度。
[0147]此外，為了保護一對第2撥水板28b的繞射格子，以具備撥水性的低熱膨脹率的玻璃板來覆蓋亦為有效。此處，能使用厚度與晶片相同程度、例如厚度Imm者來作為玻璃板，例如于晶片臺WTB上面設置成其玻璃板表面與晶片面實質上相同高度(同一面)。又，當至少在晶片W的曝光動作中，將一對第2撥水板28b從晶片W分離配置成不與上述的液浸區(qū)域的液體接觸的程度時，一對第2撥水板28b其表面亦可非撥液性。亦即，一對第2撥水板28b可均是分別形成標尺(二維格子)的單純格子構件。
[0148]本實施形態(tài)中，雖于晶片臺WTB設置板件28，但板件28亦可不設置。此情形下，只要于晶片臺WTB的上面設置配置晶片保持具的凹部，例如將上述的表面非撥液性的一對格子構件在晶片臺WTB上于X方向隔著凹部配置即可。如前所述，此一對格子構件只要從凹部分離配置成不與液浸區(qū)域的液體接觸的程度即可。又，亦可將凹部形成為在凹部內保持于晶片保持具的晶片W的表面與晶片臺WTB上面實質上成為同一面。此外，亦可使晶片臺WTB的上面全部或一部分(至少包含包圍凹部的周圍區(qū)域)成為撥液性。又，在將形成標尺(二維格子)39” 392的一對格子構件接近凹部來配置時，亦可取代表面非撥液性的一對格子構件，使用上述的一對第2撥水板28b。
[0149]此外，于各第2撥水板28b的標尺端附近，分別設有用以決定后述的編碼器讀頭與標尺間的相對位置的未圖示的定位圖案。此定位圖案由例如反射率不同的格子線構成，當編碼器讀頭掃描此定位圖案上時，編碼器的輸出信號強度會變化。因此，預先決定臨限值，檢測出輸出信號的強度超過該臨限值的位置。以此檢測出的位置為基準，設定編碼器讀頭與標尺間的相對位置。又，如上述，本實施形態(tài)中，由于微動載臺WFS具備晶片臺WTB，因此以下說明中，亦將包含晶片臺WTB的微動載臺WFS標記為晶片臺WTB。
[0150]其次，雖說明前后對調，但針對夾具單元120作說明。夾具單元120用以將曝光前的晶片在裝載于晶片臺WTB上前在裝載位置上方保持，且裝載于晶片臺WTB上。
[0151]夾具單元120，如圖1所示，具備經(jīng)由未圖示防振構件固定于主支架BD下面的驅動部122與通過驅動部122垂直移動的夾具本體130。圖6 (A)概略顯示夾具單元120的前視圖(從一 Y方向觀看的圖)，圖6(B)概略顯示夾具單元120的俯視圖。驅動部122內藏電機，如圖6(A)所示經(jīng)由垂直動軸122a將夾具本體130往垂直方向(Z軸方向)驅動。 [0152]夾具本體130具備其上面固定于垂直動軸122a下端的既定厚度的俯視圓形的板狀構件所構成的冷卻板123、以及其上面固定于冷卻板123的下面的貝努里夾具(或亦稱為浮動夾具)124等。
[0153]冷卻板123是將晶片溫度調整成既定溫度者，例如于其內部設有配管等，通過于該配管內流動溫度調整成既定溫度的液體而被調整成既定溫度。于冷卻板123的X軸方向兩端部設有一對導引部125。于一對導引部125的各個形成有由貫通于垂直方向的貫通孔構成的導引孔125a。
[0154]延伸于垂直方向的軸126以隔開既定間隙的方式插入于形成于一對導引部125的導引孔125a的內部。軸126的上端部露出于導引部125的上方,連接于垂直移動旋轉驅動部127。垂直移動旋轉驅動部127經(jīng)由未圖示的安裝構件安裝于主支架BD。軸126的下端部露出于導引部125下方，于其下端面固定有延伸于XY平面內的一軸方向(圖6(A)中是延伸于X軸方向)的支承板128。此外，為了防止塵埃的產(chǎn)生，最好于導引孔125a的內周面的多處配置空氣軸承等非接觸軸承。支承板128長度方向的一端附近的上面固定于軸126。支承板128通過垂直移動旋轉驅動部127，而在長度方向的另一端部對向于貝努里夾具124的外周部一部分的第I旋轉位置與不對向于貝努里夾具124的第2旋轉位置之間被往θ ζ方向旋轉驅動，且以既定行程亦被往垂直方向驅動。
[0155]于另一導引部125側亦以與上述相同的配置、構成設有垂直移動旋轉驅動部127、軸126、支承板128。[0156]貝努里夾具124由較冷卻板123薄很多的與冷卻板123大致相同大小的板狀構件構成。于貝努里夾具124的外周面三處以埋入狀態(tài)安裝有例如CXD等攝影元件129 (于圖6(A)等僅代表性地顯示攝影元件中的一個)。三個攝影元件129中的一個以晶片W中心與貝努里夾具124中心大致一致的狀態(tài)配置于與晶片W的缺口(V字形切口，未圖示)對向的位置，剩余的兩個攝影元件129，以晶片W中心與貝努里夾具124中心大致一致的狀態(tài)分別配置于與晶片W的一部分對向的位置。又，于貝努里夾具124設有例如由靜電容感測器構成的未圖示間隙感測器，其輸出供應至主控制裝置20。
[0157]貝努里夾具如周知般，是利用貝努里效果局部地擴大所吹出的流體(例如空氣)的流速，藉以非接觸方式固定(以下適當稱為支承、保持或吸附)對象物的夾具。此處所謂的貝努里效果，是指流速的壓力隨著流速增加而減少的貝努里定理(原理)產(chǎn)生于流體機械等的效果。貝努里夾具中，是以吸附(固定)對象物的重量及從夾具吹出的流體的流速決定保持狀態(tài)(吸附/懸浮狀態(tài))。亦即，當對象物的大小為已知時，是根據(jù)從夾具吹出的流體的流速，決定保持時的夾具與保持對象物的間隙尺寸。本實施形態(tài)中，貝努里夾具124用于晶片(W)的吸附(支承或保持)。晶片通過被貝努里夾具124吸附保持，而被限制Z軸方向、θχ、0y方向的移動，通過在被貝努里夾具124吸附(支承或保持)的狀態(tài)下其下面(背面)的外周部附近的兩處從下方被接觸支承于一對支承板128，而通過摩擦力被限制X軸方向、Y軸方向及Qz方向的移動。
[0158]此外，不限于利用貝努里效果的夾具，亦可使用不利用貝努里效果而能非接觸支承晶片的夾具。本實施形態(tài)中，包含將該等夾具在內稱為(總稱為)貝努里夾具。
[0159]上述的攝影元件 129的攝影信號送至信號處理系統(tǒng)116 (參照圖16)，信號處理系統(tǒng)116通過例如美國發(fā)明專利第6，624，433號說明書等所揭示的手法檢測包含晶片的切口(缺口等)的周緣部的三處，以求出晶片W的X軸方向、Y軸方向的位置偏移與旋轉(θ z旋轉)誤差。接著，該等位置誤差與旋轉誤差的信息供應至主控制裝置20(參照圖16)。本實施形態(tài)中，作為進行貝努里夾具124所保持的晶片W的位置測量的預對準裝置雖使用三個攝影元件129，但預對準裝置不限于攝影元件，亦可使用例如光量感測器等其他感測器。又，預對準裝置雖設于貝努里夾具124，但亦可僅將構成預對準裝置的發(fā)光部與受光部中的一方設于貝努里夾具124，將另一方設于晶片載臺WST或主支架BD等。再者，發(fā)光部與受光部的至少一部分例如光源及/或感測器(檢測器)等亦可不設于貝努里夾具124，而配置于例如本體支架等其他位置。
[0160]夾具單元120的驅動部122、貝努里夾具124及一對垂直移動旋轉驅動部127等被主控制裝置20控制(參照圖16)。通過主控制裝置20，使用夾具單元120進行的各種動作留待后述。
[0161]其次說明測量載臺MST。圖3(A)、圖3(B)及圖3 (C)分別顯示了測量載臺MST的前視圖(從一 Y方向觀看的圖)、側視圖(從一 X方向觀看的圖)、以及俯視圖(從+Z方向觀看的圖)。如此等圖3(A)~圖3(C)所示，測量載臺MST具備在俯視下(從+Z方向觀看)以X軸方向為長度方向的長方形板狀滑件部60、固定于滑件部60上面的+X側端部的由直方體構件構成的支承部62、以及懸臂支承于該支承部62上且經(jīng)由測量臺驅動系統(tǒng)52B (參照圖16)被微幅驅動于例如六自由度方向(或XY平面內的三自由度方向)的長方形板狀的測量臺MTB。[0162]雖未圖不,但于滑件部60底面設有由多個永久磁石構成的磁石單兀,其與底盤12的線圈單元(線圈17) —起構成電磁力(勞倫茲力)驅動方式的平面電機所構成的測量載臺驅動系統(tǒng)51B(參照圖16)。于滑件部60的底面，于上述磁石單元周圍固定有多個空氣軸承(未圖示)。測量載臺MST通過上述的空氣軸承于底盤12上方經(jīng)由既定間隙(clearance、gap)、例如數(shù)μ m程度的間隙被懸浮支承，并通過測量載臺驅動系統(tǒng)51B驅動于X軸方向及Y軸方向。此外，粗動載臺驅動系統(tǒng)51A與測量載臺驅動系統(tǒng)51B雖線圈單元為共通，但本實施形態(tài)中為了說明方便，分別區(qū)分為粗動載臺驅動系統(tǒng)51A與測量載臺驅動系統(tǒng)51B。即使就實際問題而言，由于線圈單元的不同線圈17分別使用于晶片載臺WST與測量載臺MST的驅動，因此即使如此區(qū)分亦無問題。此外，測量載臺MST雖為空氣懸浮方式，但亦可是例如利用平面電機的磁浮方式。
[0163]于測量臺MTB設有各種測量用構件。作為該測量用構件，例如圖3(C)所示，是采用具有針孔狀受光部來在投影光學系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的照度不均感測器95、用以測量投影光學系統(tǒng)PL所投影的圖案空間像(投影像)的空間像測量器96、例如國際公開第03/065428號等所揭示的夏克一哈特曼(Shack — Hartman)方式的波面像差測量器97、以及具有既定面積的受光部以在投影光學系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的照度監(jiān)測器98等。
[0164]照度不均感測器95，例如能使用與美國發(fā)明專利第4，465，368號說明書等所揭示者相同的構造。又，空間像測量器96，例如能使用與美國發(fā)明專利申請公開第2002/0041377號說明書等所揭示者相同的構造。波面像差感測器97，例如能使用國際公開第99/60361號(對應歐洲專利第1079223號)所揭示者。照度監(jiān)測器98，能使用與例如美國發(fā)明專利申請公開第2002/0061469號說明書等所揭示者相同的構造。
[0165]又，于測量臺MTB以能對向于上述的一對送光系統(tǒng)(未圖示)的配置設有一對受光系統(tǒng)(未圖示)。本實施形態(tài)中，是構成空間像測量裝置45(參照圖16)，其是在晶片載臺WST與測量載臺MST于Y軸方向接近至既定距離以內的狀態(tài)(包含接觸狀態(tài))下，將透射過晶片載臺WST上的測量板30的各空間像測量狹縫圖案SL的照明光IL以各送光系統(tǒng)(未圖示)導引，而以測量載臺MST內的各受光系統(tǒng)(未圖示)的受光元件接收光。
[0166]此外，本實施形態(tài)中雖將四個測量用構件(95，96，97，98)設于測量臺MTB，但測量用構件的種類、及/或數(shù)量等并不限于此。測量用構件，例如可使用用以測量投影光學系統(tǒng)PL的透射率的透射率測量器、及/或能采用用以觀察上述局部液浸裝置8、例如嘴單元32(或前端透鏡191)等的測量器等。再者，亦可將與測量用構件相異的構件、例如用以清掃嘴單元32、前端透鏡191等的清掃構件等裝載于測量載臺MST。
[0167]此外，本實施形態(tài)中，對應所進行的通過經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL與液體(水)Lq的曝光用光(照明光)IL來使晶片W曝光的液浸曝光，使用照明光IL的測量所使用的上述照度不均感測器95、空間像測量器96、波面像差感測器97、以及照度監(jiān)測器98，即是經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL及水來接收照明光IL。又，各感測器，例如亦可僅有經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL及水來接收照明光IL的受光面(受光部)及光學系統(tǒng)等的一部分配置于測量臺MTB，或亦可將感測器整體配置于測量臺MTB。
[0168] 于測量臺MTB上面固定有其表面被撥液膜(撥水膜)覆蓋的透明構件構成的板件63。板件63以與上述的板件28相同的材料形成。于測量臺MTB的下面(一 Z側的面)設有與上述的光柵RG相同的光柵RGa。
[0169]此外，當將測量載臺驅動系統(tǒng)51B以磁浮型的平面電機構成時，例如亦可將測量載臺設為于六自由度方向可動的單體載臺。又，亦可不于測量臺MTB設置板件63。此情形下，只要于測量臺MTB上面形成分別配置上述多個感測器的受光面(光透射部)的多個開口，例如以在開口內受光面與測量臺MTB的上面實質上成為同一面的方式將包含受光面的感測器至少一部分設于測量臺MTB即可。
[0170]測量載臺MST的XY平面內的位置信息，是通過主控制裝置20，使用與晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A相同的由干涉儀系統(tǒng)構成的測量載臺位置測量系統(tǒng)16B(參照圖1及圖16)來測量。
[0171]測量載臺MST能從一 X側對測量臂71A卡合，在其卡合狀態(tài)下，測量臺MTB位于緊挨測量臂71A上方。此時，測量臺MTB的位置信息，通過對光柵RGa照射測量光束的后述測量臂7IA所具的多個編碼器讀頭測量。
[0172]又，測量臺MTB能從+Y側對粗動載臺WCS所支承的晶片臺WTB (微動載臺WFS)接近至例如300μπι左右以下的距離或接觸，在其接近或接觸狀態(tài)下，是與晶片臺WTB上面一起形成外觀上成一體的全平坦面(參照例如圖27)。測量臺MTB (測量載臺MST)通過主控制裝置20，經(jīng)由測量載臺驅動系統(tǒng)51Β被驅動，而在與晶片臺WTB之間進行液浸區(qū)域(液體Lq)的移交。亦即，用以規(guī)定形成于投影光學系統(tǒng)PL下的液浸區(qū)域的邊界(boundary)的一部分從晶片臺WTB上面與測量臺MTB上面的一方被置換至另一方。此外，關于測量臺MTB與晶片臺WTB間的液浸區(qū)域(液體Lq)的移交，留待后述。
[0173]其次，說明用于測量被位于曝光站200的粗動載臺WCS可移動地保持的微動載臺WFS的位置信息的第I微動 載臺位置測量系統(tǒng)110A(參照圖16)的構成。
[0174]第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA的第I背側編碼器系統(tǒng)70A如圖1所示，具備在晶片載臺WST配置于投影光學系統(tǒng)PL下方的狀態(tài)下插入設于粗動載臺WCS內部的空間部內的測量臂71A。
[0175]測量臂71A如圖7所示，具有經(jīng)由支承構件72A以懸臂狀態(tài)支承于主支架BD的臂構件7^與收容于臂構件7^的內部的后述的編碼器讀頭(光學系統(tǒng)的至少一部分)。亦即，通過包含測量臂71A的臂構件7^與支承構件72A的測量構件(亦稱為支承構件或度量衡臂)將其讀頭部支承成第I背側編碼器系統(tǒng)70A的讀頭部(包含光學系統(tǒng)的至少一部分)配置得較晶片臺WTB的光柵RG低。藉此，對光柵RG從下方照射第I背側編碼器系統(tǒng)70A的測量光束。臂構件如圖8(A)放大所示，由以Y軸方向為長度方向的具有長方形剖面的中空柱狀構件構成。臂構件了^例如如圖19所示，寬度方向(X軸方向)的尺寸是基端部附近最寬，從基端部至自長度方向中央略靠基端部的位置隨著往前端側而逐漸變細，從自長度方向中央略靠基端部的位置至前端為止則為大致一定。本實施形態(tài)中，雖將第I背側編碼器系統(tǒng)70A的讀頭部配置于晶片臺WTB的光柵RG與底盤12的表面之間，但例如亦可于底盤12下方配置讀頭部。
[0176]臂構件了^是由低熱膨脹率的材料、最好是O膨脹的材料(例如首德公司的Zerodur(商品名)等)構成，如圖7所示，于其前端部例如設有具有IOOHz程度的固有共振頻率的質量阻尼器(亦稱為動態(tài)阻尼器)69。此處的質量阻尼器，例如是以彈簧與砝碼構成的擺件，安裝此物后，當從外對其構造物(此處指臂構件71J施加振動時，只要是與質量阻尼器相同的振動頻率，則砝碼會共振振動而代替吸收構造物(此處指臂構件71J的振動能量。藉此，能將該構造物(此處指臂構件71J的特定頻率的振動抑制得較小。此外，亦可通過質量阻尼器以外的振動抑制構件來抑制或防止臂構件71的振動。又，此振動抑制構件是補償因臂構件7^的振動而產(chǎn)生的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的測量誤差的補償裝置之一，后述的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A亦是補償裝置之一。
[0177]臂構件7^是中空且基端部較寬廣，因此剛性較高，在俯視下的形狀亦如上述設定，是以在晶片載臺WST配置于投影光學系統(tǒng)PL下方的狀態(tài)下，在臂構件71i的前端部插入粗動載臺WCS的空間部內的狀態(tài)雖晶片載臺WST會移動，但此時能防止成為晶片載臺WST移動的妨礙。又，在與后述的編碼器讀頭之間傳送光(測量光束)的送光側(光源側)及受光側(檢測器側)的光纖等通過臂構件Yl1的中空部內。此外，臂構件7^的例如亦可僅有光纖等通過的部分為中空，其他部分是以中實構件形成。
[0178]如前所述在晶片載臺WST配置于投影光學系統(tǒng)PL下方的狀態(tài)下，測量臂71A的臂構件前端部插入粗動載臺WCS的空間部內，如圖1及圖7所示，其上面對向于設在微動載臺WFS的下面(更正確而言為本體部81的下面)的光柵RG(圖1、圖7中未圖示，參照圖2(B)等)。臂構件的上面在與微動載臺WFS的下面之間形成有既定間隙(gap、clearance)、例如數(shù)_程度的間隙的狀態(tài)下與微動載臺WFS下面大致平行配置。
[0179]如圖17所示，第I背側編碼器系統(tǒng)70A包含分別測量微動載臺WFS的X軸、Y軸及Z軸方向的位置的一對三維編碼器73a、73b、測量微動載臺WFS的X軸及Z軸方向的位置的XZ編碼器73c、以及測量微動載臺WFS的Y軸及Z軸方向的位置的YZ編碼器73d。
[0180]XZ編碼器73c及YZ編碼器73d的各個具備分別收納于測量臂71A的臂構件Tl1內部的以X軸及Z軸方向為測量方向的二維讀頭、以及以Y軸及Z軸方向為測量方向的二維讀頭。以下，為了說明方便，將XZ編碼器73c及YZ編碼器73d分別具備的二維讀頭使用與各編碼器相同的符號而標記為XZ讀頭73c、YZ讀頭73d。此等XZ讀頭73c及YZ讀頭73d的各個，能使用與例如美國發(fā)明專利第7，561，280號說明書所揭示的位移測量讀頭相同構成的編碼器讀頭(以下適當簡稱為讀頭)。又，一對三維編碼器73a、73b具備分別收納于測量臂71A的臂構件7、內部的以X軸、Y軸及Z軸方向為測量方向的三維讀頭。以下，為了說明方便，將三維編碼器73a及73b分別具備的三維讀頭使用與各編碼器相同的符號而標記為三維讀頭73a、73b。作為三維讀頭73a、73b，能使用例如將XZ讀頭73c與YZ讀頭73d組合成各測量點(檢測點)為相同點且能進行X軸方向、Y軸方向及Z軸方向的測量而構成的三維讀頭。
[0181]圖8 (A)是以立體圖顯示臂構件前端部，圖8(B)顯示從+Z方向觀看臂構件71!的前端部上面的俯視圖。如圖8(A)及圖8(B)所示，一對三維讀頭73a、73b配置于相對臂構件Tl1的中心線CL成對稱的位置。一方的三維讀頭73a，是從在平行于X軸的直線LXl上位于從直線LYl (與位于從中心線CL起既定距離的Y軸平行)起等距離(設為距離a)位置的兩點(參照圖8 (B)的白圓圈)對光柵RG上照射測量光束LBxa1、LBxa2 (參照圖8 (A))。又，三維讀頭73a是在 直線LYl上位于從直線LXl起均為距離a的位置的兩點對光柵RG上照射測量光束LBya1' LBya2。測量光束LBxa1' LBxa2照射于光柵RG上的相同照射點，又，于該照射點亦被照射測量光束LBya1' LBya2。本實施形態(tài)中，測量光束LBxa1、LBxa2及測量光束LBya1' LBya2的照射點、亦即三維讀頭73a的檢測點(參照圖8(B)中的符號DPI) —致于照射于晶片W的照明光IL的照射區(qū)域(曝光區(qū)域)IA中心即曝光位置(參照圖1)。此處，直線LYl —致于上述的基準軸LV。
[0182]三維讀頭73b，是從在直線LXl位于從直線LY2 (相對中心線CL與直線LY成對稱)起均為距離a的位置的兩點(參照圖8 (B)的白圓圈)對光柵RG上照射測量光束LBxbpLBxb2 (參照圖8 (B)的白圓圈)。又，三維讀頭73b是在直線LY2上位于從直線LXl起均為距離a的位置的兩點對光柵RG上照射測量光束LBybpLBylv測量光束LBxbpLBxb2照射于光柵RG上的相同照射點，又，于該照射點亦被照射測量光束LBybpLBylv測量光束LBxb1'LBxb2及測量光束LBybpLByb2的照射點、亦即三維讀頭73b的檢測點(參照圖8 (B)中的符號DP2)是往曝光位置的一 X側分離既定距離的點。
[0183]XZ讀頭73c配置于往三維讀頭73a的+Y側分離既定距離的位置。如圖8(B)所示，XZ讀頭73c是在直線LY2 (位于從直線LXl起往+Y側既定距離，與X軸平行)上位于從直線LYl起均為距離a的位置的兩點(參照圖8(B)的白圓圈)對光柵RG上的共通照射點照射在圖8(A)中分別以虛線顯示的測量光束LBxCl、LBxc20測量光束LBxCl、LBxc2的照射點、亦即XZ讀頭73c的檢測點于圖8(B)以符號DP3顯示。
[0184]YZ讀頭73d配置于往三維讀頭73b的+Y側分離既定距離的位置。如圖8(B)所示，YZ讀頭73c是從配置于直線LY2上、位于從直線LX2起均為距離a的位置的兩點(參照圖8(B)的白圓圈)對光柵RG上的共通照射點照射在圖8(A)中分別以虛線顯示的測量光束LByCl、LByc20測量光束LByCl、LByc2的照射點、亦即YZ讀頭73d的檢測點于圖8(B)以符號DP4顯不。 [0185]在第I背側編碼器系統(tǒng)70A，通過使用光柵RG的X繞射格子及Y繞射格子測量微動載臺WFS的X軸、Y軸及Z軸方向的位置的一對三維讀頭73a、73b分別構成三維編碼器73a、73b，通過使用光柵RG的X繞射格子測量微動載臺WFS的X軸及Z軸方向的位置的XZ讀頭73c構成XZ編碼器73c，通過使用光柵RG的Y繞射格子測量微動載臺WFS的Y軸及Z軸方向的位置的YZ讀頭73d構成YZ編碼器73d。
[0186]第I背側編碼器系統(tǒng)70A的編碼器73a，73b, 73c, 73d的輸出經(jīng)由后述的切換部150A被供應至主控制裝置20 (參照圖16、圖17等)。
[0187]此處，根據(jù)圖10㈧~圖12⑶說明在第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出經(jīng)由切換部150A被供應至主控制裝置20時通過主控制裝置20使用第I背側編碼器系統(tǒng)70A進行的微動載臺WFS的六自由度方向的位置測量及XYZ網(wǎng)格的差分測量。
[0188]此處，作為前提，如圖10(A)所示將三維編碼器73a、73b的測量值分別設為(X1、Yl、Zl)、(X2、Y2、Z2)，將XZ編碼器73c的測量值設為(X3、Z3)，將YZ編碼器73d的測量值設為(Y3、Z4)。
[0189]本實施形態(tài)中，作為一例，如圖10⑶中涂滿所示般，乂1、￥1、￥2、21、及23用于微動載臺WFS的六自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θχ、0y、Θ z的各方向)的位置測量。具體而言，主控制裝置20使用Χ1、Υ1、Ζ1運算微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置，使用Yl、Υ2運算微動載臺WFS的θ ζ方向的位置，使用Zl、Ζ2運算微動載臺WFS的Θ y方向的位置，使用Zl與Z3運算微動載臺WFS的θ X方向的位置。
[0190]此處，本實施形態(tài)中，由于三維讀頭73a的檢測點DPl —致于曝光位置，因此是在該檢測點DPl測量微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置，而使用X1、Y1、Z1運算微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置。因此，在曝光位置例如一致于一對三維讀頭73a、73b的檢測點DP1、DP2中央的點時，主控制裝置20只要根據(jù)Xl與X2的平均值、Yl與Y2的平均值、Zl與Z2的平均值求出微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置即可。
[0191]又，主控制裝置20，是與上述的微動載臺WFS的六自由度方向的位置測量并行地進行以下的差分測量，求出第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)的X，Y，Z網(wǎng)格(網(wǎng)格誤差)。亦即，主控制裝置20如圖10⑶及圖1l(A)所示，使用Xl與X2求出對應X網(wǎng)格的X位置的偏移ΛΧ/δχ，如圖10⑶及圖11⑶所示，使用Xl與Χ3求出對應X網(wǎng)格的Y位置的偏移ΛΧ/δy。藉此，求出圖1l(C)所示的ΛΧ圖。
[0192]主控制裝置20，同樣的如圖10(B)所示，使用Υ2與Υ3求出對應Y網(wǎng)格的Y位置的偏移Λ Y/ δ y，使用Z3與TA求出對應Z網(wǎng)格的X位置的偏移Λ Z/ δ X，使用Ζ2與TA求出對應Z網(wǎng)格的Y位置的偏移Λ Z/ δ y。又，主控制裝置20雖使用Yl與Y2求出對應Y網(wǎng)格的X位置的偏移Λ Y/ δ χ，但此時，是使用Xl與Χ3運算微動載臺WFS的θ ζ方向的位置。藉此，求出如分別顯示于圖12(A)及圖12(B)的ΛΥ圖、ΛΖ圖。
[0193]主控制裝置20以既定取樣間隔，與上述微動載臺WFS的六自由度方向的位置測量并行地反復進行上述的差分測量，進行第I背側編碼器系統(tǒng)70Α的坐標系統(tǒng)的網(wǎng)格誤差的更新。以下，將此網(wǎng)格誤差的更新稱為第I背側編碼器系統(tǒng)70Α的坐標系統(tǒng)的再新。
[0194]因此，本實施形態(tài)中，主控制裝置20通過使用第I背側編碼器系統(tǒng)70Α，在將標線片R的圖案轉印至微動載臺WFS上所載置的晶片W的多個照射區(qū)域時，能隨時在緊挨曝光位置下方(微動載臺WFS的背面?zhèn)?進行微動載臺WFS的XY平面內的位置信息。
[0195]此情形下，上述的讀頭73a~73d，由于測量光束在空氣中的光路長極短且大致相等，因此幾乎能忽視空氣 波動的影響。因此，能通過第I背側編碼器系統(tǒng)70A高精度地測量微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息。又，第I背側編碼器系統(tǒng)70A的X軸、Y軸及Z軸方向的實質的光柵上的檢測點，由于分別一致于曝光區(qū)域IA的中心(曝光位置)，因此能抑制所謂阿貝誤差的產(chǎn)生至實質上能忽視的程度。因此，主控制裝置20，能通過使用第I背側編碼器系統(tǒng)70A，在無阿貝誤差的情形下高精度地測量微動載臺WFS的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向的位置。此外，第I背側編碼器系統(tǒng)70A雖亦可僅測量晶片臺WTB(或晶片載臺WST)的六自由度方向的位置信息，但最好能如本實施形態(tài)般，使用與六自由度方向的位置信息測量所必要的多個測量光束不同的至少一個測量光束來測量晶片臺WTB(或晶片載臺WST)的位置信息。
[0196]其次，說明構成第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA—部分的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的構成。第I頂側編碼器系統(tǒng)80A能與第I背側編碼器系統(tǒng)70A并行地測量微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息。
[0197]曝光裝置100中，如圖4所示，于投影單元PU(嘴單元32)的+X側、一 X側分別配置有一對讀頭部62A、62C。讀頭部62A、62C如后述分別包含多個讀頭，此等讀頭經(jīng)由支承構件以懸吊狀態(tài)固定于主支架BD (圖4中未圖示，參照圖1等)。
[0198]讀頭部62A、62C如圖4所不,具備各四個的四軸讀頭SS1~654，6七~644。于四軸讀頭65i~654的殼體內部，如圖5所示，收容有以X軸及Z軸方向作為測量方向的XZ讀頭65Xi~65X4、以及以Y軸及Z軸方向作為測量方向的YZ讀頭65Yi~65Y4。同樣地，于四軸讀頭61~644的殼體內部，收容有XZ讀頭64Xi~64X4、以及YZ讀頭64Yi~64Y4。XZ讀頭65X!~65X4及64Xi~64X4、以及YZ讀頭65Y!~65Y4及64Y!~64Y4的各個，能使用例如與美國發(fā)明專利第7，561，280號說明書所揭示的位移測量感測器讀頭相同構成的編碼器讀頭。
[0199]XZ讀頭65Xi~65X4，64Xi~64X4 (更正確而言，是XZ讀頭65\~65X4，64Xi~64X4所發(fā)出的測量光束的標尺3%，392上的照射點)，是以既定間隔WD配置于通過投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX (在本實施形態(tài)中亦與上述的曝光區(qū)域IA中心一致)且與X軸平行的直線(以下稱為基準軸)LH上。又，YZ讀頭65Yi~65Y4，64Yi~64Y4(更正確而言，是YZ讀頭65Yi~65Y4，64Yi~64Y4所發(fā)出的測量光束的標尺39。392上的照射點)，是于與基準軸LH平行且從基準軸LH往一 Y側分離既定距離的直線LH1上配置于與對應的XZ讀頭65Xi~65X4, 64Xi~64X4相同的X位置。以下，視必要情形將XZ讀頭65Xi~65X4, 64Xi~64X4及YZ讀頭SSY1~65Υ4，64Y!~64Y4亦分別標記為XZ讀頭65Χ，64Χ及YZ讀頭65Υ，64Υ。此外，基準軸LH —致于上述的直線LXl。
[0200]讀頭部62A、62C構成分別使用標尺3%，392測量晶片臺WTB的X軸方向位置(X位置)及Z軸方向位置(Z位置)的多眼(此處為四眼)的XZ線性編碼器、及測量Y軸方向位置(Y位置)及Z位置的多眼(此處為四眼)的YZ線性編碼器。以下為了說明方便，將此等編碼器使用與XZ讀頭65X，64X及YZ讀頭65Y，64Y分別相同的符號標記為XZ線性編碼器65X, 64X及YZ線性編碼器65Y, 64Y(參照圖17)。
[0201]本實施形態(tài)中，通過XZ線性編碼器65Χ與YZ線性編碼器65Υ構成測量晶片臺WTB在X軸、Y軸、Z軸及θχ的各方向的位置信息的多眼(此處為四眼)的四軸編碼器65(參照圖17)。同樣地，通過XZ線性編碼器64Χ與YZ線性編碼器64Υ構成測量晶片臺WTB在X軸、Y軸、Z軸及ΘΧ的各方向的位置信息的多眼(此處為四眼)的四軸編碼器64(參照圖17)。
[0202]此處，讀頭部62A、62C分別具備的四個XZ讀頭65X，64X(更正確而言，是XZ讀頭65X, 64X所發(fā)出的測量光束的標尺3%，392上的照射點)及四個YZ讀頭65Y，64Y(更正確而言，是YZ讀頭65Υ，64Υ所發(fā)出的測量光束的標尺3%，392上的照射點)的X軸方向的間隔WD，設定為較標尺3%，392的X軸方向寬度狹窄。因此，在曝光時等，分別四個的XZ讀頭65X, 64X, YZ讀頭65Y，64Y中至少各一個讀頭會隨時對向于對應的標尺3%，392 (對其照射測量光束)。此處，標尺的寬度是指繞射格子(或此形成區(qū)域)的寬度、更正確而言是指能通過讀頭測量位置的范圍。
[0203]是以，通過四軸編碼器65與四軸編碼器64，構成在晶片載臺WST位于曝光站200時測量粗動載臺WCS所支承的微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A。
[0204]構成第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的各編碼器的測量值經(jīng)由切換部150A被供應至主控制裝置20 (參照圖16、圖17等)。
[0205] 又，雖圖示省略，但主控制裝置20在將晶片載臺WST驅動于X軸方向時，是將測量晶片臺WTB的位置信息的XZ讀頭65X，64X及YZ讀頭65Y，64Y依序切換為相鄰的XZ讀頭65X, 64X及YZ讀頭65Y，64Y。亦即，為了順暢地進行此XZ讀頭及YZ讀頭的切換(接續(xù))，是如前所述，讀頭部62A、62C所含的相鄰的XZ讀頭及YZ讀頭的間隔WD設定為較標尺3%，392的X軸方向寬度狹窄。[0206]由至此為止的說明可知，本實施形態(tài)中，在晶片載臺WST位于曝光站200時，粗動載臺WCS所支承的微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息，能通過第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A并行地測量。
[0207]然而，第I頂側編碼器系統(tǒng)80A與第I背側編碼器系統(tǒng)70A各有如下所述的優(yōu)點、缺點。
[0208]第I頂側編碼器系統(tǒng)80A，由于會因板件28的變形及讀頭65X、64X、65Y、64Y的漂移等長期變動，而觀察到測量信號的靜態(tài)成分(包含極低頻帶的成分)的變動大、晶片臺WTB的剛性低、振幅大之處，而有頻率特性上不利等的缺點，相反地，具有機體的振動導致的影響小，除了極低頻帶以外，測量誤差較小等的優(yōu)點。
[0209]另一方面，第I背側編碼器系統(tǒng)70Α由于會觀察到光柵RG的變形及讀頭73a~73d的漂移等長期變動少、測量信號的靜態(tài)成分可靠性高且在高頻帶中微動載臺WFS的剛性高的部分，因此具有頻率特性上有利等的優(yōu)點，但由于測量臂71A(臂構件71J為懸臂支承構造且其長度為500mm或其以上，因此亦具有IOOHz~400Hz左右的頻帶的暗振動(機體的振動)影響大的缺點。
[0210]因此，本實施形態(tài)中，包含后述的曝光時在內，在晶片載臺WST位于曝光站200時，例如如圖13(A)所示，通過第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A并行地進行微動載臺WFS (晶片臺WTB)的位置信息的測量，而根據(jù)可靠性較高者的位置信息進行晶片臺WTB的位置控制。因此，第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A經(jīng)由切換部150A連接于主控制裝置20 (參照圖16、17等)。
[0211]于圖18顯示有切換部150A的具體構成一例。切換部150A具備:兩個切換開關部158a、158b ;并合濾波器部160,經(jīng)由切換開關部158a的一個輸出端子a被輸入第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號Fb，經(jīng)由切換開關部158b的一個輸出端子d被輸入第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號FT，并將并合位置信號Fh輸出至主控制裝置20。
[0212]切換開關部158a具有連接于第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸入端子(未圖示)與三個輸出端子a, b, c,切換連接輸入端子與三個輸出端子a, b, c的任一個。此情形下，輸出端子b連接于主控制裝置20，輸出端子c為均未連接的端子(以下稱開放端子)。
[0213]切換開關部158b具有連接于第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸入端子(未圖示)與三個輸出端子d, e, f,切換連接輸入端子與三個輸出端子d, e, f的任一個。此情形下，輸出端子e連接于主控制裝置20，輸出端子f為均未連接的端子。
[0214]切換開關部158a、158b的切換，是通過從主控制裝置20被輸入圖18中的虛線所示的切換信號(或選擇信號)來進行。主控制裝置20依據(jù)既定的處理演算法或依照來自外部的指令將切換信號(或選擇信號)輸入切換開關部158a、158b。
[0215]本實施形態(tài)中，切換部150A是通過主控制裝置20擇一地設定如下的四個狀態(tài)。
[0216]切換部150A被設定成切換開關部158a的輸入端子連接于輸出端子a、切換開關部158b的輸入端子連接于輸出端子d的第I狀態(tài)。切換部150A在此第I狀態(tài)下，是如后述將并合位置信號Fh輸出至主控制裝置20。
[0217]切換部150A被設定成切換開關部158a的輸入端子連接于輸出端子b、切換開關部158b的輸入端子連接于輸出端子e的第2狀態(tài)。切換部150A在此第2狀態(tài)下，是將第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號Fb、及第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號Ft輸出至主控制裝置20。
[0218]切換部150A被設定成切換開關部158a的輸入端子連接于輸出端子b、切換開關部158b的輸入端子連接于輸出端子f的第3狀態(tài)。切換部150A在此第3狀態(tài)下，是僅將第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號Fb輸出至主控制裝置20。
[0219]切換部150A被設定成切換開關部158a的輸入端子連接于輸出端子C、切換開關部158b的輸入端子連接于輸出端子e的第4狀態(tài)。切換部150A在此第4狀態(tài)下，是僅將第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號Ft輸出至主控制裝置20。
[0220]以下為了說明方便，將上述第1、第2、第3、第4狀態(tài)稱為切換部150A的第1、第2、第3、第4模式。亦即，切換部150A能擇一地設定對主控制裝置20的輸出的四個模式的模式設定部。
[0221]并合濾波器部160，在切換部150A被設定成上述第I模式時，是將第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號Fb與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號Ft作為輸入，將用于微動載臺WFS的位置控制的并合位置信號Fh輸出至主控制裝置20。
[0222]并合濾波器部160具備:第I濾波器部160a，具有分別被輸入第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號Fb的截止頻率為fCl的低通濾波器Lfc1與截止頻率為fc2(>fci)的高通濾波器HfC2，用以輸出分別通過該等兩個濾波器Lfc1與濾波器Hfc2的信號的加算信號；以及第2濾波器部160b，具有分別被輸入第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號Ft的截止頻率為fCl的高通濾波器Hfc1與截止頻率為fc2的低通濾波器Lfc2，用以輸出分別通過該等兩個濾波器Hfc1與濾波器Lfc2的信號的加算信號。并合濾波器部160將第I濾波器部160a的輸出與第2濾波器部160b的輸出的加算信號作為并合位置信號Fh輸出至主控制裝置20。
[0223]此處，截止頻率fCl，例如設定為較第I背側編碼器系統(tǒng)70A受到影響的暗振動的頻帶IOOHz?400Hz的下限頻率IOOHz低些許的頻率、例如50Hz。又，截止頻率fc2，例如設定為較第I背側編碼器系統(tǒng)70A受到影響的暗振動的頻帶IOOHz?400Hz的上限頻率400Hz高些許的頻率、例如500Hz。
[0224]在已如上述設定截止頻率fCl，fc2時，如圖13(B)中以實線所示，從并合濾波器部160在低于50Hz的低頻區(qū)輸出第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號(位置的測量結果)、在高于50Hz且低于500Hz的中頻帶輸出第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號(位置的測量結果)、在高于500Hz的高頻區(qū)輸出第I背側編碼器系統(tǒng)70A的輸出信號(位置的測量結果)而分別作為并合位置信號Fh。
[0225]藉此，在第I頂側編碼器系統(tǒng)80A會受到板件變形及讀頭的漂移影響而測量值可靠性會降低的低頻區(qū)，可將不受到此種影響而可靠性高的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的測量值作為晶片臺WTB的XY平面內的位置的測量結果輸出至主控制裝置20，在第I背側編碼器系統(tǒng)70A會受到暗振動的影響而測量值的可靠性降低的中頻區(qū)，可將不易受到此種影響而可靠性高的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量值作為晶片臺WTB的XY平面內的位置的測量結果輸出至主控制裝置20，而在因第I頂側編碼器系統(tǒng)80A觀察到晶片臺WTB剛性低且振幅大之處故頻率特性上不利的高頻區(qū)，可將頻率特性上有利的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的測量值作為晶片臺WTB的XY平面內的位置的測量結果輸出至主控制裝置20。主控制裝置20，能隨時根據(jù)可靠性高的晶片臺WTB的位置測量值，當晶片載臺WST位于曝光站200時驅動微動載臺WFS (位置控制)。[0226]如上述，本實施形態(tài)中，當切換部150A被設定為第I模式時，是在頻帶切換第I背側編碼器系統(tǒng)70A、第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量信息(測量信號)，其結果能根據(jù)可靠性較高者的測量信息進行晶片臺WTB的位置控制。此外，例如第I頂側編碼器系統(tǒng)80A在高頻區(qū)無頻率特性上不利的情形等，即不需要設定截止頻率fc2。此情形下，只要設置通過截止頻率fCl的高通濾波器與低通濾波器合成第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的輸出信號的并合位置信號的濾波器電路部即足夠。
[0227]又，切換部150A設定于例如第3模式或第4模式，是在明顯第I背側編碼器系統(tǒng)70A的測量信息可靠性較高的情形或第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量信息可靠性較高的情形
[0228]又，切換部150A設定于第2模式，是在必須將第I背側編碼器系統(tǒng)70A及第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量信息均擷取的情形。
[0229]此外，如上述，本實施形態(tài)中，由于當切換部150A設定于第I模式時，在中頻區(qū)是根據(jù)第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量值進行微動載 臺WFS的驅動(位置控制)，因此最好是進行以一對標尺3%，392的二維光柵設定的坐標系統(tǒng)的更新、亦即一對標尺3%，392的網(wǎng)格(網(wǎng)格誤差)的更新(以下稱第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)的再新)。
[0230]因此，主控制裝置20當晶片載臺WST位于曝光站200時、例如曝光中等，是以下述方式進行第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)的再新。
[0231]本實施形態(tài)的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的多個四軸讀頭65!~654，64!~644的關系，能如圖14(A)表示。此處，R” R2、R3、R4分別相當于四軸讀頭65^65^65^654, L1' L2、L3、L4分別相當于四軸讀頭64^64^64^64^
[0232]符號CtiQ = 1、2、3、4)，意指以Li與Ri懸吊的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)、亦即Li與Ri分別觀察標尺39” 392時，以緊挨第I背側編碼器系統(tǒng)70A的曝光位置下方的三維編碼器73a觀察的二維光柵RG上的區(qū)域所對應的局部坐標系統(tǒng)。若將從第I背側編碼器系統(tǒng)70A的整體坐標系統(tǒng)中心至Rl、R2、R3、R4的距離分別設為D1' D2, D3> D4，而Di+Dn) = W，則Cti的網(wǎng)格畸變Ai(X^yi)以次式(I)表示。此處，Δ是具有χ, y, ζ成分的三維向量。
[0233]Ai(Xi^yi) = 1/W.(Di Δ L (x” y)+D(5 — 0 Δ K (x” yj }…⑴
[0234]將式(I)中的(Xi^yi) 一般化而變形，則能得到次式(1)，。
[0235]WAi(X^y) = Di Δ L (χ、y) +Da^i) Δ Ε (χ、y)…⑴’
[0236]分別于式(I) ’的i代入1、2、3、4，則能得到次式(2)~式(5)。
[0237]WA1(X^y) = D1 Δ L (x、y) +D4 Δ K (x、y)…⑵
[0238]W Δ 2 (x^ y) = D2 Δ L (χ、y)+D3 Δ κ (χ、y)…(3)
[0239]W Δ 3 (χ、y) = D3 Δ L (χ、y) +D2 Δ κ (χ、y)…(4)
[0240]W Δ 4 (χ、y) = D4 Δ L (χ、y) +D1 Δ κ (χ、y)…(5)
[0241]從式⑵與式(5)的和與差得到兩個式，并解該兩個式，則能得到如下的兩個式。
[0242]AL(X>y) = WA1(X^y)ZD1
[0243]Δκ(χ、y) = WA4(x、y)/D4
[0244]同樣的，從式(3)與式(4)的和與差得到兩個式，并解該兩個式，則能得到如下的兩個式。[0245]AL(x、y) =WA2(x、y)/D2
[0246]Δ R(x> y) = ff Δ3(χ> y)/D3
[0247]因此，可知能從Cti的網(wǎng)格畸變Ai(Xpyi)求出如圖14⑶所示的標尺392，3%的網(wǎng)格畸變 AL(t、s)、AK(t、s)。
[0248]主控制裝置20，以既定間隔例如于各晶片的曝光中依據(jù)上述原理求出標尺392，3%的網(wǎng)格畸變\(t、s)、AK(t、s)并更新至少一次。亦即，于網(wǎng)格已更新的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)彼此配合第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的標尺的網(wǎng)格，藉此更新其網(wǎng)格。亦即，以此方式進行第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)的再新。
[0249]不過，主控制裝置20在第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)的再新時，針對坐標系統(tǒng)的六自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θχ、0y及Θ Z的各方向)的偏置不進行上述的彼此配合及更新，而直接保存。其理由在于，因無測量臂71A的機械性長期穩(wěn)定性且例如θ X、Θ y及Θ Z方向的位置測量所使用的多個讀頭的檢測點彼此間隔狹窄等，故第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)無六自由度方向的長期穩(wěn)定性，而第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)較為可靠。因此，在從背/頂差除去上述六自由度方向的偏置后，進行上述的再新處理。上述六自由度的偏置成分是在后述的后流(POST STREAM)處理使用。
[0250]其次，說明被位于測量站300的粗動載臺WCS可移動地保持的微動載臺WFS的位置信息測量所使用的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110B(參照圖16)的構成。
[0251]第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的第2背側編碼器系統(tǒng)70B，具備在晶片載臺WST配置于對準裝置99 (對準系統(tǒng)AL1，AL2i~AL24)下方的狀態(tài)下插入設在粗動載臺WCS內部的空間部內的測量臂71 B。
[0252]測量臂71B如圖9(A)所示，具有經(jīng)由支承構件72B以懸臂狀態(tài)支承于主支架BD的臂構件712與收容于臂構件712的內部的后述的編碼器讀頭(光學系統(tǒng))。測量臂71B雖臂構件712的長度較上述的臂構件7^長，但整體是與上述的測量臂71A概略構成為左右對稱。
[0253]如前所述在晶片載臺WST配置于對準裝置99 (對準系統(tǒng)AL1，AI^1~AL24)下方的狀態(tài)下，如圖9(A)所示，測量臂71B的臂構件712前端部插入粗動載臺WCS的空間部內，其上面對向于設在微動載臺WFS(晶片臺WTB)下面(更正確而言為本體部81的下面)的光柵RG(圖1、圖7中未圖示，參照圖2(B)等)。臂構件712的上面在與微動載臺WFS的下面之間形成有既定間隙(gap、clearance)、例如數(shù)mm程度的間隙的狀態(tài)下與微動載臺WFS下面大致平行配置。
[0254]如圖17所示，第2背側編碼器系統(tǒng)70B與上述的第I背側編碼器系統(tǒng)70A同樣地，包含分別測量微動載臺WFS的X軸、Y軸及Z軸方向的位置的一對三維編碼器75a、75b、測量微動載臺WFS的X軸及Z軸方向的位置的XZ編碼器75c、以及測量微動載臺WFS的Y軸及Z軸方向的位置的YZ編碼器75d。
[0255]XZ編碼器75c及XZ編碼器75d的各個具備分別收納于臂構件712內部的以X軸及Z軸方向為測量方向的二維讀頭、以及以Y軸及Z軸方向為測量方向的二維讀頭。以下，為了說明方便，將XZ編碼器75c及XZ編碼器75d分別具備的二維讀頭使用與各編碼器相同的符號而標記為XZ讀頭75c、YZ讀頭75d。三維編碼器75a、75b具備以X軸、Y軸及Z軸方向為測量方向的三維讀頭。以下，為了說明方便，將三維編碼器75a及75b分別具備的三維讀頭使用與各編碼器相同的符號而標記為三維讀頭75a、75b。作為上述的二維讀頭75c、三維讀頭75a、75b，能使用與上述的二維讀頭73c、73d、三維讀頭73a、73b相同的構成。
[0256]圖9 (B)是以立體圖顯示臂構件7IB的前端部。如圖9(B)所示，三維讀頭75a、75b及二維讀頭75c及75d，是以雖與上述的三維讀頭73a、73b及二維讀頭73c、73d為左右對稱但相同的位置關系配置于臂構件712的內部。一方的三維讀頭75a的檢測中心與對準位置亦即第一對準系統(tǒng)ALl的檢測中心一致。
[0257]第2背側編碼器系統(tǒng)70B的編碼器75a，75b, 75c, 75d的輸出經(jīng)由與上述的切換部150A相同構成的切換部150B供應至主控制裝置20 (參照圖16、圖17)。
[0258]當晶片載臺WST位于測量站300時，例如后述的晶片對準時等，主控制裝置20，是根據(jù)第2背側編碼器系統(tǒng)70B的讀頭75a~75d的合計十自由度的測量值，以既定取樣間隔反復進行與上述相同的晶片臺WTB的六自由度方向的位置測量及與此并行的與上述相同的差分測量，進行第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)的再新。此情形的位置測量及差分測量，只要將上述曝光位置置換為對準位置，則上述的說明可直接套用。
[0259]此外，本實施形態(tài)中，由于三維讀頭75a的檢測點一致于對準位置，而在該檢測點測量微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置，因此使用該三維讀頭75a的測量值，運算微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置。與此不同地，例如在對準位置一致于一對三維讀頭75a、75b的檢測點中央的點時，主控制裝置20只要根據(jù)該一對三維讀頭75a，75b的X軸、Y軸及Z軸方向各自的測量值的平均值，求出微動載臺WFS的X軸、Y軸、Z軸方向的位置即可。
[0260]又，第2背側編 碼器系統(tǒng)70B的X軸、Y軸、Z軸方向的實質的光柵RG上的檢測點由于分別一致于第一對準系統(tǒng)ALl的檢測中心(對準位置)，因此能抑制所謂阿貝誤差的產(chǎn)生至實質上能忽視的程度。因此，主控制裝置20，能通過使用第2背側編碼器系統(tǒng)70B，在無阿貝誤差的情形下高精度地測量微動載臺WFS的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向的位置。
[0261]其次，說明構成第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB —部分的第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的構成等。第2頂側編碼器系統(tǒng)80B能與第2背側編碼器系統(tǒng)70B并行地測量微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息。
[0262]曝光裝置100中，如圖4所示，于讀頭部62C、62A各自的一 Y側且與對準系統(tǒng)ALl, AL2i~AL24大致相同的Y位置，分別配置有讀頭部62E、62F。讀頭部62E、62F如后述分別包含多個讀頭，此等讀頭經(jīng)由支承構件以懸吊狀態(tài)固定于主支架BD。
[0263]讀頭部62F、62E如圖4所示，具備各四個的四軸讀頭SS1NeS4AT1NeT415于四軸讀頭68i~684的殼體內部，如圖5所示，與上述的四軸讀頭65i~654等同樣地收容有XZ讀頭68Xi~68X4與YZ讀頭68Yi~68Y4。同樣地，于四軸讀頭67i~674的殼體內部，收容有XZ讀頭67Xi~67X4與YZ讀頭67丫丨~67Y4。XZ讀頭68父丨~68Χ4及67Xi~67X4、以及YZ讀頭68Yi~68Y4及67Yi~67Y4的各個，能使用例如與美國發(fā)明專利第7，561，280號說明書所揭示的位移測量感測器讀頭相同構成的編碼器讀頭。
[0264]XZ讀頭67Xi~67X3，68X2~68X4 (更正確而言，是XZ讀頭67\~67X3，68X2~68X4所發(fā)出的測量光束的標尺3% 392上的照射點)，是沿上述的基準軸LA配置于與XZ讀頭GAX1~64X3，65X2~65X4的各個大致相同的X位置。
[0265]YZ 讀頭 67Yi ~67Y3，68Υ2 ~68Υ4 (更正確而言，是 YZ 讀頭 67Yi ~67Y3，68Υ2 ~68Υ4所發(fā)出的測量光束的標尺3% 392上的照射點)，是于與基準軸LA平行且從基準軸LA往一Y側分離既定距離的直線LA1上配置于與對應的XZ讀頭67Xi~67X3，68X2~68X4相同的X位置。
[0266]又，剩余的XZ讀頭STX4JSX1及YZ讀頭STY4JSY1，是在與XZ讀頭SAX4JSX1的各個大致相同的X位置，從基準軸LA、直線LA1往一 Y方向偏離相同距離而配置于第二對準系統(tǒng)AL2” AL24各自的檢測中心的一 Y側。以下，視必要情形將XZ讀頭68Xi~68X4, 67Xi~67X4及YZ讀頭SSY1~68Υ4，~67Y4亦分別標記為XZ讀頭68Χ，67Χ及YZ讀頭68Υ，67Υ。
[0267]讀頭部62F、62E構成分別使用標尺3%，392測量晶片臺WTB的X位置及Z位置的多眼(此處為四眼)的XZ線性編碼器、及測量Y位置及Z位置的多眼(此處為四眼)的YZ線性編碼器。以下為了說明方便，將此等編碼器使用與XZ讀頭68X，67X及YZ讀頭68Y，67Y分別相同的符號標記為XZ線性編碼器68X，67X及YZ線性編碼器68Y，67Y(參照圖17)。
[0268]本實施形態(tài)中，通過XZ線性編碼器68Χ與YZ線性編碼器68Υ構成測量晶片臺WTB在X軸、Y軸、Z軸及θχ的各方向的位置信息的多眼(此處為四眼)的四軸編碼器68(參照圖17)。同樣地，通過XZ線性編碼器67Χ與YZ線性編碼器67Υ構成測量晶片臺WTB在X軸、Y軸、Z軸及ΘΧ的各方向的位置信息的多眼(此處為四眼)的四軸編碼器67(參照圖17)。
[0269]此處，因與上述相同的理由，在對準測量時等，分別四個的XZ讀頭68Χ，67Χ, YZ讀頭68Υ，67Υ中至少各一個讀頭會隨時對向于對應的標尺39” 392 (對其照射測量光束)。是以，通過四軸編碼器68與四軸編碼器67，構成在晶片載臺WST位于測量站300時測量粗動載臺WCS所支承的微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息的第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β。
[0270]構成第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β的各編碼器的測量值經(jīng)由切換部150Β被供應至主控制裝置20 (參照圖16、圖17等)。
[0271]由至此為止的說明可知，本實施形態(tài)中，在晶片載臺WST位于測量站300時，粗動載臺WCS所支承的微動載臺WFS的六自由度方向的位置信息，能通過第2背側編碼器系統(tǒng)70Β與第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β并行地測量。
[0272]又，切換部150Β與切換部150Α同樣地，通過主控制裝置20被設定第I~第4模式。又，在被設定第1、第3、第4模式時，依據(jù)該模式的設定，通過并合濾波器部160，第2背側編碼器系統(tǒng)70Β及第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β的測量值中可靠性較高者的測量值被供應至主控制裝置20，根據(jù)其測量值，在晶片載臺WST位于測量站300時進行晶片臺WTB的驅動(位置控制)。
[0273]又，主控制裝置20與上述同樣地，于網(wǎng)格已更新的第2背側編碼器系統(tǒng)70Β的坐標系統(tǒng)彼此配合第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β的標尺的網(wǎng)格，藉此進行第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β的坐標系統(tǒng)的再新。
[0274] 此外，關于第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的第2背側編碼器系統(tǒng)70Β、第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β，除了至此為止所說明的內容以外，能直接適用先前的第I背側編碼器系統(tǒng)70Α、第I頂側編碼器系統(tǒng)80Α的說明。
[0275]此處，雖說明前后對調，但針對在后述的聚焦映射時視必要用于測量微動載臺WFS(晶片臺WTB)的Y軸、Z軸、Θ y、θ ζ的各方向的位置的第3背側編碼器系統(tǒng)70C(參照圖 16)。[0276]于測量臂71B的臂構件712，如圖9⑶所示，以將從三維讀頭75a、75b各自的檢測中心往+Y側分離相同距離的點作為各自的檢測中心的方式，一對YZ讀頭77a、77b配置于臂構件712的內部。+X側的YZ讀頭77a的檢測中心，一致于AF中心、亦即上述的多點AF系統(tǒng)(90a、90b)的檢測中心。通過此一對YZ讀頭77a、77b構成第3背側編碼器系統(tǒng)70C。
[0277]第3背側編碼器系統(tǒng)70C的輸出經(jīng)由與上述的切換部150A相同構成的切換部150C被供應至主控制裝置20 (參照圖16、圖17等)。在第3背側編碼器系統(tǒng)70C的輸出經(jīng)由切換部150C被供應至主控制裝置20時，在主控制裝置20，根據(jù)以YZ讀頭77a測量的Y軸及Z軸方向的位置信息求出微動載臺WFS(晶片臺WTB)的Y位置及Z位置，根據(jù)以一對YZ讀頭77a、77b測量的Y軸方向及Z軸方向的位置信息求出微動載臺WFS (晶片臺WTB)的θζ方向的位置(θ ζ旋轉)及Θ y方向的位置(Θ y旋轉)。
[0278]此外，在對準中心一致于一對三維讀頭75a、75b的檢測點中心時，AF中心設定為一致于一對YZ讀頭77a、77b的檢測點中心。因此，此情形下，主控制裝置20從以一對YZ讀頭77a、77b測量的Y軸及Z軸方向的位置信息的平均值求出微動載臺WFS(晶片臺WTB)的Y位置及Z位置。
[0279]此外，第3背側編碼器系統(tǒng)70C，雖讀頭位置或數(shù)目等多少有點差異，但除了至此為止的說明以外，基本上能同樣地適用先前的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的說明。
[0280] 本實施形態(tài)中，對應第3背側編碼器系統(tǒng)70C而亦設有第3頂側編碼器系統(tǒng)80C。第3頂側編碼器系統(tǒng)80C如圖4所示，包含相對基準軸LV配置成對稱的一對四軸讀頭66p662。一對四軸讀頭66ρ662，分別配置于四軸讀頭683的+Y側的位置、四軸讀頭672的+Y側的位置，經(jīng)由支承構件以懸吊狀態(tài)固定于主支架BD。一對四軸讀頭66ρ662的各個，如圖5所示，與上述的四軸讀頭SSpeSiAeiASi同樣地，包含沿Y軸方向配置有各自的檢測點的XZ讀頭66Χρ66Χ2與YZ讀頭66Υρ66Υ2。一對四軸讀頭66ρ662各自具有的XZ讀頭66Χ”66Χ2的檢測點的Y位置一致于AF光束的檢測中心的Y位置(直線LA2上)。又，XZ讀頭66Χ2的檢測點的X位置位于較XZ讀頭67Χ2的檢測點略靠+X側，XZ讀頭66Xi的檢測點的X位置位于較XZ讀頭68X3的檢測點略靠一 X側。一對四軸讀頭66ρ662構成分別使用標尺391； 392測量晶片臺WTB的X軸、Y軸、Z軸及θ χ的各方向的位置信息的一對四軸編碼器。通過此一對四軸編碼器構成第3頂側編碼器系統(tǒng)80C。
[0281]構成第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的各編碼器的測量值經(jīng)由與切換部150Α相同構成的切換部150C被供應至主控制裝置20 (參照圖16、圖17等)。
[0282]本實施形態(tài)中，能通過第3頂側編碼器系統(tǒng)80C與第3背側編碼器系統(tǒng)70C并行地測量晶片臺WTB(微動載臺WFS)在四自由度方向(Y軸、Z軸、θ ζ及Θ y的各方向)的位
置信息。
[0283]又，切換部150C與切換部150A同樣地，通過主控制裝置20被設定第I~第4模式。又，在被設定第1、第3、第4模式時，依據(jù)該模式的設定，通過并合濾波器部160，第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的測量值中可靠性較高者的測量值被供應至主控制裝置20。
[0284]不過，在后述的聚焦映射時，晶片載臺WST位于測量站300，與聚焦映射并行地進行晶片對準測量，至此對準測量結束為止的期間，微動載臺WFS (晶片臺WTB)的六自由度方向的位置，是通過主控制裝置20根據(jù)第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的上述并合位置信號而被伺服控制，第3頂側編碼器系統(tǒng)80C、第3背側編碼器系統(tǒng)70C的測量值主要作為聚焦映射的測量數(shù)據(jù)使用。又，在晶片對準測量結束后，從晶片臺從第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量范圍脫離至聚焦映射結束為止的期間，是通過主控制裝置20根據(jù)第3頂側編碼器系統(tǒng)80C及/或第3背側編碼器系統(tǒng)70C的測量值進行微動載臺WFS的驅動(位置的伺服控制)。
[0285]本實施形態(tài)中，進一步設有用以在晶片載臺WST從聚焦映射的結束位置移動至曝光站200時測量該移動中的晶片臺WTB的六自由度方向的位置的第4頂側編碼器系統(tǒng)80D(參照圖16)。第4頂側編碼器系統(tǒng)80D如圖4所示，包含于Y軸方向在讀頭部62A與讀頭部62F中間的位置往X軸方向及Y軸方向偏離配置的一對三維讀頭79p792。一對三維讀頭7%、792經(jīng)由支承構件以懸吊狀態(tài)固定于主支架BD。如圖5所示，一對三維讀頭7\、792的各個包含排列配置于Y軸方向的XZ讀頭79Xp79X2、Y讀頭79Yp79Y2。Y讀頭79Υρ79Υ2是以Y軸方向作為測量方向的一維讀頭。此情形下，XZ讀頭79Χρ79Χ2的X位置設定于分別與XZ讀頭SSX2AeX1相同的位置。Y讀頭79Yp79Y2的各個，能使用例如美國發(fā)明專利申請公開第2008/0088843號說明書等所揭示的繞射干涉型編碼器讀頭。
[0286]一對三維讀頭791、792，構成均使用標尺3%測量晶片臺WTB的X軸，Y軸及Z軸方向的位置信息的一對三維編碼器79A、79B(參照圖16)。此一對三維編碼器79A、79B的測量值被供應至主控制裝置20。一對三維讀頭7%、792能在晶片臺WTB的X軸方向的中心位置一致于基準軸LV時使用相同的標尺3%測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置。通過一對三維編碼器79A、79B構成第4頂側編碼器系統(tǒng)80D。
[0287]此外，第4頂側編碼器系統(tǒng)80D，雖讀頭位置或數(shù)目等多少有點差異，但除了至此為止的說明以外，基本上能同樣地適用先前的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的說明。
[0288]本實施形態(tài)的曝光裝置100，如圖4所示，于基準軸LV上曝光位置與對準位置間的既定位置、例如基準軸LV上與三維讀頭7%的XZ讀頭79Xi大致相同的Y位置設定有卸載位置UPl，在往卸載位置UPl的一 X側相隔既定距離的位置設定有待機位置UP2。又，在基準軸LV上于對準位置的一 Y側設定有裝載位置LP。
[0289]于卸載位置UPl及待機位置UP2、以及該等的附近區(qū)域，如圖15所示配置有卸載裝置170。卸載裝置170安裝于在主支架BD周圍與主支架BD振動上分離而配置的例如被未圖示的支承構件支承于地面上的俯視矩形框狀的支架FL。
[0290]卸載裝置170，具備固定于支架FL的下面(一 Z側的面)且往相對Y軸成例如既定角度α (α例如為10度未滿的既定角度)的方向延伸的第I臂171、其長度方向一端面固定于第I臂171的長度方向一端部(+Y側端面)的一側面(+X側面)的往X軸方向延伸的第2臂172、能沿第2臂172的長度方向移動的第I卸載滑件170Α、以及能沿第I臂171的長度方向移動的第2卸載滑件170Β。
[0291]第I臂171由在長度方向一端對向于支架FL的一 X側邊部的Y軸方向中央附近、且長度方向另一端對向于支架FL的一 X側邊部的一 Y側端部的狀態(tài)下與支架FL下面對向配置的棒狀構件構成。第I臂171其上面全面或多處固定于支架FL的下面。于第I臂171下面(背面)沿長度方向設有未圖示的導件，且與該導件平行地配置有未圖示的固定件。
[0292]第2臂172由具有與第I臂171大致相同長度的棒狀構件構成。第2臂172以相對第I臂171在XY平面內成(90° - α)角度的狀態(tài)固定于第I臂171的長度方向一端部(+Y側端部)的一側面(+X側面)。于第2臂172的下面(背面)，與第I臂171同樣地沿長度方向設有未圖示的導件，且與該導件平行地配置有未圖示的固定件。
[0293]第I卸載滑件170A具備于第2臂172背面沿上述導件可移動地設置的第I滑動構件173、以及配置于第I滑動構件173下方且可通過設于第I滑動構件173的垂直移動驅動部176垂直移動的俯視X字狀的晶片把持部174 (參照例如圖36 (A))。于第I滑動構件173內藏有與配置于上述第2臂172的固定件一起構成第I滑件驅動用線性電機的可動件。
[0294]如圖15所示，晶片把持部174具備由組合成俯視X字形的一對棒狀構件構成的本體部174a、以及分別安裝于本體部174a的四個前端部的四個把持部174b。
[0295]構成本體部174a的一對棒狀構件的長度方向尺寸略較晶片W的直徑長，一對棒狀構件配置成彼此在長度方向中央以既定角度相交。本體部174a，一對棒狀構件的交點部分固定于垂直移動驅動部176的驅動軸下面。
[0296]此處，本體部174a的一對棒狀構件由于只要四個把持部174b把持晶片載臺WST上的晶片W即可，因此可通過于一方的棒狀構件的中央部上面(或下面)形成槽且將另一方的棒狀構件插入該槽內，而將兩者固定成各個棒狀構件的上面(或下面)高度相同，亦可將另一方的棒狀構件固定于一方的棒狀構件的下面。在一對棒狀構件的高度相異的位置將一對棒狀構件彼此連接的情形(例如將另一方的棒狀構件固定于一方的棒狀構件的下面的情形)，最好是調整設于一方的棒狀構件兩端的把持部174b的Z軸方向長度、或作成一方的棒狀構件兩端部與另一方的棒狀構件兩端部高度相同的凸(或往下方凸出)形狀的構件等，來將四個把持部174b各自的下端部的Z軸方向位置對齊。
[0297]四個把持部174b的各個，于其下端部設有能支承晶片背面的爪部。四個把持部174b的各個，能經(jīng)由未圖示的驅動機構沿安裝有該等的棒狀構件滑動。亦即，四個把持部174b能開閉(參照圖36(C))。
[0298]本實施形態(tài)中，包含上述的第I滑件驅動用線性電機、垂直移動驅動部176及把持部174b的開閉用的上述驅動機構在內，構成第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A(參照圖16)。
[0299]第2卸載滑件170B具備于第I臂171背面沿上述導件可移動地設置的第2滑動構件175、以及配置于第2滑動構件175下方且可通過設于第2滑動構件175的垂直移動旋轉驅動部179垂直移動及繞Z軸被旋轉驅動的Y字保持部177 (參照例如圖32 (A))。于第2滑動構件175內藏有與配置于上述第I臂171的固定件一起構成第2滑件驅動用線性電機的可動件。
[0300]如圖15所示，Y字保持部177由具有俯視Y字形狀的薄板構件構成、于其上面具有通過真空吸附(或靜電吸附)吸附保持晶片W的未圖示吸附部。Y字保持部177，XY平面內的大小較晶片W小些許，在吸附部上保持有晶片W的狀態(tài)下Y字形狀的前端部(亦即前端分割部)位于晶片W的外緣內。Y字保持部177在垂直移動旋轉驅動部179的驅動軸下端固定有與Y字形狀的前端部相反側的端部。
[0301]本實施形態(tài)中，包含上述的第2滑件驅動用線性電機、垂直移動旋轉驅動部179在內，構成第2卸載滑件驅動系統(tǒng)180B(參照圖16)。
[0302]第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A及第2卸載滑件驅動系統(tǒng)180B被主控制裝置20控制(參照圖16)。此外，卸載裝置不限于上述的構成，只要能保持晶片W移動即可。又，晶片W的卸載位置亦不限于投影光學系統(tǒng)PL與對準裝置99之間，例如，亦可如后述的實施形態(tài)，相對對準裝置99在與投影光學系統(tǒng)PL相反側進行卸載。
[0303]圖16，是顯示以曝光裝置100的控制系統(tǒng)為中心構成，統(tǒng)籌控制構成各部的主控制裝置20的輸出入關系的方塊圖。主控制裝置20包含工作站(或微計算機)等，系統(tǒng)籌控制曝光裝置100的構成各部。圖17顯示圖16的第1、第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110A、IlOB的具體構成一例。又，圖18顯示有圖16的切換部150A的構成一例。
[0304]其次，根據(jù)圖19?圖37說明本實施形態(tài)的曝光裝置100中使用晶片載臺WST與測量載臺MST的并行處理動作。此外，以下動作中，是通過主控制裝置20，以上述方式進行局部液浸裝置8的液體供應裝置5及液體回收裝置6的控制，藉以隨時將水充滿于緊挨投影光學系統(tǒng)PL的前端透鏡191下方。不過，以下為了使說明易于理解，省略與液體供應裝置5及液體回收裝置6的控制相關的說明。又，之后的動作說明雖會利用到多個圖式，但于各圖式中有時會對同一構件賦予符號，有時則不會賦予。亦即各圖式所記載的符號雖相異，但不論該等圖式中有無符號，均為同一構成。此點與截至目前為止的說明中所使用的各圖式亦相同。又，圖19以后簡化顯示測量載臺MST。
[0305]又，第I至第3背側編碼器系統(tǒng)70A?70C及第I至第4頂側編碼器系統(tǒng)80A?80D的各讀頭、多點AF系統(tǒng)、對準系統(tǒng)等，雖是在使用該等時或在其使用的前一刻從OFF狀態(tài)設定成ON狀態(tài)，但在以后的動作說明中，此點相關的說明省略。
[0306]又，作為前提條件，切換部150A、150B例如均設定為第I模式，切換部150C例如設定為第2模式。亦即，從第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA將對應于第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的并合位置信號Fh的測量值(以下除特別必要的情形以夕卜，均稱為第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA的測量值)對主控制裝置20輸出，從第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB將對應于第2背側編碼器系統(tǒng)70B與第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的并合位置信號Fh的測量值(以下除特別必要的情形以外，均稱為第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值)對主控制裝置20輸出。又，來自第3背側編碼器系統(tǒng)70C及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的各自的輸出信號(測量值)對主控制裝置20輸出。
[0307]圖19顯示晶片載臺WST位于裝載位置LP，測量載臺MST位于緊挨投影光學系統(tǒng)PL下方的狀態(tài)。此時，測量臂71B插入晶片載臺WST的空間部內，晶片臺WTB的背面(光柵RG)對向于測量臂71B。在此裝載位置LP，新的曝光前的晶片W(此處是例舉某批量(一批量為25片或50片)中間的晶片)以下述順序被裝載于晶片載臺WST上。
[0308]此時，曝光前的晶片W，是在對前晶片結束后述的流(STREAM)處理后、曝光開始前的時點，已在裝載位置LP被上述的夾具單元120支承，并被維持其支承狀態(tài)。具體而言，如圖20 (A)所示，晶片W通過位于裝載位置LP中既定高度位置的貝努里夾具124保持既定距離(間隙)被以非接觸方式吸附(保持或支承)，且其背面外周部的兩處被一對支承板128從下方接觸支承，而被限制六自由度方向的移動。又，晶片W通過冷卻板123被控制溫度成既定溫度例如23 °C。
[0309]主控制裝置20，首先如圖20(B)所示，經(jīng)由驅動器142使上述的垂直動銷140上升。接著，三支垂直動銷140在抵接于貝努里夾具124所支承的晶片W的背面后，在維持其底接狀態(tài)的情形下停止上升。三支垂直動銷140，在上端面位于其移動范圍的最下端位置即第2位置以外時，是通過未圖示的彈簧被往+Z方向以一定的力按壓。[0310]其次，主控制裝置20經(jīng)由垂直移動旋轉驅動部127使一對支承板128稍微下降而從晶片W的背面離開，且如圖20(C)所示使之旋轉既定角度并位于第2旋轉位置。通過上述的一對支承板128從晶片W的背面離開，新的晶片W即從被支承板128支承的狀態(tài)移行至被垂直動銷140支承的狀態(tài)。此外，貝努里夾具124對晶片W的吸附(保持或支承)在此狀態(tài)下亦繼續(xù)進行，通過貝努里夾具124的吸附(保持或支承)與垂直動銷140的來自下方的支承產(chǎn)生的摩擦力，晶片W被限制六自由度方向的移動。又，冷卻板123對晶片W的控制溫度亦持續(xù)。
[0311]其次，如圖20(D)所示，主控制裝置20控制驅動部122及一對垂直移動旋轉驅動部127將夾具本體130及一對支承板128往下方驅動。此情形下，經(jīng)由上述彈簧的力的對三支垂直動銷140的向上的力作為預壓力對晶片W施予。因此，通過夾具本體130被往下方驅動，晶片W被往下方按壓，而克服其預壓力將三支垂直動銷140下壓。亦即，以此方式，晶片W在相對貝努里夾具124維持既定間隙的狀態(tài)下與夾具本體130及三支垂直動銷140 —起下降。接著，在晶片W的背面抵接于晶片保持具(晶片臺WTB)后，主控制裝置20解除貝努里夾具124對晶片W的吸附(保持或支承)，使晶片W吸附保持于晶片保持具。藉此，可實質地抑制或防止晶片W彎曲的發(fā)生并將之保持于晶片保持具。亦即，貝努里夾具124不僅有搬送功能，亦具備上述的控制溫度功能及預對準功能、進而有彎曲矯正(修正)功能。此彎曲修正功能，由于是將保持于晶片保持具的晶片W平坦化，因此亦稱為平坦化功能。此外，雖以貝努里夾具124保持的晶片W是實質上不彎曲而維持平坦，但例如亦可通過貝努里夾具124在使其保持的晶片W的至少一部分產(chǎn)生彎曲的狀態(tài)下將晶片W移交至晶片保持具，其結果可抑制或防止保持于晶片保持具的晶片W的彎曲。又，亦可設置在貝努里夾具124所保持的晶片W的全面或一部分檢測出Z方向的位置信息或彎曲信息的檢測裝置(例如上述的間隙感測器等)，主控制裝置20使用此檢測結果而通過貝努里夾具124將其保持的晶片W無彎曲地維持于平坦、 或在至少一部分使彎曲產(chǎn)生。再者，貝努里夾具124對晶片W的吸附解除，雖亦可在晶片保持具對晶片W的吸附開始前進行，但例如為了晶片W的彎曲修正(平坦化)，亦可在與晶片保持具對晶片W的吸附開始同時或吸附開始后進行。又，主控制裝置20亦可與三支垂直動銷140對晶片W的支承解除同時開始晶片保持具對晶片W的吸附保持，或亦可在三支垂直動銷140對晶片W的支承解除前開始晶片保持具對晶片W的吸附保持。
[0312]此處，主控制裝置20，亦可在貝努里夾具124對晶片W的吸附(保持或支承)解除前，對其背面(下面)抵接(接觸)于晶片保持具(晶片臺WTB)的晶片W的一部分或全部通過夾具本體130從上方施予向下的力。此處，向下的力意指重力以外的力。作為施予此向下的力的方法，例如可考慮到使從貝努里夾具124噴出的氣體流量及/或流速增加、或使貝努里夾具124的下面與晶片W的表面的間隙(GAP)較其之前的夾具本體130下降時的既定間隙狹窄等。不論是何種方式，晶片W在被施予向下的力后或被施予向下的力同時，被晶片保持具吸附保持。藉此，實質上抑制或防止晶片保持具所保持的晶片W的彎曲產(chǎn)生。
[0313]又，主控制裝置20亦可將晶片保持具的吸引狀態(tài)控制成，晶片保持具對晶片W的吸附保持以具有時間差的方式進行、例如隨著從周邊部往中心部以具有時間差的方式開始或隨著從一側往其相反側以具有時間差的方式開始。特別是后者的情形，亦可使晶片保持具(晶片臺WTB)往θ χ及/或Θ y方向傾斜。通過將此種晶片保持具對晶片W的吸附保持與貝努里夾具124對晶片W的彎曲修正組合實施，晶片W即在其彎曲實質上被抑制或防止的情形下保持于晶片保持具。
[0314]本實施形態(tài)中，在上述的夾具本體130及三支垂直動銷140的下降中，攝影元件129的攝影信號被送至信號處理系統(tǒng)116 (參照圖16)，晶片W的位置偏移與旋轉誤差的信息被供應至主控制裝置20 (參照圖16)。此外，三支垂直動銷140亦可與貝努里夾具124 (夾具本體130)同步地被往下方驅動，亦可不同步地被往下方驅動。特別是后者的情形，主控制裝置20亦可使三支垂直動銷140的下降速度與夾具本體130的下降速度不同以將晶片W平坦化。此情形下，例如將上述的間隙感測器配置于貝努里夾具124的多處，主控制裝置20亦可使用該多個間隙感測器檢測出晶片W的變形狀態(tài)(例如往上側成凸形，往下側成凸形等)，并根據(jù)其檢測結果，使三支垂直動銷140的下降速度與夾具本體130的下降速度不同。
[0315]本實施形態(tài)中，從圖20(A)可知，由于在晶片臺WTB返回到裝載位置LP的時點維持垂直動銷140已上升既定量的狀態(tài)，因此與垂直動銷140收納于晶片保持具內部的情形相較，能更短時間進行晶片裝載。圖19顯示晶片W被裝載于晶片臺WTB上的狀態(tài)。
[0316]本實施形態(tài)中，如圖19所示，裝載位置LP設定于測量板30上的基準標記FM定位于第一對準系統(tǒng)ALl的視野(檢測區(qū)域)內的位置(亦即，進行第一對準系統(tǒng)ALl的基線測量(Pr1- BCHK)的前半處理的位置)。
[0317]此處，所謂Pr1- BCHK的前半處理，意指如以下的處理。亦即，主控制裝置20以第一對準系統(tǒng)ALl檢測(觀察)位于上述的測量板30中央的基準標記FM，并將該第一對準系統(tǒng)ALl的檢測結果與該檢測時的微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值賦予對應關系后儲存于存儲器。
[0318]本實施形態(tài)中，是與晶片W的裝載動作的至少一部分并行地進行Pr1- BCHK的前半處理。
[0319]此時，測量載臺MST是以測量臺MTB的背面(光柵RGa)對向于測量臂71A的狀態(tài)卡合于測量臂71A。又，于測量臺MTB與投影光學系統(tǒng)PL之間形成有液體Lq形成的液浸區(qū)域14。
[0320]又，此時，先前曝光結束的晶片(設為Wtl)是在待機位置UL2的既定高度的位置被保持于第2卸載滑件170B的Y字保持部177。此晶片Wtl的待機狀態(tài)，維持至開始次一晶片W的曝光、晶片載臺WST成為從待機位置UL2下方退避的狀態(tài)為止。
[0321 ] 其次，主控制裝置20根據(jù)晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A的測量值驅動粗動載臺WCS，且根據(jù)第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值一邊伺服控制晶片臺WTB的位置、一邊開始晶片載臺WST的從裝載位置LP往曝光站200的+Y方向的移動動作。此晶片載臺WST的往+Y方向的移動，首先，例如是往檢測附設于三個第一對準照射區(qū)域的對準標記(以下簡稱為第一對準標記)的位置開始。此時，晶片臺WTB的六自由度方向的位置，是根據(jù)第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值來伺服控制。此外，粗動載臺WCS，雖在曝光站200、測量站300及其間的任一區(qū)域均根據(jù)以晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A測量的位置信息而在XY平面內被驅動，但以下省略關于此點的說明。
[0322]接著，在往+Y方向的移動中，在晶片載臺WST到達圖21所示的位置、亦即來自測量板30的送光系統(tǒng)90a的檢測光束照射于測量板30的位置后，主控制裝置20即停止晶片載臺WST，進行聚焦校準前半的處理。
[0323]亦即，主控制裝置20 —邊檢測出以上述的第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的一對XZ讀頭66X1； 66X2檢測的晶片臺WTB在X軸方向一側與另一側端部的表面位置信息(標尺3%，392的Z位置信息)，一邊以從該等信息取得的基準平面為基準，使用多點AF系統(tǒng)(90a，90b)檢測出上述的測量板30表面的表面位置信息。藉此，求出在晶片臺WTB的中心線一致于基準軸LV的狀態(tài)下的一對XZ讀頭66Xi，66X2的測量值(晶片臺WTB在X軸方向一側與另一側端部的表面位置信息)與多點AF系統(tǒng)(90a，90b)在測量板30表面的檢測點(多個檢測點中位于中央或其附近的檢測點)的檢測結果(表面位置信息)的關系。
[0324]又，本實施形態(tài)中，由于進行上述的聚焦校準前半的處理的晶片臺WTB的位置與進行檢測出三個第一對準標記的處理的晶片臺WTB的位置一致，因此主控制裝置20與聚焦校準前半的處理并行地使用第一對準系統(tǒng)AL1、第二對準系統(tǒng)AL22，AL23大致同時且分別地檢測出三個第一對準標記(參照圖21中的星標記)，將上述的三個對準系統(tǒng)AL1，AL22，AL23的檢測結果與該檢測時的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值賦予關聯(lián)后存放于未圖示的存儲器。此外，此情形的三個第一對準標記的同時檢測，是通過使晶片臺WTB的Z位置變化，一邊變更多個對準系統(tǒng)AL1 ，AI^1~AL24與晶片臺WTB所載置的晶片W之間的在Z軸方向(聚焦方向)的相對位置關系、一邊進行。以下說明的第二對準照射區(qū)域以后的各對準照射區(qū)域所附設的對準標記的檢測亦相同。
[0325]此外，在進行聚焦校準前半的處理的晶片臺WTB的位置與進行檢測出第一對準標記的處理的晶片臺WTB的位置不一致的情形，主控制裝置20只要將此等處理依晶片臺WTB到達進行各處理的位置的順序依序進行即可。
[0326]其次，通過主控制裝置20開始晶片載臺WST往+Y方向的移動(例如往檢測附設于五個第二對準照射區(qū)域的對準標記(以下簡稱為第二對準標記)的位置的步進移動)。
[0327]接著，在晶片載臺WST更往+Y方向移動，到達圖22所示的位置后，即使用五個對準系統(tǒng)AL1，AIA~八1^24大致同時且分別地檢測出五個第二對準標記(參照圖22中的星標記)，將上述的五個對準系統(tǒng)AL1，AIA~AL24的檢測結果與該檢測時的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值賦予關聯(lián)后存放于未圖示的存儲器。
[0328]又，本實施形態(tài)中，如圖22所示，在檢測此第二對準標記的位置，來自送光系統(tǒng)90a的檢測光束開始照射于晶片W。因此，是在第二對準標記的檢測后，主控制裝置20開始使用第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的四軸讀頭66ρ662、以及多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的聚焦映射。
[0329]此處，說明以本實施形態(tài)的曝光裝置100進行的聚焦映射。在此聚焦映射時，主控制裝置20例如如圖22所示，根據(jù)分別對向于標尺3%，392的第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的兩個四軸讀頭66ρ662的測量值管理晶片臺WTB的XY平面內的位置。在此圖22的狀態(tài)下，為通過晶片臺WTB中心(大致一致于晶片W的中心)的與Y軸平行的直線(中心線)一致于基準軸LV的狀態(tài)。
[0330]接著，在此狀態(tài)下，主控制裝置20在晶片載臺WST往+Y方向行進的期間，以既定取樣間隔擷取以兩個四軸讀頭66ρ662的各個測量的晶片臺WTB表面(板件28表面)的X軸方向兩端部(一對第2撥水板28b)在Y軸及Z軸方向的位置信息與以多點AF系統(tǒng)(90a, 90b)檢測的多個檢測點中晶片W表面在Z軸方向的位置信息(表面位置信息)，并使該擷取的各信息相互賦予對應關系依序存放于未圖示的存儲器。
[0331]接著，在多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的檢測光束不照射于晶片W后，主控制裝置20結束上述的取樣，將多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的各檢測點的表面位置信息，換算為以同時擷取的以兩個四軸讀頭66ρ662各個測量的在Z軸方向的位置信息作為基準的數(shù)據(jù)。
[0332]進一步詳述此點，根據(jù)一方的四軸讀頭66i的Z位置的測量值，取得板件28的一X側端部附近的區(qū)域(形成有標尺392的第2撥水板28b)上的既定點(相當于與多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的多個檢測點排列大致相同的X軸上的點:以下將此點稱為左測量點)的表面位置信息。又，根據(jù)另一方的四軸讀頭66i的Z位置的測量值，取得板件28的+X側端部附近的區(qū)域(形成有標尺3%的第2撥水板28b)上的既定點(相當于與多點AF系統(tǒng)(90a, 90b)的多個檢測點排列大致相同的X軸上的點:以下將此點稱為右測量點)的表面位置信息。因此，主控制裝置20是將多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的各檢測點的表面位置信息，換算為以連結左測量點的表面位置與右測量點的表面位置的直線(以下稱為臺面基準線)作為基準的表面位置數(shù)據(jù)。此種換算，主控制裝置20是針對所有取樣時擷取的信息進行。
[0333]此處，本實施形態(tài)的曝光裝置100，能與上述的第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的測量并行地，通過第3背側編碼器系統(tǒng)70C測量在Y軸方向、Z軸方向及Qy方向(以及ΘΖ方向)的晶片臺WTB(微動載臺WFS)的位置信息。因此，主控制裝置20，以與上述的以兩個四軸讀頭66ρ662的各個測量的晶片臺WTB表面(板件28表面)的X軸方向兩端部在Y軸及Z軸方向的位置信息與以多點AF系統(tǒng)(90a，90b)檢測的多個檢測點中晶片W表面在Z軸方向的位置信息(表面位置信息)的擷取相同的時點，亦擷取通過第3背側編碼器系統(tǒng)70C的在上述各方向(X、Y、Z、0y(及ΘΖ))的位置的測量值。接著，主控制裝置20，求出從同時擷取的第3頂側編碼器系統(tǒng)80C的測量信息得到的臺面基準線的數(shù)據(jù)(Ζ、Θ y)與第3背側編碼器系統(tǒng)70C的測量信息(Ζ、ΘΥ)的關系。藉此，能將以上述臺面基準線作為基準的表面位置數(shù)據(jù)，換算為 以通過背面測量而得的晶片臺WTB的Z位置及Θ y旋轉所決定的、對應上述臺面基準線的基準線(以下為了說明方便，稱之為背面測量基準線)作為基準的表面位置數(shù)據(jù)。
[0334]通過以此方式預先取得上述的換算數(shù)據(jù)，例如在曝光時等以上述的XZ讀頭64X及65X測量晶片臺WTB表面(形成有標尺392的第2撥水板28b上的點、以及形成有標尺3%的第2撥水板28b上的點)，算出晶片臺WTB的Z位置與相對XY平面的傾斜(主要為Θ y旋轉)。通過使用此算出的晶片臺WTB的Z位置與相對XY平面的傾斜與上述的表面位置數(shù)據(jù)(以臺面基準線作為基準的表面位置數(shù)據(jù))，而不需實際取得晶片W表面的表面位置信息即能進行晶片W的表面位置控制。因此，由于即使將多點AF系統(tǒng)配置于離開投影光學系統(tǒng)PL的位置亦不會有任何問題，因此即使是作業(yè)距離(曝光時的投影光學系統(tǒng)PL與晶片W的間隔)較窄的曝光裝置等，亦能非常合適地適用本實施形態(tài)的聚焦映射。
[0335]以上，是以在晶片臺WTB表面不存在凹凸為前提下的說明。然而，于晶片WTB表面、亦即形成有標尺39Y2的第2撥水板28b的表面及形成有標尺391的第2撥水板28b的表面等有凹凸。然而，即使是如上述于晶片臺WTB表面存在有凹凸時，在晶片W的子午線(與通過晶片中心的Y軸平行的直線)上的點仍能以極高精度進行表面位置控制。
[0336]其理由在于，在進行聚焦映射時(晶片載臺WST往+Y方向移動時)，位于晶片W的子午線上的照射區(qū)域，在曝光時等與聚焦映射相較是在不使晶片載臺WST(晶片臺WTB)移動于X軸方向的情況下配置于曝光位置(投影光學系統(tǒng)PL下)。在子午線上的照射區(qū)域到達曝光位置時，檢測點配置于與XZ讀頭66\大致相同的X位置的XZ讀頭65X3、以及檢測點配置于與XZ讀頭66X2大致相同的X位置的XZ讀頭64X2，檢測在與聚焦映射時XZ讀頭66Xi及XZ讀頭66X2分別檢測表面位置信息的晶片臺WTB上的點大致相同的點的表面位置信息。亦即，作為多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的表面位置信息檢測基準的一對XZ讀頭所測量的基準面(使臺面基準線于Y軸方向連續(xù)而成的面)，在聚焦映射時與曝光時為相同。因此，即使于晶片臺WTB表面產(chǎn)生凹凸或起伏等，在對子午線上的照射區(qū)域進行曝光時可不用考量該凹凸或起伏等，可將聚焦映射時所得到的Z位置直接作為Z位置使用，而能在曝光時進行晶片的聚焦控制，因此能進行高精度的聚焦控制。
[0337]同樣的，在子午線上的照射區(qū)域到達曝光位置時，其檢測點設定于平行于與YZ讀頭77a檢測點相同的Y軸的直線(基準軸LV)上的三維讀頭73a、以及其檢測點設定于平行于與YZ讀頭77b檢測點相同的Y軸的直線上的三維讀頭73b，檢測在與聚焦映射時YZ讀頭及YZ讀頭分別檢測表面位置信息的光柵RG上的點相同的點的Z位置，并根據(jù)此檢測結果，進行Z、Qy的算出。亦即，作為多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的表面位置信息檢測基準的使上述的背面測量基準線于Y軸方向連續(xù)而成的面(以下稱為背面測量基準面)，在聚焦映射時與曝光時是根據(jù)相同點的Z位置的測量值被算出。
[0338]在對子午線上以外的照射區(qū)域進行曝光時，當于晶片臺WTB表面無凹凸及起伏等的情況下，雖可確保與上述子午線上的照射區(qū)域相同程度的聚焦控制精度，但當于晶片臺WTB表面有凹凸或起伏等的情況下，聚焦控制精度則取決于后述的導線檢核(traversecheck)的精度。
[0339]此外，本實施形態(tài)中，當晶片載臺WST到達檢測第二對準標記的位置時，由于來自送光系統(tǒng)90a的檢測光束開始照射于晶片W，而在該位置開始聚焦映射。然而，在晶片載臺WST到達檢測第二對準標記的位置前或其后來自送光系統(tǒng)90a的檢測光束開始照射于晶片W的情形，只要在檢測第二對準標記前或其后該檢測光束開始照射于晶片W的時點開始聚焦映射即可。
[0340]返回至并行動作的說明。通過上述的為聚焦映射的晶片載臺WST往+Y方向的移動，晶片載臺WST到達圖23所示的位置時，主控制裝置20即使晶片載臺WST在該位置停止。接著，主控制裝置20使用例如五個對準系統(tǒng)AL1，AIA?AL24大致同時且分別檢測出附設于五個第三對準照射區(qū)域的對準標記(以下簡稱為第三對準標記)(參照圖23中的星標記)，并將上述五個對準系統(tǒng)AL1，AIA?AL24的檢測結果與進行該檢測時的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值賦予關聯(lián)后儲存于未圖示存儲器。又，在此時點亦繼續(xù)進行聚焦映射。
[0341]其次，主控制裝置20開始使晶片載臺WST往+Y方向移動向檢測附設于例如三個第一對準照射區(qū)域的對準標記(以下簡稱為第一對準標記)的位置。此時仍繼續(xù)進行聚焦映射。
[0342]接著，當晶片載臺WST到達圖24所示的位置時，主控制裝置20即立即使晶片載臺WST停止，且使用第一對準系統(tǒng)AL 1、第二對準系統(tǒng)AL22，AL23大致同時且分別檢測出附設于晶片W上的三個第一對準標記(參照圖24中的星標記)，并將上述三個對準系統(tǒng)ALl, AL22, AL23的檢測結果與進行該檢測時的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值賦予關聯(lián)后儲存于未圖示存儲器。
[0343]接著，主控制裝置20使用以上述方式獲得的合計十六個對準標記的檢測結果與所對應的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值，經(jīng)由例如美國發(fā)明專利第4，780, 617號說明書所揭示的EGA方式進行統(tǒng)計運算，算出EGA參數(shù)(X偏置、Y偏置、正交度、晶片旋轉、晶片X定標、晶片Y定標等)。
[0344]在上述的晶片對準(至少至第一對準標記的位置測量為止的處理)結束后，主控制裝置20使晶片載臺WST往圖27所示的位置、亦即晶片載臺WST與測量載臺MST在Y軸方向接觸或隔著例如300 μ m左右的分離距離接近的狀態(tài)(以下稱為接觸或接近的狀態(tài))的開始位置移動。此移動是通過以主控制裝置20在液體不接觸于晶片臺WTB的狀態(tài)下使晶片載臺WST以長行程一口氣往+Y方向高速移動來進行。又，在此移動的途中，由于晶片載臺WST從第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量范圍脫離，因此主控制裝置20在其之前將用于晶片臺WTB位置的伺服控制的測量系統(tǒng)從第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB切換成第4頂側編碼器系統(tǒng)80D。
[0345]主控制裝置20，在上述長行程的晶片載臺WST的+Y方向的高速移動開始后一刻，繼續(xù)進行聚焦映射。接著，在來自多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的檢測光束從晶片W表面脫離時，即如圖25所示結束聚焦映射。
[0346]在上述的一邊使晶片載臺WST往+Y方向直線移動一邊進行對準測量及聚焦映射的處理(以下稱為流(STREAM)處理)中，主控制裝置20與上述的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)的再新及第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)的再新同樣地，進行第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)的再新及第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的坐標系統(tǒng)的再新。
[0347]現(xiàn)在，在對 準時等支配在測量站300的晶片臺WTB的姿勢者為第2背側編碼器系統(tǒng)70B。然而，基于與先前針對第I背側編碼器系統(tǒng)70A所說明者相同的理由，并無法期待第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)的六自由度方向的長期穩(wěn)定性。然而，整體的ey方向的位置(橫搖量)及θζ方向的位置(偏搖量)的變動會影響對準測量的結果。因此，主控制裝置20是在上述長行程的晶片載臺WST的+Y方向的高速移動中結束流(STREAM)處理的時點，開始其次說明的后流(POST STREAM)流處理，進行使用此后流處理結果的對準運算(使用EGA參數(shù)的晶片上所有照射區(qū)域的排列坐標的算出)及聚焦映射結果所包含的背面測量基準面的修正。
[0348]此處，所謂后流處理，意指將EGA結果及聚焦映射的結果所含的以下的誤差要因參數(shù)a.~C.置換為用以下的d.說明的0y、Θ Z及X軸方向定標偏置的運算處理。
[0349]a.整體的Θ y的偏置:聚焦映射結果所含的通過使用第3背側編碼器系統(tǒng)70C的背面測量而得的晶片臺的Qy方向的位置(07旋轉量)；
[0350]b.整體的θ ζ的偏置:EGA參數(shù)所含的正交度/晶片的旋轉；
[0351]c.整體的X軸方向定標偏置:EGA參數(shù)所含的晶片的X軸方向定標；
[0352]d.第2頂側編碼器系統(tǒng)80B及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C從在流處理中所觀測的所有數(shù)據(jù)的平均算出的ey、θζ、及χ軸方向定標的偏置。
[0353]此處，X軸方向定標，是將對準測量所使用的XZ讀頭67Χ2，68Χ2間或XZ讀頭67Χ3, 68Χ3間的距離(軸間隔)考量為不變，并以此為基準，以XZ讀頭67Χ2，68Χ2或67&，68Χ3測量已進行對第2背側編碼器系統(tǒng)70Β的坐標系統(tǒng)的彼此配合的第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β的標尺39” 392的格子間隔，將該格子間隔相對上述基準的倍率作為X軸方向定標。
[0354]通過如上述的后流處理，其結果并非使用在標尺3% 392上的特定一點的測量結果來使晶片臺WTB的姿勢重置，而是將從在標尺3% 392全面的測量結果平均得到的晶片臺WTB的平均姿勢用于對準運算(EGA參數(shù)中正交度/晶片的旋轉、晶片的X軸方向定標被置換為上述的d.的θ ζ及X軸方向定標的使用EGA運算式的晶片上所有照射區(qū)域的排列坐標的算出)。此對準運算的結果，可通過平均化效果，而較使用在標尺31，392上的特定一點的測量結果來使姿勢重置的情形更為可靠。
[0355]不僅僅使用頂側編碼器系統(tǒng)來進行在流處理中的θ ζ方向及Θ y方向的位置測量的理由如下的e.~h.。
[0356]e.藉此方式，對準(及聚焦映射)僅為頂側編碼器系統(tǒng)，而曝光則為背側編碼器系統(tǒng)中心，導致兩者的基準(雖已相互配合但)完全不同。
[0357]f.即使僅是寬度狹窄的帶狀部分(與三維讀頭75a、75b的檢測點彼此的X軸方向間隔相同寬度的帶狀部分)，亦可想見于對準亦使用背側編碼器系統(tǒng)的方式較佳。
[0358]g.能期待背側編碼器系統(tǒng)的坐標系統(tǒng)的再新處理的精度。其結果，能隨時保持正確的網(wǎng)格、平坦的平面。此情形下，即使是寬度狹窄的帶狀部分的測量，只要能除去Qy及θ ζ的偏置，則以背側編碼器系統(tǒng)作為基準的方式較佳。
[0359]h.頂側編碼器系統(tǒng)雖反應背側編碼器系統(tǒng)的信息，但精度上并非完全。
[0360]其次說明導線檢核(traverse check)。首先，說明導線檢核為必要的主要原因的流處理特有的誤差要因。
[0361]在流處理中，由上述的說明可清楚得知，晶片載臺WST由于是在與Y軸平行的直線上移動，因此無法取得在X軸方向不同點的晶片臺(微動載臺WFS)的位置信息(X，Y，Z)。因此，即使在第2背側編碼器系統(tǒng)70Β的坐標系統(tǒng)的再新中，亦無法取得上述的ΛΧ/δχ、ΔΥ/δχ> ΔΖ/δΧο亦即，在曝光時，通過上述的第I背側編碼器系統(tǒng)70Α的坐標系統(tǒng)的再新，該坐標系統(tǒng)整體被即時更新，網(wǎng)格誤差在坐標系統(tǒng)整體被即時修正，相對于此，在對準時，即使進行第2背側編碼器系統(tǒng)70Β的坐標系統(tǒng)的再新，該坐標系統(tǒng)由于除了通過晶片的X軸方向中心的Y軸方向的直線上以外部分不被更新，其結果，網(wǎng)格誤差在該直線上以外的部分不會被即時修正。此結果，在對準時管理晶片載臺的位置的對準時坐標系統(tǒng)與曝光時管理晶片載臺的位置的曝光時坐標系統(tǒng)會產(chǎn)生誤差。亦即，此即流處理特有的誤差要因。
[0362]因此，主控制裝置20是在處理批量內的25或50片晶片的期間以預先決定的頻度(視必要情況的頻度)進行如下述的導線檢核。
[0363]在導線檢核時，主控制裝置20是在上述的流處理中，晶片載臺WST于Y軸方向到達例如圖28所示的位置時，一邊根據(jù)第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的測量值管理晶片臺WTB的六自由度方向的位置使晶片載臺WST于X軸方向在既定范圍內(晶片臺WTB的中心線在以基準軸LV為中心的既定寬度(較標尺39。392的寬度及對準系統(tǒng)AL21、AL24的檢測區(qū)域相互間的距離寬的寬度)的范圍內在X軸方向位移的范圍內)步進驅動，一邊使用五個對準系統(tǒng)AL1，AL2,~AL24依序測量位于晶片W的中心附近的相同對準標記。又，主控制裝置20，在上述的晶片載臺WST的X軸方向移動中，是以既定取樣間隔同時擷取檢測晶片臺WTB的一對第2撥水板28b表面的區(qū)域(標尺3%，392表面)的表面位置信息的一對XZ讀頭66Χρ66Χ2的測量值與多點AF系統(tǒng)(90a，90b)對晶片W的表面位置信息的檢測值。[0364]通過此種導線檢核，能校準第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的坐標系統(tǒng)(第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的坐標系統(tǒng)及第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng))與多點AF系統(tǒng)(90a, 90b)及對準系統(tǒng)AL1，AI^1~AL24的關系。具體而言如下所述。
[0365]A.通過上述的在既定范圍內的晶片載臺WST的X軸方向移動，能取得在X軸方向不同點的晶片臺WTB (微動載臺WFS)的位置信息(X，Y, Z)，即使在第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)的再新中，亦能取得上述的ΛΧ/δχ、Λ Y/δχ、ΛΖ/δχ，其結果，第2背側編碼器系統(tǒng)70Β的坐標系統(tǒng)的再新及基于此的第2頂側編碼器系統(tǒng)80Β的坐標系統(tǒng)的再新的結果成為精度更為良好者。
[0366]B.通過上述的位于晶片W的中心附近的相同對準標記的測量，第一對準系統(tǒng)ALl與第二對準系統(tǒng)AL2i~AL24的檢測中心相互的位置關系、亦即第二對準系統(tǒng)AL2i~AL24的基線是在第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的坐標系統(tǒng)上求出。
[0367]C.在不同的取樣時求出針對多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的各檢測點的表面位置信息與同時擷取的一對XZ讀頭66&、66&的測量值(表面位置信息)的關系，從該求出的多個關系,在第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的坐標系統(tǒng)上求出標尺391; 392表面在X軸方向的凹凸。不過，為了正確地求出此標尺3%，392表面在X軸方向的凹凸，多點AF系統(tǒng)(90a，90b)必須在事前調整感測器間偏置。
[0368]接著，主控制裝置20在后述的曝光時，使用上述的第二對準系統(tǒng)AL2i~AL24的基線進行晶片臺WTB相對曝光位置的位置對齊，且一邊加入標尺表面在X軸方向的凹凸信息等作為修正量、一邊進行晶片W的 聚焦控制。
[0369]亦即，本實施形態(tài)中，主控制裝置20是以上述方式，通過使晶片載臺WST實際移動于X軸方向來修正因上述的流處理特有的誤差要因所導致的晶片臺WTB的位置誤差。
[0370]與上述的后流處理并行地，如圖25中虛線箭頭所示，以如下順序進行將次一晶片(設為晶片W1)搬入上述的夾具單元120下方的動作。
[0371]作為開始晶片搬入的如提，如圖25所不，搭載有曝光如的晶片W的晶片載臺WST位于完全從裝載位置LP脫離的位置(裝載位置LP的+Y側位置)。又，此時，一對支承板128如圖26(A)所示，位于上述的第2旋轉位置。
[0372]首先，主控制裝置20驅動晶片搬送臂132，將新的(曝光前的)晶片W1從外部裝置搬入位于裝載位置LP的貝努里夾具124下方的一對驅動軸126間的空間(參照圖26 (A))。
[0373]其次，主控制裝置20控制夾具單元120的驅動部122及晶片搬送臂132，將夾具本體130與晶片搬送臂132的至少一方往Z軸方向驅動至貝努里夾具124與新的晶片W1成為既定距離、例如數(shù)Pm左右(參照圖26(A)中的白箭頭)。此時，貝努里夾具124與新的晶片W1的距離通過上述的未圖示的間隙感測器測量。
[0374]在貝努里夾具124與新的晶片W1成為既定距離后，如圖26 (B)所示，主控制裝置20調整從貝努里夾具124吹出的空氣的流速以使貝努里夾具124與新的晶片W1維持既定距離(間隙)。藉此，經(jīng)由數(shù)μ m左右的間隙(gap、clearance)，晶片W1通過貝努里夾具124從上方被以非接觸方式吸附保持。在通過貝努里夾具124吸附保持晶片W1后，晶片W1經(jīng)由冷卻板123被調整成既定溫度。
[0375]在晶片W1被貝努里夾具124吸附保持后，如圖26(C)所示，主控制裝置20經(jīng)由一對垂直移動旋轉驅動部127使一對支承板128與軸126 —體旋轉至第I旋轉位置，且將夾具本體130與一對支承板128于Z軸方向往兩者接近的方向相對驅動既定量而通過一對支承板128使晶片W1的背面接觸支承。
[0376]接著，如圖26(D)所示，主控制裝置20使晶片搬送臂132從晶片W1離開而從裝載位置LP退避。此時，新的晶片W1通過貝努里夾具124與一對支承板128被限制六自由度方向的移動。此外，晶片搬送臂132的從晶片W1的分離與一對支承板128對晶片W1的接觸，其順序亦可相反。不論是何者，晶片W1被維持其支承狀態(tài)至前晶片W的曝光結束、晶片載臺WST返回裝載位置LP且該晶片W1的裝載開始為止。
[0377]再度返回至并行處理動作的說明。通過上述的長行程的晶片載臺WST的+Y方向的高速移動，晶片載臺WST到達圖27所示的位置時，即往測量載臺MST與晶片載臺WST接觸或接近的狀態(tài)移行。在此接觸或接近的狀態(tài)，測量臺MTB的一 Y側端面與晶片臺WTB的+Y側端面接觸或接近。主控制裝置20 —邊保持該接觸或接近的狀態(tài)，一邊將兩載臺WST，MST往+Y方向驅動。伴隨此移動，液浸區(qū)域14的水從測量臺MTB上移動至晶片臺WTB上。
[0378]接著，在兩載臺WST，MST到達圖29所示的測量板30配置于緊挨投影光學系統(tǒng)PL下方的位置時，主控制裝置20即使兩載臺WST，MST停止，進行Pri — BCHK后半的處理及聚焦校準后半的處理。
[0379]此處，所謂Pri — BCHK后半的處理，意指使用包含測量板30的上述的空間像測量裝置45測量被投影光學系統(tǒng)PL投影的標線片R(或標線片載臺RST上的未圖示標記板)上的一對測量標記的投影像(空間像)的處理。此情形，例如可與美國發(fā)明專利申請公開第2002/0041377號說明書等揭示的方法同樣的，經(jīng)由使用一對空間像測量狹縫圖案SL的狹縫掃描方式的空間像測量動作，分別測量一對測量標記的空間像，并將該測量結果(與晶片臺WTB的XY位置對應的空間像強度)儲存于存儲器。在進行此Pr1- BCHK的后半處理時，晶片臺WTB在XY平面內的位置，是根據(jù)第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA的測量值測量控制。
[0380]又，所謂聚焦校準后半的處理，意指以通過測量晶片臺WTB在X軸方向一側與另一側的端部的表面位置信息的一對XZ讀頭65X2，64X3測量的表面位置信息作為基準，一邊控制測量板30 (晶片臺WTB)在投影光學系統(tǒng)PL的光軸方向的位置(Z位置)，一邊使用空間像測量裝置45以狹縫掃描方式測量標線片R上的測量標記的空間像，并根據(jù)其測量結果測定投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置的處理。
[0381]此時，由于液浸區(qū)域14形成于投影光學系統(tǒng)PL與測量板30 (晶片臺WTB)之間，因此上述空間像的測量是經(jīng)由投影光學系統(tǒng)PL及液體Lq進行。又，空間像測量裝置45的測量板30等搭載于晶片載臺WST (晶片臺WTB)，受光元件等搭載于測量載臺MST，因此上述空間像的測量是在保持晶片載臺WST與測量載臺MST接觸或接近的狀態(tài)下進行。
[0382]通過上述測定，求出在晶片臺WTB的中心線與基準軸LV —致的狀態(tài)下的一對XZ讀頭65X2，64X3的測量值(亦即，晶片臺WTB在X軸方向一側與另一側端部的表面位置信息)。此測量值，是與投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置對應。
[0383]在進行上述的Pr1- BCHK后半的處理及聚焦校準后半的處理后，主控制裝置20根據(jù)上述的Pri — BCHK前半的處理的結果與Pri — BCHK后半的處理的結果，算出第一對準系統(tǒng)ALl的基線。又，與此同時，主控制裝置20根據(jù)在聚焦校準前半的處理所得的晶片臺WTB的中心線與基準軸LV —致的狀態(tài)下的一對XZ讀頭66\，66Χ2的測量值(晶片臺WTB在X軸方向一側與另一側端部的表面位置信息)與多點AF系統(tǒng)(90a, 90b)在測量板30表面的檢測點(多個檢測點中位于中央或其附近的檢測點)的檢測結果(表面位置信息)的關系、以及與在上述的聚焦校準后半的處理所得的投影光學系統(tǒng)PL的最佳聚焦位置對應的晶片臺WTB的中心線與基準軸LV—致的狀態(tài)下的一對XZ讀頭65X2，64X3的測量值(亦即，晶片臺WTB在X軸方向一側與另一側端部的表面位置信息)，求出多點AF系統(tǒng)(90a，90b)的代表檢測點中的偏置，并通過上述的光學手法將多點AF系統(tǒng)的檢測原點調整成該偏置成為零。
[0384]此情形下，就產(chǎn)能提升的觀點來看，亦可僅進行上述的Pr1- BCHK后半的處理及聚焦校準后半的處理的一方，亦可不進行兩方的處理而移行至次一處理。當然，在不進行Pr1- BCHK后半的處理的情形，亦無需進行上述的Pri — BCHK前半的處理。
[0385]在以上作業(yè)結束后，如圖30所示，主控制裝置20使測量載臺MST往+X方向且+Y方向驅動，解除兩載臺WST，MST接觸或接近的狀態(tài)。
[0386]接著，主控制裝置20進行步進掃描方式的曝光，將標線片圖案轉印至新的晶片W上。此曝光動作，是通過主控制裝置20，根據(jù)事前進行的晶片對準(EGA)的結果(將從在上述的標尺31，392全面的測量結果平均所得的平均姿勢用于對準運算而算出的晶片W上所有照射區(qū)域的排列坐標)、及對準系統(tǒng)ALl (及AIA?AL24)的最新基線等，反復將晶片載臺WST往為了晶片W上的各照射區(qū)域曝光的掃描開始位置(加速開始位置)移動的照射間移動動作、以及以掃描曝光方式將形成于標線片R的圖案轉印于各照射區(qū)域的掃描曝光動作，藉此來進行。此外，上述曝光動作是在于前端透鏡191與晶片W之間保持有液體(水)Lq的狀態(tài)下進行。
[0387]又，本實施形態(tài)中，例如由于最初曝光的第I照射區(qū)域被設定于位于晶片W的一 X側半部的+Y端部的照射區(qū)域，因此首先為了往該加速開始位置移動，晶片載臺WST是如圖30中黑箭頭所示往+X方向且+Y方向移動。
[0388]接著，沿著如圖31中黑箭頭所示的路徑，一邊使晶片載臺WST移動一邊將晶片的一 X側半部的區(qū)域依從+Y側的照射區(qū)域往一 Y側的照射區(qū)域的順序曝光。
[0389]為了進行上述的晶片的一 X側半部的區(qū)域的曝光，晶片載臺WST沿著如圖31中黑箭頭所示的路徑往+Y方向移動后，即使使在待機位置UP2保持有曝光完畢的晶片Wtl的第2卸載滑件170B的Y字保持部177下降，亦無與晶片載臺WST干涉之虞。因此，主控制裝置20在此時點，如圖32(A)所示將保持于Y字保持部177的晶片Wtl以下述順序搬送至與晶片搬送系統(tǒng)的移交位置。
[0390]亦即，主控制裝置20將保持有晶片Wtl的Y字保持部177如圖32 (B)中黑箭頭所示經(jīng)由第2卸載滑件驅動系統(tǒng)180B下降驅動既定量后，如圖32(C)中黑箭頭所示，往一 Y方向沿第I臂171驅動(參照圖31中的白箭頭)。在此驅動的途中，當晶片Wtl到達圖31中虛線所示的位置后，即使持起晶片W1亦無干涉讀頭部62E等之虞。因此，主控制裝置20在該時點以后，經(jīng)由第2卸載滑件驅動系統(tǒng)180B，一邊如圖32(D)中兩個黑箭頭所示使保持有晶片Wtl的Y字保持部177上升既定量，一邊移動至與晶片搬送系統(tǒng)的移交位置。以此方式，晶片Wtl被搬送至與晶片搬送系統(tǒng)的移交位置。
[0391]與上述的晶片W。往移交位置的搬送并行地，主控制裝置20 —邊沿著如圖33、圖34中黑箭頭所示的路徑使晶片載臺WST移動、一邊將晶片W的+X側半部區(qū)域依自一 Y側的照射區(qū)域往+Y側的照射區(qū)域的順序曝光。藉此，在晶片W上的所有照射區(qū)域的曝光結束的時點，晶片載臺WST返回至與曝光開始前的位置大致相同位置。
[0392]本實施形態(tài)中，雖采用上述的照射區(qū)域的曝光順序，但在為了進行該曝光的晶片載臺WST移動的路徑整體長度設為依照相同的照射圖將相同大小的晶片曝光的情形，與例如美國發(fā)明專利申請公開第2008/0088843號說明書等所揭示的現(xiàn)有液浸掃描器等并無大差另1J。
[0393]上述曝光中，將第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA的測量值、亦即分別對向于標尺391； 392的四軸讀頭65、64的測量值、亦即上述的通過第I頂側編碼器系統(tǒng)80A對六自由度方向的位置信息的測量結果(位置的測量值)及通過第I背側編碼器系統(tǒng)70A對六自由度方向的位置信息的測量結果(位置的測量值)中可靠性較高的測量值作為上述的并合位置信號供應至主控制裝置20，根據(jù)從該并合位置信號得到的晶片臺WTB在六自由度方向的位置信息進行晶片臺WTB的位置的伺服控制。又，在此曝光中的晶片臺WTB的Z軸方向的位置、Θ y旋轉及θ χ旋轉的控制(晶片W的聚焦調平控制)是根據(jù)事前進行的上述的聚焦映射的結果(以標尺基準面作為基準 的表面位置信息或以使用后流處理結果修正后的背面測量基準面作為基準的表面位置信息)來進行。
[0394]又，主控制裝置20，是在曝光中以既定取樣間隔進行使用了上述的多余軸的測量值的差分測量的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)的再新，并至少進行一次于該已再新的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)彼此配合第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的標尺3%，392的網(wǎng)格的該坐標系統(tǒng)的再新。
[0395]在上述的步進掃描方式的曝光動作中，在晶片載臺WST往X軸方向移動后，伴隨該移動進行第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的上述讀頭的切換(多個讀頭間的測量值的接續(xù))。如此，主控制裝置20依照晶片載臺WST的位置坐標，適當切換所使用的第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的編碼器，來執(zhí)行載臺控制。
[0396]與上述的晶片的+X側半部的照射區(qū)域的曝光并行地，被搬送至移交位置的曝光完畢的晶片Wtl，為了搬出裝置外而被未圖示的搬送機械臂交至晶片搬送系統(tǒng)(未圖示)。
[0397]在晶片W的曝光結束后，主控制裝置20根據(jù)測量載臺位置測量系統(tǒng)16B的測量值，將測量載臺MST如圖34中白箭頭所示在XY平面內驅動，而使曝光中彼此分離的晶片載臺WST與測量載臺MST移行至上述的接觸或接近的狀態(tài)。在此往接觸或接近的狀態(tài)的移行時，測量載臺MST從橫側(側方)卡合于測量臂71A。由于能從此測量載臺MST的橫側對測量臂7IA卡合，因此測量載臺MST的測量臺MTB被懸臂支承于滑件部60上的支承部62上。
[0398]接著，主控制裝置20如圖35所示，保持上述的接觸或接近的狀態(tài)使兩載臺WST，MST移動于一 Y方向。藉此，形成于投影單元下的液浸區(qū)域14(液體Lq)從晶片臺WTB上移動(被移交)至測量臺MTB。
[0399]在上述的液浸區(qū)域14 (液體Lq)從晶片臺WTB上往測量臺MTB的移交結束的階段，主控制裝置20能根據(jù)使用設于測量臺MTB背面的光柵RGa的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的測量值經(jīng)由測量臺驅動系統(tǒng)52B(參照圖16)控制測量臺MTB的位置。因此，主控制裝置20能一邊控制測量臺MTB的六自由度方向的位置、一邊進行所需的曝光相關連的測量動作。
[0400]在移行至上述的接觸或接近的狀態(tài)后，液浸區(qū)域14(液體Lq)從晶片臺WTB上往測量臺MTB上移動結束前一刻，晶片載臺WST從第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA的測量范圍脫離，而無法通過第I頂側編碼器系統(tǒng)80A及第I背側編碼器系統(tǒng)70A測量晶片臺WTB位置。在其前一刻，主控制裝置20將用于晶片臺WTB位置的伺服控制的位置測量系統(tǒng)從第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA切換為第4頂側編碼器系統(tǒng)80D(三維讀頭7%、792)。
[0401]其后，晶片載臺WST通過主控制裝置20被往卸載位置UPl驅動。藉此，解除上述的接觸或接近的狀態(tài)后，晶片載臺WST往卸載位置UPl移動。此移動，由于是在液體Lq不接觸于晶片臺WTB上的狀態(tài)下進行，因此能通過高加速、例如兩階段的加速在短時間進行。在晶片載臺WST到達卸載位置UPl后，主控制裝置20以如下述的順序將曝光完畢的晶片W從晶片載臺WST上卸載。
[0402]亦即，主控制裝置20解除晶片保持具對曝光完畢的晶片W的吸附后，如圖36(A)中黑箭頭所示，將三支垂直動銷140上升驅動既定量而持起晶片W。此時的三支垂直動銷140的位置維持至晶片載臺WST到達裝載位置LP、開始次一晶片的裝載為止。
[0403]其次，主控制裝置20經(jīng)由第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A，如圖36 (B)中白箭頭所示，將第I卸載滑件170A的晶片把持部174下降驅動既定量。藉此，晶片把持部174的本體部174a對晶片W接近至既定距離的位置。此時，晶片把持部174的四個把持部174b開啟。因此，主控制裝置20如圖36(C)中黑箭頭所示經(jīng)由第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A關閉四個把持部174b，且如圖36 (D)中白箭頭所示，將晶片把持部174上升驅動至既定的高度位置。藉此，通過晶片把持部174的四個把持部174b將晶片W以從下方支承背面的外周部四處的狀態(tài)持起。藉此，結束晶片W的卸載。
[0404]其次，如圖37所示，主控制裝置20將晶片載臺WST往裝載位置LP以長步進直線高速驅動。在此驅動的途中，晶片載臺WST從測量范圍脫離，而無法通過第4頂側編碼器系統(tǒng)80D測量晶片臺WTB位置。因此，主控制裝置20在晶片載臺WST從第4頂側編碼器系統(tǒng)80D的測量范圍脫離前，將用于晶片臺WTB位置的伺服控制的位置測量系統(tǒng)從第4頂側編碼器系統(tǒng)80D切換為第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110B。
[0405]與晶片載臺WST往裝載位置LP的移動并行地，通過主控制裝置20如圖37中白箭頭示意所示，在卸載位置UPl的既定高度位置進行第I卸載滑件170A的晶片把持部174所保持的晶片W的往等待機位置UP2的移動。此移動是由主控制裝置20以如下述的順序進行。
[0406]亦即，主控制裝置20如圖38(A)中黑箭頭所示，通過晶片把持部174而將保持有晶片W的第I卸載滑件170A經(jīng)由第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A沿第2臂172移動至位于待機位置UP2的下限移動位置附近的Y字保持部177正上方。接著，主控制裝置20如圖38 (B)中黑箭頭所示，例如經(jīng)由第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A將保持有晶片W的晶片把持部174往下方驅動至晶片W的背面接觸于Y字保持部177的吸附部為止?；蛘撸骺刂蒲b置20亦可例如經(jīng)由第2卸載滑件驅動系統(tǒng)180B將Y字保持部177往上方驅動至Y字保持部177的吸附部接觸于保持于晶片把持部174的晶片W的背面為止。
[0407]接著，在晶片W的背面接觸于Y字保持部177的吸附部后，主控制裝置20如圖38 (C)中白箭頭所示，經(jīng)由第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A開啟四個把持部174b，且如圖38 (D)中黑箭頭所示，將晶片把持部174往上方驅動既定量。藉此，晶片W從晶片把持部174被移交至Y字保持部177。
[0408]其后，主控制裝置20如圖38(E)中黑箭頭所示，經(jīng)由第I卸載滑件驅動系統(tǒng)180A使第I卸載滑件170A(晶片把持部174)返回至待機位置UP2，且如圖38 (E)中白箭頭所示，使從下方吸附保持晶片W的Y字保持部177上升至待機位置UP2的既定高度位置。此晶片W維持被Y字保持部177保持于待機位置UP2的既定高度位置的狀態(tài)直至成為次一晶片的曝光開始、晶片載臺WST從待機位置UP2下方已退避的狀態(tài)為止。
[0409]藉此，結束對一片晶片W的一連串(一循環(huán))的處理，其后反復執(zhí)行相同的動作。
[0410]如以上所詳細說明，本實施形態(tài)的曝光裝置100，具備保持被載置的晶片且能沿XY平面移動的具有未圖示的晶片保持具的微動載臺WFS、具有在裝載位置LP的上方從上方以非接觸方式保持晶片且能垂直移動的夾具本體130的夾具單元120、以及設于微動載臺WFS且能從下方支承晶片且能垂直移動的垂直動銷140。又，夾具單元120，具備一對支承板128，其在以三支垂直動銷140從下方支承晶片前，將通過夾具本體130(貝努里夾具124)從上方以非接觸方式保持的晶片以接觸于除了其上面以外的部分(例如下面(背面))的方式加以保持。
[0411]在晶片對晶片臺WTB上的裝載前，主控制裝置20是在裝載位置LP上方，一邊通過夾具本體130 (貝努里夾具124)從上方以非接觸方式保持晶片、一邊使一對支承板128接觸于其下面(背面)的一部分。藉此，晶片在六自由度方向被限制移動。接著，夾具單元120維持此狀態(tài)至晶片載臺WST返回至裝載位置LP為止。
[0412]接著，在晶片載臺WST返回至裝載位置LP后，主控制裝置20，通過三支垂直動銷140從下方支承被夾具本體130 (貝努里夾具124)保持的晶片，且解除一對支承板128對晶片的接觸保持。其后，立即主控制裝置20 —邊維持夾具本體130(貝努里夾具124)對晶片的保持狀態(tài)及三支垂直動銷140對晶片的支承狀態(tài)、一邊使夾具本體130及三支垂直動銷140下降至晶片的下面接觸于微動載臺WFS(晶片臺WTB)上的未圖示的晶片保持具(真空夾具等)為止，在晶片下面接觸于晶片保持具(真空夾具等)的階段，解除對晶片的三支垂直動銷140的支承及夾具本體130 (貝努里夾具124)對晶片的保持。
[0413]因此，根據(jù)曝光裝置100，能將晶片以維持高平面度的狀態(tài)不位置偏移地(再現(xiàn)性良好地)搬入晶片臺WTB上。又，主控制裝置20在進行晶片的曝光時，是根據(jù)上述的以第I微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOA測量的位置信息驅動微動載臺WFS。因此，能對以維持高平面度的狀態(tài)不位置偏移地搬入至微動載臺WFS上的晶片進行高精度的曝光。
[0414]又，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，夾具本體130包含以非接觸方式保持晶片的貝努里夾具124與對晶片進行控制溫度的冷卻板123，晶片在夾具本體130的保持被解除為止的期間溫度被調整至目標溫度。藉此，在對晶片臺WTB上的搬入結束為止的期間，持續(xù)晶片的目標溫度的控制溫度狀態(tài)。
[0415]又，曝光裝置100具備測量系統(tǒng)，其包含設于夾具本體130且測量晶片的位置信息(中心位置(偏移)、旋轉位置(偏移))的三個攝影元件及信號處理系統(tǒng)116，在夾具本體130的下降動作中，通過包含三個攝影元件及信號處理系統(tǒng)116的上述測量系統(tǒng)測量晶片的位置信息至晶片下面接觸于晶片保持具(真空夾具等)為止。藉此，即使在晶片被裝載于晶片臺WTB上的瞬間，亦能測量晶片的位置偏移與旋轉誤差，主控制裝置20通過加入此測量信息作為晶片位置的修正信息，而能實現(xiàn)在對準時及/或曝光時的晶片W的更高精度的位置控制(包含定位)。
[0416]又，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，在使晶片載臺WST往+Y方向從設定于測量站300的Y軸方向一側(一 Y側)的裝載位置LP往曝光站200移動，在此移動路徑途中通過多個對準系統(tǒng)ALl，AL2i?AL24來進行晶片上的多個(例如十六個)對準標記的檢測時，投影光學系統(tǒng)PL與多個對準系統(tǒng)ALl，AL2i ?AL24的Y軸方向的位置關系被設定為至該多個標記的檢測結束為止的期間，晶片載臺WST的任何部分均不接觸于液浸區(qū)域14。又，除了該上述的對準測量以外亦包含上述的聚焦映射的上述流處理，由于是在液體不接觸于晶片臺WTB的情況下進行，因此能一邊高速且高加速使晶片臺WTB(晶片載臺WST)移動、一邊進行流處理。
[0417]又，由于卸載位置UPl設定于曝光位置與對準位置之間，因此能在晶片的曝光結束后將該曝光完畢的晶片立即從晶片臺WTB上卸載后，返回至裝載位置LP。又，在曝光結束后，對測量臺MTB移交液浸區(qū)域14 (液體Lq)后，晶片臺WTB是在不接觸液體的情形下往卸載位置UPl返回、進而返回至裝載位置LP。因此，能以高速且高加速進行此時的晶片臺WTB的移動。再者，裝載位置LP設定于連結曝光位置與對準位置的直線上，進而在該位置進行Pr1- BCHK的前半處理，因此能在晶片對晶片臺WTB上的裝載后立即開始流處理(對準測量及聚焦映射)。
[0418]再者，晶片W上的多個照射區(qū)域的曝光順序，由于是在從+X側半部(或一 X側半部)的一 Y側依序往+Y側的照射區(qū)域進行曝光后，從一 X側半部(或+X側半部)的+Y側依序往一 Y側的照射區(qū)域進行曝光，因此在曝光結束的時點，晶片臺WTB會位于最接近卸載位置UPl的位置。因此，在曝光結束后，能在最短時間進行晶片臺WTB往卸載位置UPl的移動。
[0419]又，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，其具備:第I背側編碼器系統(tǒng)70A，當晶片載臺WST位于曝光站200時，測量被粗動載臺WCS保持成能移動于六自由度方向的晶片臺WTB (微動載臺WFS)的六自由度方向的位置的第I微動載臺位置測量系統(tǒng)110A，是從下方對設于晶片臺WTB背面(一 Z側的面)的光柵RG照射測量光束，測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息；以及第I頂側編碼器系統(tǒng)80A，具有設于主支架BD的讀頭部62A、62C，從讀頭部62A、62C對設于晶片臺WTB的一對標尺39。392 ( 二維光柵)照射測量光束，測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息。接著，在上述的切換部150A被設定于第I模式的情形，主控制裝置20在晶片臺WTB移動于曝光站200內的上述既定范圍(包含為了保持于晶片臺WTB的晶片W的曝光而晶片臺WTB移動的范圍的范圍)時，例如在曝光時，是根據(jù)第I背側編碼器系統(tǒng)70A的位置信息及第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的位置信息中可靠性較高者的位置信息驅動晶片臺WTB。此驅動的進行，是通過主控制裝置20經(jīng)由粗動載臺驅動系統(tǒng)51A驅動粗動載臺WCS，且經(jīng)由微動載臺驅動系統(tǒng)52A伺服驅動晶片臺WTB。
[0420]又，本實施形態(tài)中，通過切換部150A的第I模式的設定，主控制裝置20，通過根據(jù)對應此并合位置信號Fh的位置信息將晶片臺WTB在上述既定范圍內驅動，其結果，主控制裝置20根據(jù)第I背側編碼器系統(tǒng)70A的位置信息及第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的位置信息中可靠性較高者的位置信息將晶片臺WTB在上述既定范圍內驅動。因此，能隨時根據(jù)可靠性高的位置信息將晶片臺WTB在曝光站200內的上述既定范圍內精度良好地驅動。
[0421]又，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，其具備:第2背側編碼器系統(tǒng)70B，當晶片載臺WST位于測量站300時，測量被粗動載臺WCS保持成能移動于六自由度方向的晶片臺WTB (微動載臺WFS)的六自由度方向的位置的第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110B，是從下方對設于晶片臺WTB背面(一 Z側的面)的光柵RG照射測量光束，在晶片臺WTB在測量站300內的既定范圍(至少包含為了進行上述的流處理及導線檢核而晶片臺WTB所移動的范圍的測量站300內的范圍、例如在與曝光站200的上述既定范圍對應的測量站300的范圍)移動時，測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息；以及第2頂側編碼器系統(tǒng)80B，具有設于主支架BD的讀頭部62F、62E，從讀頭部62F、62E對設于晶片臺WTB上的一對標尺391； 392 ( 二維光柵)照射測量光束，能與第2背側編碼器系統(tǒng)70B的上述位置信息的測量并行地測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息。接著，在上述的切換部150B被設定于第I模式的情形，主控制裝置20在晶片臺WTB移動于測量站300內的上述既定范圍時，例如在對準時，是根據(jù)第2背側編碼器系統(tǒng)70B的位置信息及第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的位置信息中可靠性較高者的位置信息伺服驅動晶片臺WTB。
[0422]又，本實施形態(tài)中，通過切換部150A的第I模式的設定，主控制裝置20，通過根據(jù)對應上述的并合位置信號Fh的位置信息將晶片臺WTB在上述既定范圍內驅動，其結果，根據(jù)第2背側編碼器系統(tǒng)70B的位置信息及第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的位置信息中可靠性較高者的位置信息將晶片臺WTB在上述既定范圍內驅動。因此，能隨時根據(jù)可靠性高的位置信息將晶片臺WTB在測量站300內的上述既定范圍內精度良好地驅動。
[0423]又，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，是通過主控制裝置20，在曝光時等晶片臺WTB在曝光站200的上述既定范圍內移動時，以既定間隔反復進行第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)的再新處理，一邊隨時在網(wǎng)格誤差已被修正的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)上管理晶片臺WTB的位置、一邊進行晶片W的曝光。又，是通過主控制裝置20進行第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的坐標系統(tǒng)的再新，即從第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的彼此對應的局部坐標系統(tǒng)之間的關系，根據(jù)已被更新的第I背側編碼器系統(tǒng)70A的坐標系統(tǒng)的網(wǎng)格逆算第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的網(wǎng)格畸變并更新。
[0424]又，在流處理時，是通過主控制裝置20以既定間隔反復進行第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)的再新處理，一邊隨時在網(wǎng)格誤差已被修正的第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)上管理晶片臺WTB的位置、一邊進行對準測量、聚焦映射。
[0425]又，通過主控制裝置20，同樣地進行第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的坐標系統(tǒng)的再新，即根據(jù)已被更新的第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)的網(wǎng)格逆算第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的坐標系統(tǒng)的網(wǎng)格畸變并更新。
[0426]此外，由于包含高次成分而高精度地進行上述第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A、70B的坐標系統(tǒng)的再新，因此亦可準備以正確的位置關系配置標記，其表面平坦度極高的基準晶片，將此基準晶片搭載于晶片臺WTB上，一邊通過第2背側編碼器系統(tǒng)70B測量晶片臺WTB的位置，一邊使晶片臺WTB在XY平面內移動，以第一對準系統(tǒng)ALl測量基準晶片的標記，且通過多點AF系統(tǒng)(90a，90b)測量基準晶片的凹凸，進行包含第2背側編碼器系統(tǒng)70B的坐標系統(tǒng)、亦即光柵RG的網(wǎng)格的高次成分的測量(修正)。此測量，亦可在裝置的啟動時等進行至少一次，理論上并非對晶片全面而是對晶片的一部分區(qū)域進行亦可。其是為了取得作為再新處理對象的光柵RG的網(wǎng)格的高次成分的數(shù)據(jù)，剩余的區(qū)域可通過進行上述的再新來加以修正之故。
[0427]又，通過主控制裝置20，使晶片載臺WST實際地移動于X軸方向來修正基于流處理獨自的誤差要因的對準時坐標系統(tǒng)與曝光時坐標系統(tǒng)的誤差的上述導線檢核，是以預先決定的頻度(視必要情況的頻度)進行。
[0428]又，進行上述的后流處理，亦即將晶片對準結果(EGA結果)及聚焦映射的結果所含的誤差要因參數(shù)置換為第2頂側編碼器系統(tǒng)80B及第3頂側編碼器系統(tǒng)80C從流處理中所觀測的所有數(shù)據(jù)平均算出的對應的參數(shù)的運算處理。
[0429]由以上說明可清楚得知，根據(jù)本實施形態(tài)的曝光裝置100，可根據(jù)高精度的對準結果及聚焦映射的結果，以步進掃描方式重疊精度良好地進行對晶片W的液浸曝光的高解像度的曝光。又，曝光對象的晶片W即使是例如450mm晶片等,亦能維持聞廣能。具體而言，曝光裝置100能將對450mm晶片的曝光處理，以與上述的美國發(fā)明專利申請公開第2008/0088843號說明書等揭不的液浸掃描器對300mm晶片的曝光處理同等或其以上的聞產(chǎn)能來實現(xiàn)。
[0430]又，上述實施形態(tài)中，由于將夾具單元120如上述般構成，因此例如在前晶片的曝光中，通過與此并行地在裝載位置LP上方使次晶片待機且進行其控制溫度，在晶片載臺WST返回至裝載位置LP后，能立即將控制溫度完畢的晶片裝載于晶片臺WTB上。然而，夾具單元120的構成并不限定于上述的構成。亦即，夾具單元120(貝努里夾具124)例如亦可僅具有搬送功能或除了搬送功能外還具有上述的控制溫度功能、預對準功能、以及彎曲修正功能(平坦化功能)的至少一個，只要依照附加于夾具單元120 (貝努里夾具124)的功能的種類或數(shù)目等決定其構成即可，實現(xiàn)包含搬送功能的四個功能的構成均不限于上述的構成。例如在前晶片的曝光中，不與此并行地在裝載位置LP上方使次晶片待機的情形等，上述的一對支承板128等保持構件(用以防止在該待機中的夾具本體130的非接觸保持狀態(tài)下的晶片的XY平面之內位置偏移)不一定要設置。又，夾具本體130亦可不一定要具有冷卻板123等控制溫度構件。其原因在于，例如在前晶片的曝光中，不與此并行地在裝載位置LP上方使次晶片待機的情形，亦可考慮到僅將晶片在設置于裝載位置LP以外之處的冷卻板上進行控制溫度至其他裝載開始前一刻即足夠的情形等。又，由于只要在裝載后能進行該晶片的對準即可，因此在夾具本體130對晶片的保持中，測量該晶片的位置信息的測量系統(tǒng)亦可不一定要設置。
[0431]又，上述實施形態(tài)中，雖夾具本體130具有由與冷卻板123大致相同大小的板狀構件構成的貝努里夾具124，但不限于此，夾具本體130亦可取代貝努里夾具124而具有直接或經(jīng)由板構件而安裝于冷卻板123下面的多個貝努里杯。此情形下，多個貝努里杯，最好是分布于冷卻板123全面或至少中心部及周邊部，最好是能通過主控制裝置20分別或就各群組(例如每一個中心部與周邊部的群組)調整流體(例如空氣)的吹出及其停止、以及吹出的流體流量及/或流速等。在曝光裝置具備具有此種構成的夾具本體130的夾具單元120時，亦可以抑制被夾具本體130從上方以非接觸方式支承的晶片W的變形的方式，在于裝載位置的待機時或晶片W對晶片保持具(晶片臺WTB)上的搬入時，使來自夾具本體130的多個貝努里杯的至少一部分的流體的吹出流量及/或流速與通常的晶片W的支承狀態(tài)不同，而將非接觸支承的晶片W的至少一部分位移于垂直方向。當然，即使是夾具本體130具有與上述實施形態(tài)相同的單一貝努里夾具124的情形，由于抑制晶片W的變形，因此亦可使從貝努里夾具124噴出的流體的流速等與通常的晶片W的支承狀態(tài)不同。不論是何者，在此等情形下，是以晶片保持具(晶片臺WTB)保持變形被抑制的晶片W。
[0432]此外，上述實施形態(tài)中，在將通過夾具本體130及三支垂直動銷140從上下以非接觸或接觸狀態(tài)支承的晶片W載置于晶片保持具(晶片臺WTB)上時，主控制裝置20是將夾具本體130及三支垂直動銷140往下方驅動。然而，并不限于此，主控制裝置20亦可將晶片保持具(晶片臺WTB)相對夾具本體130及三支垂直動銷140往上方驅動，亦可將夾具本體130及三支垂直動銷140往下方驅動，且亦可將晶片保持具(晶片臺WTB)往上方驅動。扼要言之，主控制裝置20只要使夾具本體130及三支垂直動銷140與晶片保持具(晶片臺WTB)在Z軸方向相對移動至通過夾具本體130及三支垂直動銷140從垂直支承的晶片W的下面與晶片保持具(晶片臺WTB)接觸為止即可。此情形下，主控制裝置20，使夾具本體130及三支垂直動銷140與晶片保持具(晶片臺WTB)在Z軸方向的相對移動，亦可無需進行至晶片W接觸于晶片保持具(晶片臺WTB)為止，而在接觸前一刻停止相對移動，之后僅以夾具本體130的控制將晶片W移交至晶片保持具(晶片臺WTB)。
[0433]又，主控制裝置20亦可一邊解除夾具本體130 (第I支承構件)及三支垂直動銷140 (第2支承構件)中的一支承構件對晶片W的支承且以另一支承構件支承晶片W，一邊使晶片保持具(晶片臺WTB)相對該一支承構件與另一支承構件相對移動等，而使晶片保持具(晶片臺WTB)與晶片W的位置關系錯開，亦即進行晶片W的換載。特別是，在以三支垂直動銷140進行晶片W的換載時，亦可在吸附的解除中進行晶片W的換載并再度進行吸附。又，亦可移動夾具本體130、三支垂直動銷140、晶片保持具(晶片臺WTB)的至少一個，來調整晶片保持具(晶片臺WTB)與晶片W的相對位置關系。
[0434]又，上述實施形態(tài)中，主控制裝置20亦可在晶片W的被以三支垂直動銷140支承前，使用三個攝影元件129檢測出被夾具本體130以非接觸方式支承的晶片W的X軸方向、Y軸方向的位置偏移與旋轉(θ ζ旋轉)誤差。此情形下，當采用能通過驅動部122調整夾具本體130的XY平面內的位置(包含旋轉)的構成時，亦可依照該檢測出的位置偏移與旋轉誤差調整晶片W的XY平面內的位置(包含旋轉)?；蛘撸嗫刹捎每墒谷Т怪眲愉N140相對晶片臺WTB在XY平面內移動的構成，而主控制裝置20依照檢測出的位置偏移與旋轉誤差經(jīng)由三支垂直動 銷140調整晶片W的XY平面內的位置(包含旋轉)。以此方式，主控制裝置20在晶片保持具(晶片臺WTB)對晶片W的保持前微調整晶片W的位置。
[0435]又，上述實施形態(tài)中，說明了三支垂直動銷140通過驅動器142而能一體垂直移動的情形。然而，并不限于此，三支垂直動銷140亦能分別垂直移動。此情形下，在將以上述的夾具本體130及三支垂直動銷140從上下以非接觸或接觸狀態(tài)支承的晶片W載置于晶片保持具(晶片臺WTB)上時，通過使三支垂直動銷140的垂直移動時序不同，而在即使是從夾具本體130對晶片W的全面賦予均一的按壓力的情形，亦能從一側往其相反側以具有時間差的方式開始晶片保持具對晶片W的吸附保持?；蛘撸嗫刹捎媚軐θТ怪眲愉N140的各個分別調整往+Z方向按壓的按壓力(彈壓力)的構成。此情形下亦同樣地，即使是從夾具本體130對晶片W的全面賦予均一的按壓力的情形，亦能從一側往其相反側以具有時間差的方式開始晶片保持具對晶片W的吸附保持。不論何種情形，均無需使晶片保持具(晶片臺WTB)傾斜于θ χ及/或Θ y方向。
[0436]此外，上述實施形態(tài)中，亦可取代能接觸支承晶片W的三支垂直動銷，而設置例如與夾具本體130并行支承晶片W、能垂直移動的其他的一個或多個支承構件。此多個支承構件，亦可為能支承晶片W的側面一部分的構造、或者將晶片W的外周緣部在多處從側方(及/或下方)能開閉地支承的構造。此支承構件亦可設于夾具單元120 (貝努里夾具124)。又，作為夾具本體130所具有的以非接觸方式支承晶片W的夾具構件，并不限于貝努里夾具，只要是能以非接觸方式支承晶片W的構件即可。因此，例如亦能取代貝努里夾具(或貝努里杯)，或除此以外進一步使用真空預壓型的空氣軸承等。
[0437]上述實施形態(tài)中，主控制裝置20亦可以晶片保持具(晶片臺WTB)所保持的晶片W的實質上被平坦化、或晶片W的彎曲被抑制或防止的方式控制對晶片W的夾具本體130 (所具有的夾具構件)的斥力與引力的至少一方。
[0438]又，上述實施形態(tài)中，例示了經(jīng)由未圖示的防振構件將驅動部122固定于主支架BD的下面，將夾具本體130相對主支架BD在振動上分離的情形。然而，并不限于此，例如亦可將驅動部122經(jīng)由未圖示的支承構件安裝于支架FL，以將夾具本體130相對主支架BD在振動上分離。
[0439]又，上述實施形態(tài)中，說明了在液體Lq不接觸于晶片臺WTB的任何部分的狀態(tài)下進行包含對準測量及聚焦映射的流處理的情形。然而，亦可考量在對準測量結束的時點晶片臺WTB與測量臺MTB移行至上述的接觸或接近的狀態(tài)的程序。在此情形，只要例如在對準測量結束后的時點未結束聚焦映射，則其剩余的聚焦映射亦可維持兩臺WTB、MTB的接觸或接近的狀態(tài)來進行。此情形下由于亦能在液體Lq不接觸于晶片臺WTB的任何部分的狀態(tài)下進行對準測量，因此能較上述的美國發(fā)明專利申請公開第2008/0088843號說明書等所揭示的液浸掃描器在更短時間進行在該對準測量時的晶片臺WTB (晶片載臺WST)的步進移動。
[0440]又，上述實施形態(tài)中，雖說明了卸載位置UPl位于將投影光學系統(tǒng)PL與測量站300 (第一對準系統(tǒng)ALl)在Y軸方向連結的直線上，于該卸載位置UPl的一 X側設定有待機位置UP2的情形，但待機位置UP2亦可不一定要設置。然而，在液體Lq不接觸于晶片臺WTB的任何部分的狀態(tài)下進行 對準測量的情形，卸載位置亦可不一定要設于滿足上述位置關系的位置。
[0441]又，上述實施形態(tài)中所說明的卸載裝置170的構成僅為一例。例如，亦可于支架FL的X軸方向一側邊部的下面與另一側邊部的下面以不干涉讀頭部等的狀態(tài)架設板狀支承構件，于該支承構件上的卸載位置UPl設置與能垂直移動的上述晶片把持部174相同構成的構件所構成的第I卸載滑件，通過機械臂等構成第2卸載滑件，且通過機械臂等構成第2卸載滑件。此情形下，是通過第I卸載滑件從晶片載臺WST的垂直動銷140接取晶片后，使該第I卸載滑件上升。接著，通過第2卸載構件從該第I卸載滑件在卸載位置UPl接取晶片，搬送至在上述的待機位置UP2待機的或與搬送系統(tǒng)的移交位置。在后者的情形待機位置UP2亦可不設定。
[0442]又，上述實施形態(tài)中，雖說明了于測量站300設有檢測區(qū)域沿X軸方向配置的多個對準系統(tǒng)AL1，AL2i ~AL24的情形，但不線于此，多個對準系統(tǒng)AL1，AI^1~AL24的檢測區(qū)域亦可不僅在X軸方向而在Y軸方向亦位置互異。或者，亦可僅于測量站300僅設有一個標記檢測系統(tǒng)。在此情形下亦同樣地，只要裝載位置、測量站、卸載位置、及曝光站成為與上述實施形態(tài)相同的位置關系，則使保持晶片W的晶片載臺WST沿Y軸方向從裝載位置往曝光站移動，在該移動的途中，在位于移動路徑上的測量站300通過標記檢測系統(tǒng)檢測晶片W上的多個標記。接著，在曝光站200使保持于晶片載臺WST的晶片曝光后，在從曝光站200沿Y軸方向返回裝載位置前，在設定于從曝光站200往測量站300的晶片載臺WST的移動路徑中的卸載位置從晶片載臺WST上搬出曝光后的晶片。此情形下，能在使晶片載臺WST從位于在Y軸方向分離的裝載位置往曝光站往返移動的期間在短時間效率良好地進行晶片W對晶片載臺WST上的搬入(裝載)、晶片W上的標記檢測、晶片的曝光、曝光完畢的晶片從晶片載臺WST上的搬出(卸載)的一連串處理。
[0443]此外，上述實施形態(tài)中，雖例示了依從晶片W上的+X側半部(或一 X側半部)中的一 Y側往+Y側的照射區(qū)域的順序曝光后從一 X側半部(或+X側半部)中的+Y側往一 Y側的照射區(qū)域的順序曝光，但晶片W上的多個照射區(qū)域的曝光順序不限于此。在曝光結束后，只要無需以大致最短時間使晶片臺WTB移動至卸載位置(包含無其必要的情形及曝光位置與卸載位置分離而難以進行此種移動的情形的任一情形)的情形等，則能以與現(xiàn)有的液浸掃描器、例如美國發(fā)明專利申請公開第2008/0088843號說明書等相同的順序使晶片W上的多個照射區(qū)域曝光。或者，即使是在曝光結束后，在最短時間移動至卸載位置UPl的情形，亦不限于上述實施形態(tài)的曝光順序。扼要言之，只要在晶片上的多個照射區(qū)域中從離卸載位置較遠的既定第I照射區(qū)域開始曝光，該第I照射區(qū)域附近的照射區(qū)域最后被曝光即可。
[0444]又，上述實施形態(tài)中，即使是視狀況而切換第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量信息(位置信息)的情形，其切換方法當然不限于上述實施形態(tài)的方法。主控制裝置20例如在因測量臂7IA的讀頭73a~73d(臂構件71^的振動而第I背側編碼器系統(tǒng)70A的可靠性較第I頂側編碼器系統(tǒng)80A低的頻帶、例如50Hz~500Hz、特別是IOOHz~400Hz的至少一部分，最好是使用至少以第I頂側編碼器系統(tǒng)80A測量的位置信息來進行晶片臺WTB的驅動控制。第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的測量信息(位置信息)的切換基準，不限定于輸出信號的頻帶。又，根據(jù)上述實施形態(tài)，由于能通過第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A進行并行的晶片臺WTB的位置測量，因此能進行一方的編碼器系統(tǒng)的單獨使用、兩者的系統(tǒng)并用等因應兩者的優(yōu)點、缺點的各種使用方法 。扼要言之，只要主控制裝置20根據(jù)以第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的至少一方測量的位置信息控制粗動載臺驅動系統(tǒng)51A及/或微動載臺驅動系統(tǒng)52A對晶片臺WTB的驅動即可。此外，構成第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB的第2背側編碼器系統(tǒng)70B及第2頂側編碼器系統(tǒng)80B，亦與上述相同。
[0445]在并合控制(切換部150A、150B、150C的第I模式)中，將頂側編碼器系統(tǒng)與背側編碼器系統(tǒng)依照振動、具體而言是使用具有相同截止頻率的低通濾波器及高通濾波器來切換，但不限于此，例如亦可不使用濾波器而使用對頂側編碼器系統(tǒng)的輸出信號與背側編碼器系統(tǒng)的輸出信號賦予權重而加算后的并合位置信號。又，亦可依據(jù)振動以外的要因區(qū)分使用頂側編碼器系統(tǒng)與背側編碼器系統(tǒng)、或將兩者并用。例如，在第I微動載臺位置測量系統(tǒng)110A，例如在掃描曝光中亦可僅使用背側編碼器系統(tǒng)70A。
[0446]又，上述實施形態(tài)中，雖說明了第2微動載臺位置測量系統(tǒng)IlOB具備第2背側編碼器系統(tǒng)70B與第2頂側編碼器系統(tǒng)80B，但不限于此，測量在測量站300的晶片臺WTB的位置的測量系統(tǒng)，亦可是第2背側編碼器系統(tǒng)70B與第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的僅一方、完全不同構成的編碼器系統(tǒng)、或干涉儀系統(tǒng)等。當然，在僅為第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的情形，不進行上述的通過彼此配合的第2頂側編碼器系統(tǒng)80B的坐標系統(tǒng)的再新。同樣地，測量在曝光站200的晶片臺WTB的位置的測量系統(tǒng)，亦可是第I背側編碼器系統(tǒng)70A與第I頂側編碼器系統(tǒng)80A的僅一方、完全不同構成的編碼器系統(tǒng)、或干涉儀系統(tǒng)等。
[0447]此外，上述實施形態(tài)中，雖說明了第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B具備測量臂71A，71B(分別具有內藏有僅編碼器讀頭的光學系統(tǒng)至少一部分的臂構件71ρ712)，但不限于此，例如作為測量臂，只要能從對向于光柵RG的部分照射測量光束，則例如亦可于臂構件的前端部內藏光源或光檢測器等。此情形下，無需使光纖通過臂構件內部。再者，臂構件其外形及剖面則非所問，阻尼構件亦可不一定要有。第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B在于臂構件71p712未設有光源及/或檢測器的情形，亦可不利用臂構件71p712的內部。
[0448]又，第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B不一定必須要具備測量臂，只要具有于粗動載臺WCS的空間部內與光柵RG對向配置、對該光柵RG照射至少一條測量光束并接收該測量光束的來自光柵RG的光(反射繞射光)的讀頭，再根據(jù)該讀頭的輸出測量微動載臺WFS的至少XY平面內的位置信息即足夠。
[0449]又，上述實施形態(tài)中，雖例示了第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B分別具備兩個三維讀頭、XZ讀頭及YZ讀頭的情形，但當然讀頭的組合配置不限于此。例如，即使在使用多余軸的測量值進行坐標系統(tǒng)的再新的情形，亦可不必將第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B能測量的自由度設定為十自由度，亦可是七以上的自由度、例如八自由度。例如，亦可僅具備兩個三維讀頭、XZ讀頭及YZ讀頭的其中一方。此情形下，讀頭的配置、構成等亦不限于上述實施形態(tài)。例如，亦可第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B為了測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息而將多個測量光束照射于光柵RG，且將與此等多個測量光束、亦即為了測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息的多個測量光束不同的至少一個測量光束照射于光柵RG。此情形下，主控制裝置20能使用通過上述不同的至少一個測量光束而以第
1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B測量的晶片臺WT B的位置信息進行與上述相同的坐標系統(tǒng)的再新、亦即能更新供修正因光柵RG而產(chǎn)生的第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B的測量誤差的信息。
[0450]又，例如若不使用多余軸的測量值進行坐標系統(tǒng)的再新，則第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B亦可是僅能測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息的讀頭的組合配置。例如，第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B亦可分別僅具備兩個三維讀頭。此情形下，此兩個三維讀頭只要是與上述實施形態(tài)相同的配置，則能測量除了晶片臺WTB的θ χ方向以外的五自由度方向的位置信息。又，只要將兩個三維讀頭于X軸方向及Y軸方向彼此錯開配置，則能測量晶片臺WTB的六自由度方向的位置信息。此外，第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B亦可分別僅具備于X軸方向排列配置的一對XY讀頭。此情形下，能測量晶片臺WTB的XY平面內的三自由度方向的位置信息。又，第1、第2背側編碼器系統(tǒng)70A，70B亦可采用與X讀頭及/或Y讀頭另外具備Z讀頭的讀頭部(光學系統(tǒng))。
[0451]上述實施形態(tài)中，由于于微動載臺WFS的下面(背面)配置有光柵RG，因此亦可使微動載臺WFS為中空構造以圖輕量化，且于其內部配置配管、配線等。其理由在于，由于從編碼器讀頭照射的測量光束不在微動載臺WFS內部行進，因此無需采用光能透射微動載臺WFS的中實構件。然而，并不限于此，當采用光能透射微動載臺WFS的中實構件時,亦可于微動載臺的上面、亦即對向于晶片的面配置光柵，光柵亦可形成于保持晶片的晶片保持具。后者的情形，即使是曝光中晶片保持具膨脹或對微動載臺的裝著位置偏離，亦能追隨此來測量晶片保持具(晶片)的位置。[0452]又，上述實施形態(tài)中的第I至第4頂側編碼器系統(tǒng)80A~80D的構成不限于在上述實施形態(tài)所說明者。例如，第I至第4頂側編碼器系統(tǒng)80A~80D的至少一部分亦可采用例如美國發(fā)明專利申請公開第2006/0227309號說明書等所揭示，于晶片臺WTB設置多個編碼器讀頭部(各編碼器讀頭部例如能與上述的四軸讀頭同樣地構成)，與此對向地于晶片臺WTB的外部配置格子部(例如二維格子或配置成二維的一維格子部)的構成的編碼器系統(tǒng)。此情形下，多個編碼器讀頭亦可分別配置于晶片臺WTB的四角(corner)，或者于晶片臺WTB外側且在其中心(晶片保持具的中心)交叉的兩條對角線上隔著晶片臺WTB分別配置一對編碼器讀頭部。又，格子部例如亦可將分別形成二維格子的四個格子板安裝于一個固定構件(板件等)，且以該四個格子板配置于投影光學系統(tǒng)PL(或嘴單元32)周圍的方式通過包含固定具的支承構件將固定構件懸吊支承于主支架BD。
[0453]此外，上述實施形態(tài)中，微動載臺WFS雖能驅動于全六自由度方向，但不限于此，只要能移動于平行于XY平面的二維平面內的三自由度方向即可。此情形下，當微動載臺WFS在曝光站200內的既定范圍(至少包含為了保持于晶片臺WTB的晶片W的曝光而晶片臺WTB所移動的范圍的曝光站200內的范圍)移動時，主控制裝置20例如亦可根據(jù)第I背側編碼器系統(tǒng)70A的多個讀頭的測量信息，一邊控制微動載臺WFS的包含上述二維平面內的三自由度的η自由度(n ^ 3)方向的位置，一邊驅動微動載臺WFS，且根據(jù)用于微動載臺WFS的η自由度的驅動的位置信息中在一部分既定測量方向的位置信息與不同于此的不用于在上述既定測量方向的微動載臺WFS的η自由度的驅動的多余位置信息的差分，更新上述第I背側編碼器系統(tǒng)70Α的坐標系統(tǒng)在上述既定測量方向的網(wǎng)格誤差。此情形下，由于能測量微動載臺WFS在X軸、Y軸及θ ζ的各方向的位置，且亦可使用多余軸的測量值僅更新第I背側編碼器系統(tǒng)70Α的在X軸、Y軸、Z軸的至少一方向的網(wǎng)格誤差，因此不需要設置上述的讀頭73a~73d全部。
[0454]又，微動載臺驅動系統(tǒng)52A不限于上述動磁式，亦可是移動線圈式。進而，微動載臺WFS亦可被粗動載臺WCS接觸支承。因此，將微動載臺WFS相對粗動載臺WCS驅動的微動載臺驅動系統(tǒng)，亦可是例如將旋轉電機與滾珠螺桿(或進給螺桿)組合而成者。
[0455]此外，上述實施形態(tài)中，亦可取代干涉儀系統(tǒng)而使用霍爾元件感測器或編碼器系統(tǒng)等來作為晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A。又，上述實施形態(tài)中，直接測量粗動載臺WCS位置的晶片載臺位置測量系統(tǒng)16A亦可不設置。亦即，上述實施形態(tài)中，干涉儀系統(tǒng)亦可完全不設置。此情形下，最好是設置測量粗動載臺WCS與微動載臺WFS的相對位置信息的測量系統(tǒng)。
[0456]此外，上述實施形態(tài)中，亦可取代設定于曝光站200與測量站300間的卸載位置UPl及待機位置UP2，而僅將卸載位置設定于裝載位置LP附近的位置、例如與裝載位置LP相同的Y位置且往一X側分離既定距離的位置。此情形下，亦可將卸載位置設定于與裝載位置LP相同的位置。又，裝載位置LP不限于上述的測量板30上的基準標記FM定位于第一對準系統(tǒng)ALl的視野(檢測區(qū)域)內的位置，亦可設定于其附近的位置、例如相對基準軸LV與卸載位置為對稱的位置。此外，亦可使用單一的對準系統(tǒng)作為對準系統(tǒng)，此情形下，卸載位置亦可相對該一個對準系統(tǒng)配置于其一 Y偵U。
[0457] 又，上述實施形態(tài)中，亦可取代干涉儀系統(tǒng)而使用霍爾元件感測器或編碼器系統(tǒng)等來作為測量測量載臺MST位置的測量載臺位置測量系統(tǒng)16B。在后者的情形，例如亦可如圖39所示，于測量臺MTB的上面設置例如二維光柵RG2，與二維光柵RG2對向地，經(jīng)由支承構件于主支架BD將編碼器讀頭沿測量載臺MST的移動路徑配置多個、例如配置多對由XZ讀頭與YZ讀頭的組合構成的四軸讀頭。圖39中，是沿測量載臺MST的移動路徑配置有一對四軸讀頭166ρ1662、一對四軸讀頭1663、1664、一對四軸讀頭1665、1666。能將此等讀頭與二維光柵RG2總稱為第5頂側編碼器系統(tǒng)，亦可通過變更圖39所示的讀頭的配置(位置)或者追加至少一個讀頭，而在上述的并列動作中通過第5頂側編碼器系統(tǒng)測量測量載臺MST的位置信息。此情形下，直接測量測量載臺MST的測量載臺位置測量系統(tǒng)16Β亦可不一定要設置。此情形下，最好是設置測量測量載臺MST的滑件部60及支承部62與測量臺MTB的相對位置信息的測量系統(tǒng)。
[0458]此外，上述實施形態(tài)中，各背側編碼器系統(tǒng)的讀頭部的構成等不限于上述者而可為任意。又，各頂側編碼器系統(tǒng)的讀頭配置或數(shù)目等可為任意。
[0459]此外，上述實施形態(tài)中，雖說明了曝光裝置為液浸型曝光裝置的情形，但并不限于此，亦能采用在不經(jīng)由液體(水)的狀態(tài)下進行晶片W曝光的干燥型。
[0460]又，上述實施形態(tài)中，雖說明了曝光裝置是以粗動載臺WCS支承一個微動載臺，并使之在測量站300與曝光站200之間往返移動的構成的情形，但亦可使用兩個微動載臺。此情形下，亦可附加兩個微動載臺 在兩個粗動載臺之間能替換的構成，并將該兩個微動載臺交互在測量站300與曝光站200之間往返移動。或者，亦可使用三個以上的微動載臺。能進行對一微動載臺WFS上的晶片的曝光處理與使用另一微動載臺WFS的上述的流處理的并行處理。此情形下，亦可兩個粗動載臺的一方僅在曝光站200內移動，兩個粗動載臺的另一方僅在測量站300內移動。
[0461]此外，亦可取代測量載臺MST，而如例如美國專利第6，341，007號說明書及美國專利第6，262，796號說明書等所揭示再設置一個晶片載臺WST。此情形下，最好是將該再一個的晶片載臺(粗動載臺)構成為能從橫側卡合于測量臂71Α的形狀。如此，即能進行對一晶片載臺上的晶片的曝光處理與使用另一晶片載臺的上述的流處理的并行處理。
[0462]或者，亦可再設置一個晶片載臺WST。亦即，設置測量載臺MST與兩個晶片載臺。此情形下亦同樣地，能進行對一微動載臺WFS上的晶片的曝光處理與使用另一微動載臺WFS的上述的流處理的并行處理。進一步地，能在對一微動載臺WFS上的晶片的曝光處理結束后，至開始對另一微動載臺WFS上的晶片的曝光處理開始的期間，一邊將液體Lq保持于測量臺MTB與投影光學系統(tǒng)PL之間，一邊使用該測量臺MTB上的測量構件的各種測量。此情形下，無需在兩個晶片載臺的一方往另一方的置換中進行使用測量載臺MST的多個測量用構件(感測器)的測量動作全部，例如亦可在一方晶片載臺往另一方晶片載臺的置換中進行該多個測量的一部分，而在另一方晶片載臺往一方晶片載臺的置換中進行剩余的測量。
[0463]又，上述實施形態(tài)中，測量載臺MST亦可不一定要具有上述的各種測量用構件(感測器)，亦可僅單純取代晶片載臺WST而將液浸區(qū)域維持于投影光學系統(tǒng)PL下來使用。此情形下，亦可于晶片載臺設置上述的各種測量用構件(感測器)的至少一部分。
[0464]此外，亦可取代測量載臺MST，設置能在與晶片臺WTB間進行液浸區(qū)域的移交且將液浸區(qū)域的液體保持于與投影光學系統(tǒng)PL之間的板構件、或者設置例如美國發(fā)明專利申請公開第2010/0159403號說明書所揭示的輔助載臺。
[0465]又，上述實施形態(tài)中，雖說明了曝光裝置是步進掃描方式的情形，但并不限于此，亦能將上述實施形態(tài)適用于步進器等靜止型曝光裝置。又，亦能將上述實施形態(tài)適用于用以合成照射區(qū)域與照射區(qū)域的步進接合方式的縮小投影曝光裝置。
[0466]又，上述實施形態(tài)的曝光裝置中的投影光學系統(tǒng)并不僅可為縮小系統(tǒng)，亦可為等倍及放大系統(tǒng)的任一者，投影光學系統(tǒng)PL不僅可為折射系統(tǒng)，亦可是反射系統(tǒng)及反折射系統(tǒng)的任一者，其投影像亦可是倒立像與正立像的任一者。
[0467]又，照明光IL不限于ArF準分子激光(波長193nm)，亦能使用KrF準分子激光(波長248nm)等紫外光、或F2激光(波長157nm)等真空紫外光。亦可使用例如美國發(fā)明專利第7，023，610號說明書所揭示的諧波，其是以涂布有例如鉺(或鉺及鐿兩者)的光纖放大器，將從DFB半導體激光或纖維激光振蕩出的紅外線區(qū)可見區(qū)的單一波長激光放大來作為真空紫外光，并使用非線形光學結晶將其轉換波長成紫外光。
[0468]又，上述實施形態(tài)中，作為曝光裝置的照明光IL，并不限于波長IOOnm以上的光，亦可使用波長未滿IOOnm的光。例如，亦能將上述實施形態(tài)適用于使用軟X線區(qū)域(例如5?15nm的波長域)的EUV (Extreme Ultra Violet)光的EUV曝光裝置。此外，上述實施形態(tài)亦適用于使用電子射線或離子光束等的帶電粒子射線的曝光裝置。
[0469]又，上述實施形態(tài)中，雖使用于具光透射性的基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國發(fā)明專利第6，778，257號說明書所揭示的電子光罩來代替此光罩，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動光罩、或影像產(chǎn)生器，例如包含非發(fā)光型影像顯示元件(空間光調變器)的一種的DMD (DigitalMicro — mirror Device)等)是根據(jù)欲曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案、反射圖案、或發(fā)光圖案。在使用此種可變成形光罩時，由于搭載晶片或玻璃板的載臺相對可變成形光罩被掃描，因此能通過使用上述的第1、第2微動載臺位置測量系統(tǒng)110AU10B測量此載臺的位置，來得到與上述實施形態(tài)同等的效果。
[0470]又，上述實施形態(tài)亦能適用于，例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，通過將干涉紋形成于晶片W上、而在晶片W上形成線與間隔圖案的曝光裝置(微影系統(tǒng))。
[0471]進而，例如亦能將上述實施形態(tài)適用于例如美國發(fā)明專利第6，611，316號所揭示的曝光裝置，其是將兩個標線片圖案經(jīng)由投影光學系統(tǒng)在晶片上合成，通過一次的掃描曝光來對晶片上的一個照射區(qū)域大致同時進行雙重曝光。
[0472]又，上述實施形態(tài)中待形成圖案的物體(能量束所照射的曝光對象的物體)并不限于晶片，亦可是玻璃板、陶瓷基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。
[0473]曝光裝置用途并不限定于半導體制造用的曝光裝置，亦可廣泛適用于例如用來制造將液晶顯示元件圖案轉印于方型玻璃板的液晶用曝光裝置，或制造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。又，除了制造半導體元件等微型元件以外，為了制造用于光曝光裝置、EUV (極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將上述實施形態(tài)適用于用以將電路圖案轉印至玻璃基板或硅晶片等的曝光裝置。
[0474]半導體元件等電子元件，系經(jīng)由進行元件的功能、性能設計的步驟，根據(jù)此設計步驟制作標線片的步驟，從硅材料制作晶片的步驟，使用上述的實施形態(tài)的曝光裝置(圖案形成裝置)及其曝光方法將形成于光罩(標線片)的圖案轉印至晶片的微影步驟，將曝光后晶片加以顯影的顯影步驟，將殘存光阻的部分以外部分的露出構件以蝕刻加以去除的蝕刻步驟，去除經(jīng)蝕刻后不要的光阻的光阻除去步驟，元件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等加以制造。此場合，由于是于微影工藝，使用上述實施形態(tài)的曝光裝置實施上述曝光方法于晶片上形成元件圖案，因此能以良好的生產(chǎn)性制造高集成度的元件。上述實施形態(tài)的曝光裝置(圖案形成裝置)是通過組裝各種次系統(tǒng)(包含本案申請范圍中所列舉的各構成要素)，以能保持既定的機械精度、電氣精度、光學精度的方式所制造。為確保此等各種精度，于組裝前后，是進行對各種光學系統(tǒng)進行用以達成光學精度的調整、對各種機械系統(tǒng)進行用以達成機械精度的調整、對各種電氣系統(tǒng)進行用以達成電氣精度的調整。從各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝工藝，是包含機械連接、電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。當然，從各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝工藝前，有各次系統(tǒng)分別的組裝工藝。當各種次系統(tǒng)至曝光裝置的組裝工藝結束后，即進行綜合調整，以確保曝光裝置全體的各種精度。此外，曝光裝置的制造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理的潔凈室進行。
[0475]又，援用與上述說明中所引用的曝光裝置等相關的所有PCT國際公開公報、美國發(fā)明專利申請公開說明書及美國發(fā)明專利說明書的揭示作為本說明書記載的一部分。
【權利要求】
1.一種搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述搬入方法包含: 在所述保持裝置的上方的一區(qū)域中，一邊通過吸附構件從上方以非接觸方式保持所述物體，一邊通過能垂直移動的支承構件從下方支承所述物體的動作；以及 一邊維持通過所述吸附構件對所述物體的保持狀態(tài)及通過所述支承構件的支承狀態(tài)，一邊驅動所述吸附構件及所述支承構件下降直到所述物體的下面接觸所述保持裝置為止，以及在所述物體的下面接觸所述保持裝置之處，解除對所述物體的通過所述支承構件的支承及通過所述吸附構件的保持的動作。
2.根據(jù)權利要求1所述的搬入方法，其進一步包含:在通過所述支承構件從下方支承所述物體前，一邊通過所述吸附構件從上方以非接觸方式保持所述物體，一邊通過保持構件接觸保持所述物體的除了上面以外的一部分的動作；以及 通過所述支承構件從下方支承所述物體，且解除通過所述保持構件的接觸保持的動作。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的搬入方法，其中，所述吸附構件包含以非接觸方式保持所述物體的夾具構件與對所述物體進行控制溫度的控制溫度構件，且所述搬入方法進一步包含:一邊通過所述吸附構件從上方以非接觸方式保持所述物體，一邊將所述物體的溫度控制至目標溫度的動作。
4.根據(jù)權利要求3所述的搬入方法，其中，所述物體被控制至目標溫度直到通過所述吸附構件的保持解除為止。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一權利要求所述的搬入方法，其進一步包含:當所述吸附構件被向下驅動時，所述物體的下面接觸所述保持裝置為止的時間，測量所述物體的位置信息的動作。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一權利要求所述的搬入方法，其進一步包含:在通過所述支承構件使一定的彈壓力從下方對所述物體作用的狀態(tài)下進行保持所述物體的所述吸附構件及所述支承構件的向下驅動，并且克服所述彈壓力而使保持有所述物體的所述吸附構件向下驅動。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一權利要求所述的搬入方法，其進一步包含:在通過所述吸附構件保持前，通過搬送構件將所述物體搬送至所述保持裝置上方的所述吸附構件的下方的一區(qū)域。
8.—種曝光方法,其包含: 通過如權利要求1至7中任一權利要求所述的搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及 在搬入后以能量束使通過所述保持裝置所保持的所述物體曝光，以及于所述物體上形成圖案的動作。
9.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求8所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
10.一種搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述搬入方法包含: 在所述保持裝置的上方的一區(qū)域中，一邊通過第I支承構件從上方以非接觸方式支承所述物體，一邊通過與所述第I支承構件不同的第2支承構件接觸支承所述物體的動作；使所述第1、第2支承構件與所述保持裝置相對移動直到通過所述第1、第2支承構件所支承的所述物體的下面與所述保持裝置接觸為止的動作；以及 以所述保持裝置保持所述物體以使所述下面與所述保持裝置接觸的動作。
11.根據(jù)權利要求10所述的搬入方法，其中，通過所述保持裝置對所述物體的保持是與所述第2支承構件對所述物體的支承的解除同時開始。
12.根據(jù)權利要求10所述的搬入方法，其中，通過所述保持裝置對所述物體的保持是在所述第2支承構件對所述物體的支承的解除前開始。
13.根據(jù)權利要求10至12中任一權利要求所述的搬入方法，其中，所述第2支承構件支承事前已求出位置偏移量的物體。
14.根據(jù)權利要求13所述的搬入方法，其進一步包含:在通過所述保持裝置對所述物體的保持前微調整所述物體的位置的動作。
15.根據(jù)權利要求10至14中任一權利要求所述的搬入方法，其中，所述第2支承構件從下方支承所述物體。
16.—種曝光方法,其包含: 通過如權利要求10至15中任一權利要求所述的搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及 在搬入后以能量束使通過所述保持裝置所保持的所述物體曝光，以及于所述物體上形成圖案的動作。
17.—種元件制造方法，包含: 通過如權利要求16所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
18.一種搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述搬入方法包含: 于垂直方向位移通過第I支承構件從上方以非接觸方式支承的所述物體的至少一部分，使得通過第I支承構件以非接觸方式支承的所述物體的變形被抑制的動作；以及 所述第I支承構件與所述保持裝置于垂直方向相對移動，使得抑制所述變形的所述物體通過所述保持裝置所保持的動作。
19.一種曝光方法,其包含: 通過如權利要求18所述的搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及 在搬入后以能量束使通過所述保持裝置所保持的所述物體曝光，以及于所述物體上形成圖案的動作。
20.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求19所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
21.一種搬入方法，是將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域，所述搬入方法包含: 相對移動第I支承構件與保持裝置，使得在所述保持裝置上方通過所述第I支承構件從上方以非接觸方式支承的物體的下面與所述保持裝置接觸的動作； 對所述下面與所述保持裝置接觸的所述物體的至少一部分，通過所述第I支承構件從上方施予向下的力的動作；以及以所述保持裝置保持被施予所述向下的力的所述物體的動作。
22.—種曝光方法,其包含: 通過如權利要求21所述的搬入方法將薄板狀的物體搬入保持裝置上的一區(qū)域的動作；以及 在搬入后以能量束使通過所述保持裝置所保持的所述物體曝光，以及于所述物體上形成圖案的動作。
23.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求22所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
24.一種搬入系統(tǒng)，是搬送薄板狀的物體，所述搬入系統(tǒng)具備: 保持裝置，保持被載置的所述物體，且能沿既定平面移動； 吸附構件，在所述保持裝置的移動面上的第I位置上方，從上方以非接觸方式保持所述物體且能垂直移動；以及 支承構件，設于所 述保持裝置中，當所述保持裝置位于所述第I位置時，能從下方支承通過所述吸附構件保持的所述物體且能垂直移動，其中 一邊維持所述吸附構件對所述物體的保持狀態(tài)及所述支承構件對所述物體的支承狀態(tài)，一邊使所述吸附構件及所述支承構件向下驅動直到所述物體的下面接觸所述保持裝置為止，以及在所述物體的下面接觸所述保持裝置之處，解除所述支承構件的支承及所述保持構件的保持。
25.根據(jù)權利要求24所述的搬入系統(tǒng)，其進一步具備:保持構件，接觸保持通過所述吸附構件所保持的所述物體的除了上面以外的一部分，且在通過所述支承構件支承所述物體時解除所述接觸保持。
26.根據(jù)權利要求25所述的搬入系統(tǒng)，其中，所述保持構件能在對向于所述吸附構件下面的第I位置與不對向于所述吸附構件的第2位置之間移動且能垂直移動。
27.根據(jù)權利要求24至26中任一權利要求所述的搬入系統(tǒng)，其中，所述吸附構件包含以非接觸方式保持所述物體的夾具構件與對所述物體進行控制溫度的控制溫度構件，因而當所述物體通過所述吸附構件從上方以非接觸方式保持時，所述物體的溫度被控制至目標溫度。
28.根據(jù)權利要求27所述的搬入系統(tǒng)，其中，所述夾具構件包含利用貝努里效果來以非接觸方式保持所述物體的貝努里夾具。
29.根據(jù)權利要求24至28中任一權利要求所述的搬入系統(tǒng)，其進一步具備:測量系統(tǒng)，設于所述吸附構件中，測量所述物體的位置信息； 當所述吸附構件向下驅動時，直到所述物體的下面接觸所述保持裝置為止的時間期間，通過所述測量系統(tǒng)測量所述物體的位置信息。
30.根據(jù)權利要求24至29中任一權利要求所述的搬入系統(tǒng)，其中，所述支承構件被彈性構件賦予向上的彈壓力； 通過克服所述彈壓力而使保持所述物體的所述吸附構件向下驅動，從而進行保持所述物體的所述吸附構件及所述支承構件向下驅動。
31.根據(jù)權利要求24至30中任一權利要求所述的搬入系統(tǒng)，其進一步具備:搬送構件，在通過所述吸附構件保持前，將所述物體搬送至所述保持裝置上方的所述吸附構件的下方。
32.—種曝光裝置，是以能量束使薄板狀的物體曝光，以及于所述物體上形成圖案，其具備: 如權利要求24至31中任一權利要求所述的搬入系統(tǒng)，具有所述保持裝置，其具有設置在與所述既定面實質上平行的一表面上的測量面； 移動體，能沿所述既定面移動，將所述保持裝置沿所述既定面能相對移動地支承； 測量系統(tǒng)，通過對所述測量面照射至少一條測量光束，以及接收所述測量光束的來自所述測量面的返回光，以測量所述保持裝置的至少所述既定面內的位置信息；以及 驅動系統(tǒng)，根據(jù)通過所述測量系統(tǒng)所測量的所述位置信息，單獨或與所述移動體一體地驅動所述保持裝置。
33.根據(jù)權利要求32所述的曝光裝置，其進一步具備:光學系統(tǒng)，將所述能量束往所述物體射出；以及 保持所述光學系統(tǒng)的支架，其中 所述吸附構件與所述支架在振動上分離。
34.根據(jù)權利要求32或33所述的曝光裝置，其中，所述移動體于內部具有空間部； 所述測量系統(tǒng)具有于所述移動體的空間部內與所述測量面對向配置，對所述測量面照射所述測量光束并接收所述測量光束的來自所述測量面的光的讀頭部，根據(jù)所述讀頭部的輸出測量所述保持裝置的至少所述既定面內的位置信息。
35.一種兀件制造方法,包含: 通過如權利要求32至34中任一權利要求所述的曝光裝置使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
36.一種曝光方法,是經(jīng)由光學系統(tǒng)與液體以能量束使物體曝光,所述曝光方法包含: 在曝光站經(jīng)由所述光學系統(tǒng)與所述液體使能沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動的移動體所保持的所述物體曝光的動作；以及 在曝光前，從位于所述曝光站的平行于所述第I軸的第I方向的一側的裝載位置，往所述曝光站使保持所述物體的所述移動體在不接觸于所述液體的情形下移動，在所述移動的途中通過在平行于所述第2軸的第2方向上檢測區(qū)域的位置不同的多個標記檢測系統(tǒng)來檢測所述物體上的多個標記的動作。
37.根據(jù)權利要求36所述的曝光方法，其進一步包含:在所述移動體從所述裝載位置往所述曝光站移動時，檢測出在所述光學系統(tǒng)的光軸方向中的所述物體的表面位置的動作。
38.根據(jù)權利要求36或37所述的曝光方法，其中，通過對設于所述移動體的上面上的測量面照射測量光束以及接收所述測量光束的反射光，以測量在所述裝載位置與所述曝光站之間的移動路徑中的所述移動體的位置信息。
39.根據(jù)權利要求36至38中任一權利要求所述的曝光方法，其進一步包含:在設定于所述多個標記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域與所述曝光站之間的卸載位置處，從所述移動體上的一區(qū)域搬出已結束曝光的所述物體的動作。
40.根據(jù)權利要求39所述的曝光方法，其中，在所述曝光的動作，通過所述移動體所保持的所述物體的所述第2方向的一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的另一側往所述第I方向的一側曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的一側往所述第I方向的另一側曝光。
41.根據(jù)權利要求36至40中任一權利要求所述的曝光方法，其進一步包含:當所述移動體位于所述裝載位置時，使用所述多個標記檢測系統(tǒng)中特定的標記檢測系統(tǒng)來檢測所述移動體上的基準標記的動作。
42.—種元件制造方法，包含: 通過如權利要求36至41中任一權利要求所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
43.一種曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)與液體以能量束使物體曝光，所述曝光裝置具備: 第I移動體，保持所述物體并且能沿著包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動； 曝光部，具有對緊挨所述光學系統(tǒng)下方供應所述液體而形成液浸區(qū)域的液浸構件，以及在通過所述第I移動體所保持的物體上經(jīng)由所述液浸區(qū)域的所述液體進行曝光；以及 測量部，于所述測量部內部配置有定位于相關于所述曝光部的平行于所述第I軸的第I方向的一側上、在平行于所述第2軸的第2方向上檢測區(qū)域的位置不同的多個標記檢測系統(tǒng)，以及通過所述多個標記檢測系統(tǒng)進行所述物體上的多個標記的檢測，其中 所述第I方向的位置信息被設定在所述光學系統(tǒng)與所述多個標記檢測系統(tǒng)之間，使得當所述第I移動體從設定于所述測量部的所述第I方向的一側的裝載位置往所述曝光部移動，且在此移動路徑的途中進行所述多個標記檢測系統(tǒng)對所述物體上的所述標記檢測時，直到所述多個標記的檢測結束為止，所述第I移動體的任何部分均不接觸所述液浸區(qū)域。
44.根據(jù)權利要求43所述的曝光裝置，其進一步具備:能沿所述既定面與所述第I移動體獨立地移動的第2移動體，其中 所述液浸構件，于所述光學系統(tǒng)與所述第I移動體及第2移動體的至少一方之間形成液浸區(qū)域。
45.根據(jù)權利要求43或44所述的曝光裝置，其中，所述測量部進一步具有檢測出在所述光學系統(tǒng)的光軸方向的所述物體的表面位置的表面位置檢測系統(tǒng)； 當所述第I移動體從所述裝載位置往所述曝光部移動時，通過所述面位置檢測系統(tǒng)進行對所述物體的表面位置的檢測。
46.根據(jù)權利要求43至45中任一權利要求所述的曝光裝置，其進一步具備:測量系統(tǒng)，對設于所述第I移動體的上面上的測量面照射測量光束，接收所述測量光束的反射光，以及測量在所述裝載位置與所述曝光部之間的移動路徑中的所述第I移動體的位置信息。
47.根據(jù)權利要求43至46中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，于所述測量部與所述曝光部之間，設定有供進行從所述第I移動體上方的一區(qū)域搬出所述物體的卸載位置。
48.根據(jù)權利要求47所述的曝光裝置，其中，在所述曝光部，所述第I移動體所保持的所述物體的所述第2方向的一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的另一側往所述第I方向的一側曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的一側往所述第I方向的另一側曝光。
49.根據(jù)權利要求43至48中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，于所述第I移動體上設有基準標記；所述裝載位置設定于能通過所述多個標記檢測系統(tǒng)中特定的標記檢測系統(tǒng)來檢測所述基準標記的位置。
50.—種兀件制造方法,包含: 使用如權利要求43至49中任一權利要求所述的曝光裝置使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
51.—種曝光方法,是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光,所述曝光方法包含: 在曝光站經(jīng)由所述光學系統(tǒng)使能沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動的移動體所保持的所述物體曝光的動作；以及 在曝光前，保持所述物體的所述移動體從位于所述曝光站的平行于所述第I軸的第I方向中的一側分離的裝載位置往所述曝光站移動，在所述移動的途中通過于所述光學系統(tǒng)的所述第I方向中的一側上配置有檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)來檢測所述物體上的多個標記的動作；以及 在設定于所述標記檢測系統(tǒng)的檢測區(qū)域與所述曝光站之間的卸載位置處，從所述移動體上的一區(qū)域搬出已曝光的所述物體的動作。
52.根據(jù)權利要求51所述的曝光方法，其進一步包含:在使所述移動體從所述裝載位置往所述曝光站移動時，檢測出在所述光學系統(tǒng)的光軸方向的所述物體的表面位置的動作。
53.根據(jù)權利要求51或52所述的曝光方法，其中，所述卸載位置位在所述第I方向中的連結所述光學系統(tǒng)與所述標記檢測系統(tǒng)的直線上； 待機位置設定于所述卸載位置的平行于所述第2軸的第2方向的一側，所述待機位置作為被搬出的所述物體的等待位置直到往既定移交位置的搬送變成可能為止。
54.根據(jù)權利要求53所述的曝光方法，其中，在所述卸載位置處，通過第I卸載構件將通過所述移動體所保持的物體從上方搬出。
55.根據(jù)權利要求53或54所述的曝光方法，其中，通過第2卸載構件從所述第I卸載構件接取被所述第I卸載構件搬出的所述物體并從下方支承，且使所述第2卸載構件于所述待機位置等待直到不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉為止。
56.根據(jù)權利要求55所述的曝光方法，其進一步包含:當不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉的時點，使在所述待機位置處支承所述物體的所述第2卸載構件移動至所述移交位置的動作。
57.根據(jù)權利要求51至56中任一權利要求所述的曝光方法，其中，在所述曝光的動作，通過所述移動體所保持的所述物體在所述第2方向的一側上的半部區(qū)域被曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被曝光。
58.根據(jù)權利要求57所述的曝光方法，其中，在所述曝光中，通過所述移動體所保持的所述物體在所述第2方向的一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的另一側往所述第I方向的一側曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的一側往所述第I方向的另一側曝光。
59.根據(jù)權利要求51至58中任一權利要求所述的曝光方法，其進一步包含:當所述移動體位于所述裝載位置時，通過所述標記檢測系統(tǒng)來檢測所述移動體上的基準標記的動作。
60.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求51至59中任一權利要求所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
61.一種曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述曝光裝置具備: 移動體，能保持所述物體并且沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動； 曝光部，具有所述光學系統(tǒng)，以及對通過所述移動體所保持的所述物體進行曝光； 測量部，具有位于相關于所述曝光部的平行于所述第I軸的第I方向的一側上、于所述光學系統(tǒng)的所述第I方向的一側上配置有檢測區(qū)域的多個標記檢測系統(tǒng)，通過所述多個標記檢測系統(tǒng)進行所述物體上的多個標記的檢測； 裝載位置，設定于所述測量部的所述第I方向的一側，供進行所述物體往所述移動體上的一區(qū)域的搬入；以及 卸載位置，設定于所述測量部與所述曝光部之間，供進行從所述移動體上的一區(qū)域搬出所述物體。
62.根據(jù)權利要求61所述的曝光裝置，其中，所述測量部進一步具有檢測出在所述光學系統(tǒng)的光軸方向的 所述物體的表面位置的表面位置檢測系統(tǒng)。
63.根據(jù)權利要求61或62所述的曝光裝置，其中，所述卸載位置位于在所述第I方向中連結所述光學系統(tǒng)與所述測量部的直線上，在所述卸載位置的平行于所述第2軸的第2方向的一側設定有待機位置，所述待機位置作為被搬出的所述物體的等待位置直到往既定移交位置搬送變成可能為止。
64.根據(jù)權利要求63所述的曝光裝置，其進一步具備:卸載裝置，所述卸載裝置具有:第I卸載構件，在所述卸載位置處，將通過所述移動體所保持的所述物體從上方搬出；以及第2卸載構件，在所述卸載位置或所述待機位置處，從所述第I卸載構件接取所述物體，并且一邊支承所述物體，一邊在所述待機位置等待，直到不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉為止。
65.根據(jù)權利要求64所述的曝光裝置，其中，當不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉的時點，在所述待機位置處支承所述物體的所述第2卸載構件仍然一邊支承所述物體，一邊往所述移交位置移動。
66.根據(jù)權利要求64或65所述的曝光裝置，其進一步具備:保持所述光學系統(tǒng)的支架；以及 與所述支架振動地分離且支承所述卸載裝置的其他支架。
67.根據(jù)權利要求61至66中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，在所述曝光部中，通過所述移動體所保持的所述物體在所述第2方向的一側上的半部區(qū)域被曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被曝光。
68.根據(jù)權利要求67所述的曝光裝置，其中，在所述曝光部中，通過所述移動體所保持的所述物體在所述第2方向的一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的另一側往所述第I方向的一側曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的一側往所述第I方向的另一側曝光。
69.根據(jù)權利要求61至68中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，于所述移動體上設有基準標記； 所述裝載位置設定于能通過所述標記檢測系統(tǒng)來檢測所述基準標記的位置。
70.一種元件制造方法，包含: 使用如權利要求61至69中任一權利要求所述的曝光裝置使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
71.—種曝光方法，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述曝光方法包含: 在曝光站經(jīng)由所述光學系統(tǒng)使能沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動的移動體所保持的所述物體曝光的動作； 在曝光前，保持所述物體的所述移動體從位于所述曝光站的平行于所述第I軸的第I方向中的一側上分離的裝載位置往所述曝光站移動的動作；以及 在設定于所述曝光站與所述裝載位置間的卸載位置處，將曝光后的所述物體從所述移動體上的一區(qū)域搬出的動作； 在所述曝光中，通過所述移動體所保持的物體一邊與所述移動體沿既定路徑移動，一邊從遠離所述卸載位置的既定第I區(qū)域開始曝光，并且所述第I區(qū)域附近的區(qū)域最后被曝光。
72.根據(jù)權利要求71所述的曝光方法，其中，在所述曝光中，在平行于所述第2軸的第2方向的一側上的半部 區(qū)域被從所述第I方向的另一側往所述第I方向的一側曝光后，所述第2方向的另一側上的半部區(qū)域被從所述第I方向的一側往所述第I方向的另一側曝光。
73.根據(jù)權利要求71或72所述的曝光方法，其進一步包含:當所述移動體從所述裝載位置往所述曝光站移動時，通過檢測區(qū)域配置于所述裝載位置與所述曝光站間的標記檢測系統(tǒng)進行檢測所述物體上的多個標記的動作。
74.根據(jù)權利要求73所述的曝光方法，其進一步包含:當所述移動體從所述裝載位置往所述曝光站移動時，檢測在所述光學系統(tǒng)的光軸方向中的所述物體的表面位置的動作。
75.根據(jù)權利要求73或74所述的曝光方法，其中，所述卸載位置位于在所述第I方向中連結所述光學系統(tǒng)與所述標記檢測系統(tǒng)的直線上； 在所述卸載位置的所述第2方向的一側設定有待機位置，所述待機位置作為被搬出的所述物體的等待位置直到往既定移交位置搬送變成可能為止。
76.根據(jù)權利要求75所述的曝光方法，其中，在所述卸載位置處，通過第I卸載構件將所述移動體所保持的物體從上方搬出。
77.根據(jù)權利要求76所述的曝光方法，其中，通過第2卸載構件從所述第I卸載構件接取被所述第I卸載構件搬出的所述物體并且從下方支承，使所述第2卸載構件于所述待機位置等待直到不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉為止。
78.根據(jù)權利要求77所述的曝光方法，其進一步包含:當不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉的時點，使在所述待機位置支承所述物體的所述第2卸載構件移動至所述移交位置。
79.根據(jù)權利要求73至78中任一權利要求所述的曝光方法，其進一步包含:當所述移動體位于所述裝載位置時，通過所述標記檢測系統(tǒng)來檢測所述移動體上的基準標記的動作。
80.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求71至79中任一權利要求所述的曝光方法使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
81.—種曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)以能量束使物體曝光，所述曝光裝置具備:移動體，能保持所述物體并且沿包含彼此正交的第I軸及第2軸的既定面移動； 曝光部，具有所述光學系統(tǒng)，以及對通過所述移動體所保持的所述物體進行曝光； 裝載位置，設定于相關于所述曝光部的平行于所述第I軸的第I方向的一側，供進行所述物體往所述移動體上的一區(qū)域的搬入；以及 卸載位置，設定于所述曝光部與所述裝載位置之間，供進行從所述移動體上的一區(qū)域搬出所述物體； 在所述曝光部中，通過所述移動體所保持的所述物體一邊與所述移動體沿既定路徑移動，一邊從遠離所述卸載位置的既定第I區(qū)域開始曝光，以及所述第I區(qū)域附近的區(qū)域最后被曝光。
82.根據(jù)權利要求81所述的曝光裝置，其中，通過所述移動體所保持的所述物體在平行于所述第2軸的第2方向的一側的半部區(qū)域被從所述第I方向的另一側往所述第I方向的一側曝光后，所述第2方向的另一側的半部區(qū)域被從所述第I方向的一側往所述第I方向的另一側曝光。
83.根據(jù)權利要求81或82所述的曝光裝置，其進一步具備:測量部，定位在所述第I方向上位于所述卸載位置與所述裝載位置之間的位置，具有于所述光學系統(tǒng)的所述第I方向的一側上配置有檢測區(qū)域的標記檢測系統(tǒng)，以及通過所述標記檢測系統(tǒng)所檢測的所述物體上的多個標記。
84.根據(jù)權利要求83所述的曝光裝置，其中，所述測量部進一步具有檢測在所述光學系統(tǒng)的光軸方向的所述物體的表面位置的表面位置檢測系統(tǒng)。
85.根據(jù)權利要求83或84所述的曝光裝置，其中，所述卸載位置位于在所述第I方向中連結所述光學系統(tǒng)與所述標記檢測系統(tǒng)的直線上； 在所述卸載位置的所述第2方向的一側設定有待機位置，所述待機位置在成為能往既定移交位置搬送之前的期間作為被搬出的所述物體的待機位置。
86.根據(jù)權利要求85所述的曝光裝置，其進一步具備:卸載裝置，所述卸載裝置具有:第I卸載構件，在所述卸載位置處，將通過所述移動體所保持的所述物體從上方搬出；以及第2卸載構件，在所述卸載位置或所述待機位置處，從所述第I卸載構件接取所述物體，并且一邊支承所述物體，一邊在所述待機位置等待，直到不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉為止。
87.根據(jù)權利要求86所述的曝光裝置，其中，當不再產(chǎn)生與所述移動體的干涉的時點，在所述待機位置支承所述物體的所述第2卸載構件一邊仍然支承所述物體，一邊往所述移交位置移動。
88.根據(jù)權利要求86或87所述的曝光裝置，其進一步具備:保持所述光學系統(tǒng)的支架；以及 與所述支架振動地分離并且支承所述卸載裝置的其他支架。
89.根據(jù)權利要求83至88中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，于所述移動體上設有基準標記； 所述裝載位置設定于能通過所述標記檢測系統(tǒng)來檢測所述基準標記的位置。
90.一種元件制造方法，包含: 使用如權利要求81至89中任一權利要求所述的曝光裝置使物體曝光的動作；以及 使曝光后的所述物體顯影的動作。
91.一種曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)使基板曝光，所述曝光裝置具備: 基板載臺，具有載置所述基板的保持構件； 搬送裝置，具有從上方以非接觸方式支承所述基板的第I支承構件與接觸支承所述基板的與所述第I支承構件不同的第2支承構件；以及 驅動器，在至少垂直方向中相對移動所述第1、第2支承構件與所述保持構件，使得通過所述第1、第2支承構件支承的所述基板被移交至所述保持構件。
92.根據(jù)權利要求91所述的曝光裝置，其中，所述第2支承構件設于所述基板載臺上，并且從下方支承所述基板；以及 所述驅動器具有使所述第I支承構件與所述保持構件相對移動的第I驅動部、以及使所述第2支承構件與所述保持構件相對移動的與所述第I驅動部不同的第2驅動部。
93.根據(jù)權利要求92所述的曝光裝置，其中，所述第I驅動部設于所述搬送裝置中，并且驅動所述第I支承構件；以及所述第2驅動部設于所述基板載臺，并且驅動所述第2支承構件。
94.根據(jù)權利要求91至93中任一權利要求所述的曝光裝置，其進一步具備:控制器，控制所述第1、第2支承構件及所述保持構件對所述基板的支承與解除； 所述控制器在解除所述第I支承構件對所述基板的支承前開始通過所述保持構件對所述基板的保持。
95.根據(jù)權利要求94所述的曝光裝置，其中，所述控制器是在與所述第2支承構件對所述基板的支承的解除同時或解除通過所述第2支承構件所述基板的支承后開始通過所述保持構件對所述基板的保持。
96.根據(jù)權利要求94所述的曝光裝置，其中，所述控制器是在所述第2支承構件對所述基板的支承的解除前開始通過所述保持構件對所述基板的保持。
97.根據(jù)權利要求91至93中任一權利要求所述的曝光裝置，其進一步具備:控制器，控制通過所述第1、第2支承構件及所述保持構件對所述基板的支承與解除； 所述控制器在所述基板的裝載中控制所述第I支承構件的動作，使得通過所述保持構件所保持的所述基板實質上被平坦化或所述基板的彎曲被抑制或防止。
98.根據(jù)權利要求97所述的曝光裝置，其中，所述控制器控制所述第I支承構件，使得通過所述第I支承構件支承的所述基板的至少一部分于垂直方向中位移。
99.根據(jù)權利要求97或98所述的曝光裝置，其中，所述控制器控制所述第I支承構件，使得通過所述第I支承構件支承的所述基板實質上成為平坦。
100.根據(jù)權利要求97至99中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，所述控制器控制所述第I支承構件，使得從上方施加向下的力至通過所述第I支承構件支承的所述基板的至少一部分。
101.根據(jù)權利要求100所述的曝光裝置，其中，所述基板的下面與所述保持構件接觸的狀態(tài)下被施加所述向下的力至所述基板。
102.根據(jù)權利要求97至101中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，所述控制器執(zhí)行通過所述第1、第2支承構件對所述基板的支承的解除及通過所述保持構件對所述基板的支承的開始的至少一個動作，通過改變所述至少一個動作與所述基板的平坦化或彎曲的抑制或防止的其他動作的時點。
103.根據(jù)權利要求97至102中任一權利要求所述的曝光裝置，其進一步具備:通過所述搬送裝置裝載于所述保持構件上的所述基板的預對準裝置與控制溫度裝置的至少一方。
104.根據(jù)權利要求103所述的曝光裝置，其中，所述控制溫度裝置的至少一部分設于所述第I支承構件中，并且當通過所述第I支承構件支承所述基板的期間的至少一部分，所述控制溫度裝置進行所述基板的控制溫度。
105.根據(jù)權利要求103或104所述的曝光裝置，其中，所述預對準裝置的至少一部分設于所述第I支承構件中，并且當通過所述第I支承構件支承所述基板的期間中，所述預對準裝置測量所述基板的周緣的位置信息。
106.根據(jù)權利要求105所述的曝光裝置，其中，通過所述預對準裝置對所述基板的測量是在所述保持構件對所述基板的保持前進行。
107.根據(jù)權利要求106所述的曝光裝置，其中，所述第2支承構件支承所述基板，其中所述基板的所述周緣的位置信息已事前測量。
108.根據(jù)權利要求106或107所述的曝光裝置，其中，所述預對準裝置對所述基板的測量是在通過所述第1、第2支承構件的兩方支承所述基板的期間中進行，以及在所述保持構件對所述基板的保持前，根據(jù)所述測量的結果調整至少通過所述第I支承構件所支承的所述基板與所述保持構件的位置關系。
109.根據(jù)權利要求108所述的曝光裝置，其中，為了調整被支承的所述基板與所述保持構件的位置關系，移動所述第1、第2支承構件及所述保持構件的至少一個。
110.根據(jù)權利要求108或109所述的曝光裝置，其中，被支承的所述基板與所述保持構件的位置關系的調整是在所述第2支承構件對所述基板的支承的解除時進行，且已調整所述位置關系的所述基板被所述第2支承構件支承。
111.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求91至110中任一權利要求所述的曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使曝光后的所述基板顯影的動作。
112.—種曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)使基板曝光，所述曝光裝置具備: 基板載臺，具有載置所述基板的保持構件； 搬送裝置，具有從上方以非接觸方式支承所述基板的第I支承構件； 位移裝置，使通過所述第I支承構件支承的所述基板的至少一部分于垂直方向位移；以及 驅動器，在至少垂直方向中相對移動所述第I支承構件與所述保持構件，使得通過所述第I支承構件支承的所述基板被移交至所述保持構件，其中 在所述保持構件對所述基板的保持前進行藉所述位移裝置對所述基板的位移。
113.根據(jù)權利要求112所述的曝光裝置，其中，所述位移裝置至少包含所述第I支承構件； 且進一步具備:控制器，在所述基板的裝載中控制所述第I支承構件的動作，以便使所述基板的至少一部分于垂直方向位移。
114.根據(jù)權利要求113所述的曝光裝置，其中，所述控制器控制相關于所述基板的所述第I支承構件的斥力與引力的至少一方，使得通過所述保持構件所保持的所述基板實質上被平坦化或所述基板的彎曲被抑制或防止。
115.根據(jù)權利要求114所述的曝光裝置，其中，所述控制器控制所述第I支承構件的動作，使得通過所述第I支承構件支承的所述基板實質上成為平坦或變形。
116.根據(jù)權利要求113至115中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，所述位移裝置包含能對通過所述第I支承構件支承的所述基板從下方接觸的接觸構件；以及 所述控制器調整通過所述第I支承構件支承的所述基板與所述接觸構件的位置關系，以便使所述基板的至少一部分于垂直方向位移。
117.根據(jù)權利要求116所述的曝光裝置，其中，所述接觸構件包含能從下方支承通過所述第I支承構件所支承的所述基板的第2支承構件。
118.根據(jù)權利要求117所述的曝光裝置，其中，所述第2支承構件以相關于所述保持構件的相對地移動的方式設于所述基板載臺上。
119.根據(jù)權利要求113至118中任一權利要求所述的曝光裝置，其中，所述控制器控制所述第I支承構件，使得向下的力通過所述第I支承構件從上方施予到所述基板的至少一部分，其中所述基板的下面與所述保持構件接觸。
120.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求112至119中任一權利要求所述的曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使曝光后的所述基板顯影的動作。
121.—種曝光裝置，是經(jīng)由光學系統(tǒng)使基板曝光，所述曝光裝置具備: 基板載臺，具有載置所述基板的保持構件； 搬送裝置，具有從上方以非接觸方式支承所述基板的第I支承構件； 驅動器，在至少垂直方向中相對移動所述第I支承構件與所述保持構件，使得通過所述第I支承構件支承的基板被移交至所述保持構件；以及 控制器，控制所述第I支承構件，使得向下的力通過所述第I支承構件從上方施予到移交至所述保持構件的所述基板的至少一部分； 通過所述保持構件保持被施予所述向下的力的所述基板。
122.根據(jù)權利要求121所述的曝光裝置，其中，通過所述第I支承構件與所述保持構件的相對移動，所述向下的力被施予到所述基板，其中所述基板的下面與所述保持構件接觸。
123.一種元件制造方法，包含: 通過如權利要求121或122所述的曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使曝光后的所述基板顯影的動作。
【文檔編號】G03F7/20GK104024942SQ201280065171
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2012年12月28日 優(yōu)先權日:2011年12月29日
【發(fā)明者】柴崎佑一 申請人:株式會社尼康