專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)。更具體而言，本發(fā)明涉及一種其中可以提高排氣效率和減少PDP的噪聲的PDP。
背景技術：
三電極表面放電型是PDP的一種結構，且將作為示例描述。PDP包括維持電極、掃描電極和尋址電極。維持電極和掃描電極平行設置于前基板的同一平面上，且尋址電極在交叉維持電極和掃描電極的方向上設置于后基板上。障肋設置于前基板和后基板之間，即在維持電極和掃描電極的一側與尋址電極的一側之間。放電單元在平行設置的維持電極和掃描電極交叉尋址電極的部分處形成于障肋之間，放電空間形成于放電單元中，且放電空間用放電氣體填充。
PDP通過施加到掃描電極的掃描脈沖和施加到尋址電極的尋址脈沖通過尋址放電選擇了啟動的放電單元，且通過交替施加到所選擇的啟動的放電單元的維持電極和掃描電極通過維持放電實現圖像。每條掃描電極和尋址電極被獨立地控制。
PDP的維持電極和掃描電極設置于放電空間的前基板。因此，PDP在維持電極和掃描電極之間產生了等離子體放電，且將等離子體放電擴散向后基板，且等離子體放電激發(fā)了在放電空間內的磷光體以產生可見光。設置于前基板中的維持電極和掃描電極減少了放電單元的開口率且減小了可見光的透射率，所述可見光在放電單元內產生且射向前基板。因此，PDP的三電極表面放電類型具有低亮度和低發(fā)光效率。
如果PDP長時間使用，則電場導致放電氣體的帶電粒子在磷光體中產生離子濺射。磷光體中的離子濺射可以造成永久的余像。
作為消除余像產生的嘗試，最新開發(fā)的PDP如此配置使得維持電極和掃描電極包圍放電空間的側面，且尋址電極設置于后基板中。結果，可以增加放電單元的開口率，且可以改善可見光的透射率。
PDP在設置于前基板和后基板之間的偽單元的外部具有釉料區(qū)(fritregion)。施加在釉料區(qū)中的釉料用于將前基板和后基板彼此密封。換言之，基于施加在后基板的釉料區(qū)中的釉料將前基板在后基板上對準，且然后將前基板和后基板彼此貼附。
在PDP中，介質片包圍維持電極和掃描電極并形成放電空間，介質片緊密地粘結到前基板，由此降低了排氣效率。另外，介質片和前基板之間的弱粘結導致了PDP的噪聲的產生。
發(fā)明內容
本發(fā)明已經做出努力來提供其中可以提高排氣效率并可以減少PDP噪聲的PDP。
根據本發(fā)明的實施例的示范性等離子體顯示面板包括彼此相對設置的第一基板和第二基板，在其之間具有多個放電空間。多個放電空間形成了實現圖像的顯示區(qū)。顯示電極在基本垂直于第一基板和第二基板的方向上彼此相對設置，且設置于放電空間的側面，且形成以在第一方向延伸。尋址電極在交叉顯示電極的第二方向延伸。偽單元區(qū)位于顯示區(qū)的周邊且釉料區(qū)位于偽單元區(qū)的周邊。釉料區(qū)可以包括形成于第一基板的周邊上的第一釉料、形成于第二基板的周邊上的第二釉料、設置于第一基板和第二基板之間覆蓋顯示電極的介質層、和從顯示電極抽出到第一基板和第二基板的邊緣的電極端子。
電極端子可以貼附到第一釉料。
介質層可以貼附到第一釉料和第二釉料。
電極端子可以從介質層抽出到介質層和第二基板之間的空間。
介質層可以包括介質層片。
排氣路徑可以形成于第二基板和介質層片之間。排氣路徑的厚度可以相應于第二釉料的厚度。
排氣路徑可以形成于顯示區(qū)和偽單元區(qū)中。
多個第二釉料可以形成于第二基板的周邊且設置以在第一方向延伸，在第二方向在多個第二釉料的每個之間具有預定的距離。
顯示電極包括包圍在第一基板和第二基板之間的各個放電空間的一側的維持電極；和包圍各自放電空間的另一側的掃描電極，掃描電極與維持電極在基本垂直于第一基板和第二基板的方向上分開設置。
掃描電極和尋址電極之間的距離可以形成得比維持電極和尋址電極之間的距離短。
PDP可以還包括形成于暴露于放電空間的介質層的外表面上的保護層。
保護層可以對于可見光不透明。
圖1是根據本發(fā)明的第一和第二示范性實施例的PDP的平面圖。
圖2是根據本發(fā)明的第一示范性實施例的PDP的局部分解透視圖。
圖3是沿圖2所示的線III-III所取的PDP的橫截面圖。
圖4是沿圖2所示的線IV-IV所取的PDP的橫截面圖。
圖5是根據本發(fā)明的第二示范性實施例的PDP的局部橫截面圖。
具體實施例方式
參考圖1到3，PDP基本包括第一基板10(其后稱為“后基板”)和第二基板20(其后稱為“前基板”)，其彼此相對設置，在其之間具有預定的距離；和障肋16，設置于前基板10和后基板20之間。
障肋16在后基板10和前基板20之間分隔了多個放電空間17，且每個放電空間17形成了放電單元18。障肋層16可以形成于后基板10上方，如本示范性實施例，或其可以形成于前基板20上方，盡管沒有圖示。而且未圖示的是，障肋層16還可以與后基板10和前基板20分開或形成于兩者上方。
障肋層16可以將放電空間17形成為各種平面形狀(相對于x-y平面)。例如，放電空間17的平面形狀可以為多邊形形狀，比如矩形、六邊形和八邊形、圓形或橢圓形。在第一示范性實施例中示例的放電空間17形成為矩形形狀。
放電空間17包括用于吸收真空紫外線(VUV)和發(fā)射可見光的磷光層19，且用放電氣體填充，例如包含氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體以通過等離子體放電產生VUV線。
磷光層19可以形成于放電空間17的內表面上方和前基板20和后基板10的一個或兩個表面上方，放電空間17由障肋層16構造，前基板20和后基板10形成放電空間17。如所示，當磷光層19形成于后基板10上方時，磷光層19形成為反射型，其中磷光層19在放電空間17的內側吸收VUV線且將可見光反射向前基板20。
另外，雖然未圖示，但是當磷光層19形成于前基板20上方時，磷光層19形成為透射型，其中磷光層19在放電空間17的內側吸收VUV線且透射可見光。磷光層19還可以形成于前基板20和后基板10的上方。
根據本發(fā)明的第一示范性實施例，PDP包括設置于后基板10和前基板20之間的尋址電極11和顯示電極，以通過由等離子體放電產生與磷光層19碰撞的VUV線來實現圖像。顯示電極包括維持電極31和掃描電極32，其在垂直于前基板20和后基板10的方向上彼此相對設置，且設置于放電空間17的側面中。維持電極31和掃描電極32形成以在第一方向延伸(例如，x軸方向)。具體而言，尋址電極11對應于各自的放電空間17。維持電極31包圍各自的放電空間17的一側，在垂直于在放電空間17的后基板10和前基板20的平面的方向上(即，z軸方向)，且在第一方向連接。掃描電極32包圍各自的放電空間17的另一側，而且在垂直方向(即，z軸方向)上與維持電極31和尋址電極11分開設置，且在第一方向(即，x軸方向)連接。
雖然未圖示，但是除維持電極31和掃描電極32以外，尋址電極11也可以形成于分開的電極層中，且它們可以設置于前基板10和后基板20之間。如圖示，維持電極31和掃描電極32可以形成于分開的電極中，且可以設置于后基板10和前基板20之間。在該情形，尋址電極11可以形成于后基板10上方。雖然未圖示，尋址電極11可以形成于前基板20上。
在本示范性實施例中，尋址電極11形成于后基板10上方，且障肋層16形成于后基板10上方。維持電極31和掃描電極32形成于分開的電極層30中，其設置于前基板20和障肋層16之間。雖然未圖示，但是維持電極31和掃描電極32也可以直接形成于障肋層16內。在該情形，電極層30的附加作用為界定放電空間17的障肋層16。
如本示范性實施例所示，形成每個尋址電極11以在后基板10的內表面上沿第二方向(例如，y方向)延伸，且由此尋址電極11連續(xù)地對應于在第二方向相鄰的放電空間17。多個尋址電極11平行排列，在其之間具有一定的距離，分別對應于在第一方向(即，x軸方向)相鄰的放電空間17，所述第一方向與所述第二方向(即，y軸方向)交叉。
尋址電極11形成于后基板10的內表面上方，且可以用介質層13覆蓋。介質層13減小了放電期間正離子或電子對尋址電極11的直接碰撞，從而可以減小對于尋址電極11的損傷。介質層13包括介質材料，使得壁電荷能夠在其上積累。在設置介質層13的情形，磷光層19形成于放電空間17的內表面上方且在設置于放電空間17內的介質層13的表面上方。
如所示，當尋址電極13形成于不透射可見光的后基板10上方時，尋址電極11可以包括具有良好導電性的金屬材料。
為了通過施加到尋址電極11的尋址脈沖和施加到掃描電極32的掃描脈沖來尋址一個放電空間17的目的，尋址電極11在交叉掃描電極32和維持電極31的方向延伸。另外，尋址電極11與維持電極31和掃描電極32在相對于后基板10和前基板20的垂直方向(即，z軸方向)分開設置。
維持電極31和掃描電極32使用交替施加在通過尋址放電選擇的放電空間17的維持脈沖，通過產生維持放電實現圖像。為了維持放電，維持電極31和掃描電極32在電極層30內在相對于后基板10和前基板20的垂直方向(即，z軸方向)上彼此分開設置?？梢孕纬删S持電極31和掃描電極32以具有對稱的結構。
因為尋址電極11、維持電極31和掃描電極32可以根據施加到其的信號電壓而起到不同的作用，電極11、31、32之間的關系以及電壓信號不僅限于其中電壓信號施加到電極11、31、32的關系。
在本示范性實施例中，尋址電極11設置于后基板10中，且障肋層16設置于尋址電極11上方。維持電極31和掃描電極32形成于電極層30中，其設置于障肋層16和前基板20之間。在電極層30內，維持電極31設置于前基板20側，而掃描電極32設置于障肋層16側。換言之，掃描電極32和尋址電極11之間的距離D1形成得比維持電極31和尋址電極11之間的距離D2短。因此，在掃描電極32和尋址電極11之間存在短的放電間隙，且由此尋址放電可以使用低電壓水平來產生。
維持電極31形成于后基板10和前基板20之間以在相對于后基板10和前基板20的垂直方向(即，z軸方向)包圍各自的放電空間17的一側。
掃描電極32與尋址電極31分開設置，且形成于后基板10和前基板20之間以在相對于后基板10和前基板20的垂直方向(即，z軸方向)包圍各自的放電空間17的另一側。
如圖3所示，形成維持電極31和掃描電極32以在相對于后基板10和前基板20的垂直方向(即，z軸方向)具有對稱的結構。因此，在維持電極31和掃描電極32之間產生的維持放電指向在放電空間17內的垂直方向(即，z軸方向)。維持放電的該特定方向導致由施加到維持電極31和掃描電極32的電壓產生的電場集中在放電空間17的中心。因此，可以改善發(fā)光效率，且在延長的放電的情形產生的離子由于該電場而不與磷光層19碰撞。因此，可以減小由離子濺射導致的對磷光層19的損傷。
因為維持電極31和掃描電極32形成為包圍放電空間17、所以在放電空間17內在垂直方向產生的維持放電可以遍及放電空間17的整個內表面均勻地形成。
維持電極31和掃描電極32與分開的電極層30一起設置于放電空間17的側面。為此，維持電極31和掃描電極32不阻擋可見光。因此，維持電極31和掃描電極32可以包括具有良好導電性的金屬材料。
維持電極31和掃描電極32用介質層覆蓋，由此形成相互絕緣的結構。在本示范性實施例中，介質層包括介質層片34。維持電極31、掃描電極32和覆蓋維持電極31和掃描電極32的介質層片34構成電極層30。介質層片34在放電期間集聚壁電荷，而且形成了各自的電極(即，維持電極31和掃描電極32)的絕緣結構。形成于維持電極31和掃描電極32的外表面上方的介質層片34可以形成矩形形狀的放電空間17，其相應于障肋層16的結構。維持電極31、尋址電極32和介質層片34可以通過厚膜陶瓷片方法(TFCS方法)制造。
因為介質層片34和障肋層16形成放電空間17，所以介質層片34可以用在放電空間17的內表面上方的保護層36覆蓋。具體而言，保護層36可以形成于暴露于在放電空間17中產生的等離子體放電的部分。雖然保護層36保護介質層片34且需要高二次電子發(fā)射系數，但是保護層36不需具有相對于可見光的透明特性。換言之，因為維持電極31和掃描電極32沒有形成于前基板20上方和后基板10上方，而是形成于前基板20和后基板10之間，所以形成于介質層34上方的保護層36可以包括相對于可見光表現非透明特性的材料，介質層34覆蓋了維持電極31和掃描電極32。作為保護層36的示例，相對于可見光是非透明的氧化鎂(MgO)與相對于可見光為透明的MgO相比，具有更高的二次電子發(fā)射系數。因此，非透明MgO可以將放電點火電壓水平降到更大水平。
圖4是沿圖2所示的線IV-IV所取的PDP的局部橫截面圖。根據第一示范性實施例的PDP包括顯示區(qū)Ad、偽單元區(qū)Cd和釉料區(qū)Af。
因為顯示區(qū)Ad如上所述設置，可以產生尋址放電和維持放電。
偽單元區(qū)Cd形成于顯示區(qū)Ad的外側。因為磷光層19沒有形成于偽單元區(qū)Cd中，所以在偽單元區(qū)Cd中沒有產生可見光。
釉料區(qū)Af是后基板10和前基板20彼此貼附的區(qū)域。釉料區(qū)Af包括第一釉料41、第二釉料42、介質層片34和電極端子312。第一釉料41形成于后基板10的周邊上，且第二釉料42形成于前基板20的周邊上。覆蓋顯示電極的介質層片34設置于第一釉料41和第二釉料42之間。電極端子312抽出到后基板10和前基板20的邊緣。電極端子312連接到圖1中的電極端子部分311，且由此將維持脈沖施加到維持電極31。
雖然未圖示，但是與維持電極31側類似，第一釉料41、第二釉料42、介質層片34和掃描電極32的電極端子與電極端子312相對設置。掃描電極32的電極端子連接到電極端子部分321，電極端子部分321設置成相對于維持電極31的電極端子312。因此，可以將維持脈沖或掃描脈沖施加到掃描電極32。
如圖1、2和4所示，第一釉料41形成于后基板10的周邊上且貼附于其。電極端子312抽出到釉料區(qū)Af，且貼附到第一釉料41。雖然未圖示，但是與維持電極31側類似，掃描電極32的電極端子抽出以相對于維持電極31的電極端子312，且貼附到第一釉料41。
第二釉料42形成于前基板10的周邊上在釉料區(qū)Af中，且貼附于其。第二釉料42夾置在介質層片和前基板20之間，具有預定的厚度t。
因此，當前基板20和后基板10對準且彼此貼附時，介質層片34和電極端子312夾置于其之間。
因為第一釉料(frit)41設置于后基板10且第二釉料42設置于前基板20，所以電極端子312和介質層片34可以貼附到前基板20。由此，可以改善前基板20和后基板10之間的貼附強度。另外，可以減小前基板20和后基板10的振動，且可以降低PDP的噪聲。
排氣路徑43形成于前基板20和介質層片34之間。具體而言，排氣路徑43形成于顯示區(qū)Ad和偽單元區(qū)Cd中，且其厚度相應于在z軸方向測量的第二釉料42的厚度。為了容易地形成排氣路徑43的目的，形成第二釉料42以在交叉尋址電極11的方向(例如，x軸方向)延伸。另外，多個第二釉料42在長度方向(例如y軸方向)在其之間以預定的間距排列。
因此，由第二釉料42界定的排氣路徑的厚度相應于第二釉料42的厚度t。因為排氣路徑43由第二釉料42界定，所以當放電空間17中的殘留空間被排氣時，可以改善排氣的效率(例如圖4)。
圖5是根據本發(fā)明的第二示范性實施例的PDP的局部橫截面圖。與第一示范性實施例不同，配置第一釉料241以不直接貼附到電極端子314。換言之，電極端子314從介質層片234抽出到前基板20和介質層片234之間的空間。由此，介質層片234直接貼附到第一釉料241和第二釉料242，且電極端子314不貼附到第一釉料241。通過該配置，介質層片234貼附到前基板20和后基板10，且由此可以改善貼附強度且減小PDP的噪聲。
如上所述，根據本發(fā)明的示范性實施例的PDP包括顯示區(qū)、偽單元區(qū)和釉料區(qū)。另外，釉料區(qū)包括形成于后基板上的第一釉料、形成于前基板上的第二釉料、從顯示電極抽出的電極端子、和介質層片。介質層片和電極端子貼附到第一釉料，且介質層片和前基板貼附到第二釉料。由此，顯示區(qū)和其中沒有形成第二釉料的偽單元區(qū)具有在介質層片和前基板之間的排氣路徑，由此改善了排氣效率。另外，因為第二釉料可以加強介質層片和前基板之間的貼附強度，可以減小PDP的噪聲。
雖然結合目前被認為是實際上的示范性實施例來描述了本發(fā)明，但是可以理解本發(fā)明并不限于所公開的實施例，而是相反旨在覆蓋包括在權利要求的精神和范圍內的各種修改和等同的設置。
權利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括彼此相對設置的第一基板和第二基板，在所述第一基板和第二基板之間具有多個放電空間，所述多個放電空間形成實現圖像的顯示區(qū)；顯示電極，在垂直于所述第一基板和第二基板的方向上彼此相對設置，且設置于所述放電空間的側面，且形成為在第一方向延伸；尋址電極，在與所述顯示電極交叉的第二方向延伸；偽單元區(qū)，位于所述顯示區(qū)的周邊；以及釉料區(qū)，位于所述偽單元區(qū)的周邊，所述釉料區(qū)包括形成于所述第一基板的周邊上的第一釉料、形成于所述第二基板的周邊上的第二釉料、設置于所述第一基板和第二基板之間覆蓋所述顯示電極的介質層、和從所述顯示電極抽出到所述第一基板和第二基板的邊緣的電極端子。
2.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述電極端子貼附到所述第一釉料。
3.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述介質層貼附到所述第一釉料和所述第二釉料。
4.根據權利要求3所述的等離子體顯示面板，其中所述電極端子從所述介質層抽出到所述介質層和所述第二基板之間的空間。
5.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述介質層包括介質層片。
6.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中排氣路徑形成于所述第二基板和介質層片之間，所述排氣路徑的厚度對應于所述第二釉料的厚度。
7.根據權利要求6所述的等離子體顯示面板，其中所述排氣路徑形成于所述顯示區(qū)和所述偽單元區(qū)中。
8.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括多個第二釉料，所述多個第二釉料形成于所述第二基板的周邊且設置為在所述第一方向延伸，在所述第二方向在所述多個第二釉料的每個之間具有預定的距離。
9.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述顯示電極包括包圍在所述第一基板和所述第二基板之間的各個放電空間的一側的維持電極；和包圍各個放電空間的另一側的掃描電極，所述掃描電極與所述維持電極在垂直于所述第一基板和第二基板的方向上分開設置。
10.根據權利要求9所述的等離子體顯示面板，其中所述掃描電極和尋址電極之間的距離形成得比所述維持電極和尋址電極之間的距離短。
11.根據權利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括保護層，所述保護層形成于暴露于所述放電空間的介質層的外表面上。
12.根據權利要求11所述的等離子體顯示面板，其中所述保護層相對于可見光不透明。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板。所述等離子體顯示面板，包括彼此相對設置的第一基板和第二基板，在第一基板和第二基板之間具有多個放電空間，多個放電空間形成了實現圖像的顯示區(qū)；顯示電極，在基本垂直于第一基板和第二基板的方向上彼此相對設置，且設置于放電空間的側面，且形成以在第一方向延伸；尋址電極，在交叉顯示電極的第二方向延伸；偽單元區(qū)，位于顯示區(qū)的周邊；以及釉料區(qū)，位于偽單元區(qū)的周邊，釉料區(qū)包括形成于第一基板的周邊上的第一釉料、形成于第二基板的周邊上的第二釉料、設置于第一基板和第二基板之間覆蓋顯示電極的介質層、和從顯示電極抽出到第一基板和第二基板的邊緣的電極端子。
文檔編號H01J11/54GK1841632SQ200610071948
公開日2006年10月4日 申請日期2006年4月3日 優(yōu)先權日2005年4月1日
發(fā)明者姜景斗, 李源周, 金世宗, 柳憲錫, 禹錫均 申請人:三星Sdi株式會社