專利名稱：一種在磁制冷材料表面制作薄膜的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在磁制冷材料表面制作薄膜的方法及裝置，所屬制冷領(lǐng)域，特別是基于磁熱效應(yīng)的磁制冷領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
材料的磁熱效應(yīng)是磁制冷機(jī)的物理基礎(chǔ)，在室溫磁制冷技術(shù)中，使用固相磁制冷材料進(jìn)入磁場(chǎng)后，材料升溫或降溫；離開磁場(chǎng)時(shí)材料降溫或升溫。利用換熱流體與其進(jìn)行熱交換達(dá)到制冷或制熱的目的。由于室溫磁制冷機(jī)采用的同態(tài)制冷劑和外加磁場(chǎng)，沒有對(duì)環(huán)境產(chǎn)生危害的物質(zhì)，不會(huì)造成污染，由此被認(rèn)為是目前廣泛采用的氣體壓縮制冷技術(shù)最好的替代技術(shù)，具有巨大的潛在應(yīng)用市場(chǎng)。
用于室溫磁制冷技術(shù)的材料稱為磁制冷工質(zhì)。它不僅應(yīng)該有高的磁熵變和絕熱溫變，還要有良好的換熱效率，同時(shí)與換熱流體之間不會(huì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)造成材料的性能下降甚至失效。美國專利US4727722采用厚76μm，中間有127μm間隙的金屬釓片組作為磁制冷工質(zhì)。美國專利US5934078采用0.2mm大小的釓粒作為磁制冷工質(zhì)，上述美國專利對(duì)金屬釓防腐均未涉及。據(jù)美國卡爾教授在2003年4月在奧斯町召開的美國物理年會(huì)的報(bào)告，日本Chubu電子和東芝的磁制冷機(jī)采用Gd1-xDyx作為磁制冷劑(2002年和2003年)；法國電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的試驗(yàn)用機(jī)采用Gd片作為磁制冷劑(2003年)；中國南京大學(xué)實(shí)驗(yàn)樣機(jī)的制冷劑分別采用Gd顆粒和Gd-Si-Ge顆粒也取得了較好的制冷效果(2002年)。
綜上所述，目前磁制冷機(jī)一般采用以稀土金屬Gd、Gd為基體的化合物和其它稀土金屬及其化合物作為磁制冷工質(zhì)。這是因?yàn)榈侥壳盀橹乖囼?yàn)研究發(fā)現(xiàn)，這些材料的磁熱效應(yīng)十分強(qiáng)，而且有良好的導(dǎo)熱能力和熱交換能力，總體優(yōu)于其它金屬、合金和化合物。在磁制冷機(jī)使用過程中的熱交換流體一般采用水或加了防凍劑的水。這是因?yàn)樗臒崛萘枯^大，而且對(duì)環(huán)境沒有任何污染。使用證明，Gd及其合金和其它稀土金屬及其合金在水中十分容易被腐蝕。蒸餾水會(huì)在24小時(shí)之內(nèi)對(duì)Gd造成腐蝕，而自來水會(huì)在幾小時(shí)內(nèi)對(duì)Gd及其合金造成腐蝕。這是因?yàn)橄⊥两饘倬哂休^強(qiáng)的化學(xué)活性，能與水中的離子結(jié)合生成化合物。因此，解決這一問題是促進(jìn)磁制冷技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。專利申請(qǐng)?zhí)枮?2113407.3披露了將磁制冷材料包覆在導(dǎo)熱能力強(qiáng)的金屬片中的的方法，使磁制冷材料不直接接觸換熱流體。但此方法不能直接用于單個(gè)細(xì)小顆粒磁制冷材料上。專利申請(qǐng)?zhí)枮?2137954.8披露了一種復(fù)合磁制冷工質(zhì)的方法，可以避免部分磁制冷材料直接接觸換熱流體，但仍有部分磁制冷材料直接接觸換熱流體。專利申請(qǐng)?zhí)枮?3127022.0為解決這一問題，發(fā)明了在水中加入緩蝕劑，達(dá)到了延緩Gd的腐蝕提高磁制冷工質(zhì)壽命的目的。
本發(fā)明根據(jù)一些金屬和合金在水和水溶液中耐腐蝕的特點(diǎn)，采用這些材料在磁制冷材料表面制作防腐蝕金屬和合金薄膜，不僅有效地隔斷了換熱流體與磁制冷材料的接觸，不會(huì)使磁制冷材料腐蝕，也使換熱的效率不會(huì)降低。這種方法不僅僅可以適用于Gd及其基體的磁制冷材料，也可以適用于在所有在水中容易腐蝕的所有的磁制冷材料；不僅僅適用于片狀磁制冷材料，同時(shí)可以應(yīng)用于各種形狀的磁制冷材料，能夠解決磁制冷材料在換熱流體中易腐蝕的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)磁制冷材料，主要是稀土金屬及其合金，在熱交換介質(zhì)中容易被腐蝕的問題，在磁制冷材料上制作一層防腐蝕的金屬或合金薄膜，使其在磁制冷機(jī)中浸入換熱介質(zhì)工作時(shí)，與換熱介質(zhì)(水及其各種溶劑)隔絕，不直接接觸換熱介質(zhì)而不會(huì)受到腐蝕，達(dá)到保護(hù)磁制冷工質(zhì)，延長(zhǎng)磁制冷工質(zhì)的使用壽命的目的。
本發(fā)明的技術(shù)方案是在磁制冷材料稀土金屬及其合金上制作一層防腐蝕的金屬或合金薄膜，其特征在于在磁控濺射裝置內(nèi)放置耐腐蝕的濺射金屬材料作為靶材，利用低溫磁控濺射方法在磁制冷材料的表面鍍膜，磁控濺射機(jī)的濺射靶在真空室的上部，具有負(fù)直流高壓200～2000伏，濺射方向從上向下，磁制冷材料在下部，接地，接受濺射出的靶材原子，使磁制冷材料的表面上沉積一層金屬或合金薄膜，濺射薄膜可以是一層，也可以是多層。
所述的薄膜厚度為0.1～6μm。
所述的濺射金屬材料是鈦、鋁、鎳、銅、鋯、不銹鋼等或其它耐水及水溶液腐蝕的金屬和合金。
所述的磁制冷材料的形狀是片狀、塊狀、絲狀或顆粒狀。
所述的磁制冷材料為金屬Gd，合金Gd5(Si1-xGex)4，[x＝0～0.6]、LaFe11.2Si0.7Co1.1、MnFeP0.45As0.55、MnAs1-xSbx，[x＝0.1～0.2]、Gd1-xDyx，[x＝0.5～1]或其它磁制冷材料。
所述的磁制冷材料在處理前要經(jīng)過清洗，放入真空罐后，原始真空度達(dá)到1×10-2～1×10-4Pa，濺射時(shí)高純氬氣的工作壓力為0.1～5Pa。
所述的磁制冷材料可以加熱，也可以不加熱，溫度不超過200℃。
所述的磁控濺射裝置是由真空系統(tǒng)、真空鐘罩、工件架總成、靶材、永磁體、濺射槍、電控系統(tǒng)控制柜組成。
所述的一種在磁制冷材料表面制作薄膜的裝置，其真空系統(tǒng)由機(jī)械泵和擴(kuò)散泵組成，安裝在磁控濺射裝置的工作臺(tái)下部，真空系統(tǒng)的管道與真空鐘罩聯(lián)通，真空鐘罩可以上下升降，真空鐘罩上升后可以安裝工件架總成和放置磁制冷材料在工件架總成上；濺射槍為中空密封圓柱體，下部安裝永磁體，靶材緊貼永磁體固定在濺射槍上，濺射槍通過絕緣材料安裝在真空鐘罩上部，真空鐘罩上部留有冷卻水進(jìn)出水管道；電控系統(tǒng)控制柜將220伏交流電轉(zhuǎn)換為直流電，通過調(diào)壓器使直流電為200～2000伏，負(fù)極接在濺射槍上，正極接在工件架總成上并同時(shí)接地。
所述的工件架總成依據(jù)磁制冷材料的形狀不同可配置振動(dòng)器總成或攪拌器總成。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是稀土金屬和稀土金屬合金在一般狀況下，與其它金屬或合金的潤(rùn)濕性差，采用其它表面鍍膜的方法，如電鍍、化學(xué)還原等均不能很好地解決表面潤(rùn)濕問題，從而造成材料表面不能均勻形成一層金屬薄膜，起不到保護(hù)磁制冷材料的目的。本發(fā)明采用磁控濺射方法對(duì)磁制冷材料表面濺射一層均勻的金屬薄膜過程中，由于磁控濺射中，金屬粒子有很大的沖擊能量，使金屬薄膜與磁制冷材料有很強(qiáng)的結(jié)合力；通過控制其工藝參數(shù)還可以做到控制薄膜厚度，使金屬薄膜更加致密，達(dá)到保護(hù)磁制冷材料的目的。在處理過程中，磁制冷材料的溫度在不超過200℃，金屬粒子對(duì)磁制冷材料的沖擊僅會(huì)使磁制冷材料升溫很少，不會(huì)造成磁制冷材料的物理性能改變。本發(fā)明不僅可以對(duì)片狀、塊狀、絲狀的磁制冷材料表面進(jìn)行處理，而且也可以對(duì)顆粒狀磁制冷材料進(jìn)行表面處理。本發(fā)明設(shè)計(jì)了專門用于顆粒狀磁制冷材料的振動(dòng)器或攪拌器，使磁制冷材料顆粒在濺射過程中均勻地與濺射出的離子或原子接觸，形成一層金屬薄膜。


結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明圖1、磁控濺射裝置示意圖。
圖2、振動(dòng)器總成示意圖。
圖3、攪拌器總成示意圖。
圖4、處理后的磁制冷材料示意圖。
1、真空系統(tǒng)，2、真空鐘罩，3、工件架總成，4、磁制冷材料，5、靶材，6、永磁體，7、濺射槍，8、電控系統(tǒng)控制柜，9、振動(dòng)器底座，10、電磁鐵，11、彈簧，12、板彈簧，13、沖擊塊，14、振動(dòng)器工件盒，15、攪拌器底座，16、變速器，17、傳動(dòng)付，18、攪拌葉片，19、攪拌器工件盒，20、薄膜。
如圖1所示為磁控濺射裝置示意圖。真空系統(tǒng)1由機(jī)機(jī)泵和擴(kuò)散泵組成，安裝在磁控濺射裝置的工作臺(tái)下部，真空系統(tǒng)1出口的管道與真空鐘罩2聯(lián)通，真空鐘罩2可以上下升降，真空鐘罩2上升后可以安裝工件架總成3和放置磁制冷材料4在工件架總成3上。濺射槍7為中空密封圓柱體，部下安裝永磁體6，靶材5緊貼永磁體6固定在濺射槍7上，濺射槍7通過絕緣材料安裝在真空鐘罩2上部，真空鐘罩2上部留有冷卻水進(jìn)出水口。電控系統(tǒng)控制柜8的負(fù)極接在濺射槍7上，正極接在工件架總成3上并同時(shí)接地。
磁控濺射裝置的工作過程是起動(dòng)真空系統(tǒng)1，通過管道與真空鐘罩2相連，達(dá)到一定的真空度后，通過管道B充人一定量的氬氣，使真空罐內(nèi)的壓力達(dá)到所要求的值。啟動(dòng)電力系統(tǒng)控制柜8，這時(shí)通過管道A的冷卻水冷卻濺射槍7。濺射槍7與工件磁制冷材料4之間存在負(fù)直流高壓200～2000伏，使罐中的氬氣電離，由于永磁體6的作用，使其沖擊靶材5，靶材5表面上的原子受到氬離子沖擊后獲得足夠的能量離開靶材5，在電場(chǎng)中以一定速度沖擊接地的磁制冷材料4。由于磁制冷材料4表面經(jīng)過清洗和其它處理，表面活性大，金屬原子在它的表面堆積，最后形成一定厚度的薄膜。濺射時(shí)間越長(zhǎng)，電流越大，薄膜的厚度越厚。當(dāng)磁制冷材料4的形狀為片狀、塊狀材料或絲狀材料時(shí)，工件架總成3可以是靜止的，如果要處理顆粒狀磁制冷材料4時(shí)，工件架總成3可以采用圖2或圖3的振動(dòng)器總成或攪拌器總成。
如圖2所示為振動(dòng)器總成示意圖。當(dāng)處理顆粒狀磁制冷材料4時(shí)，工件架總成3內(nèi)安裝振動(dòng)器總成，振動(dòng)器底座9上安裝彈簧11和電磁鐵10，板彈簧12與彈簧11連接，也與工件盒14連接在一起。電磁鐵10的電源接通后，沖擊塊13向上沖擊板彈簧12使彈簧11振動(dòng)，調(diào)節(jié)電源的電流大小和頻率可以調(diào)節(jié)工件盒14的振幅和頻率。采用一個(gè)以上的電磁鐵10可以使振動(dòng)器工件盒14中的顆粒狀磁制冷材料4翻滾。
如圖3所示為攪拌器總成示意圖。當(dāng)處理顆粒狀磁制冷材料4時(shí)，工件架總成3內(nèi)也可以安裝攪拌器總成，攪拌器底座15上安裝變速器16，通過傳動(dòng)付17將動(dòng)力傳到攪拌葉片18，顆粒狀磁制冷材料4在攪拌葉片18的攪拌下在攪拌器工件盒19內(nèi)翻滾。調(diào)整電機(jī)的頻率和變速器16的傳動(dòng)比，可以調(diào)整攪拌速率。
如圖4所示為處理后的磁制冷材料示意圖。處理后的磁制冷材料4及表面濺射上的薄膜20，實(shí)際上，磁制冷材料的形狀可以是片狀，塊狀和絲狀，并不僅僅為圖示的球形顆粒狀。薄膜的厚度為0.1μm到6μm。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一采用直徑為10cm，厚8cm的鈦靶，安裝在磁控濺射機(jī)的濺射槍7上。將片狀金屬釓用超聲波清洗器中清洗后再用丙酮清洗，低溫烘干后放在圖1所示的磁控濺射裝置工件架總成3上。當(dāng)真空度達(dá)到3×10-3Pa時(shí)，充入高純氬氣，真空裝置也同時(shí)工作，使罐內(nèi)的壓力保持在0.5～2.5Pa范圍內(nèi)。通過A通入冷卻水，啟動(dòng)電源，逐步增加電流，在靶材5上出現(xiàn)氬等離子體產(chǎn)生的輝光。由于永磁體6的磁場(chǎng)作用，氬等離子沖擊靶材5，使靶材5上的原子濺射出。在電場(chǎng)的作用下，鈦原子沖擊在磁制冷材料4上。調(diào)節(jié)濺射時(shí)間在3～10分鐘和電流在1～3安培，控制濺射層的厚度。薄膜厚度在0.5～2μm之間。經(jīng)過檢測(cè)，薄膜與基體材料釓的結(jié)合十分緊密，結(jié)合強(qiáng)度為10MPa以上。處理過的釓片與未處理的釓片同時(shí)放在蒸餾水中進(jìn)行比較，兩個(gè)月以后，鍍膜釓片表面光亮，而沒有鍍膜的釓片表面變黑，同時(shí)表面有白點(diǎn)?？梢哉f明，鍍膜有效地防止了釓的氧化。
實(shí)施例二采用直徑10cm，厚8cm的鋁靶，安裝在磁控濺射機(jī)的濺射槍7上。與實(shí)施例一同樣的處理方法處理后的片狀金屬釓放在圖1所示的磁控濺射裝置工件架總成3上。使釓片的溫度升到100℃。真空度達(dá)到3×10-3Pa時(shí)，充入高純氬氣，真空裝置也同時(shí)工作，使罐內(nèi)的壓力保持在0.5～2.5Pa范圍內(nèi)。通過A通入冷卻水。啟動(dòng)電源，逐步增加電流，在靶材5上出現(xiàn)等離子體產(chǎn)生的輝光，由于永磁體6的磁場(chǎng)作用，氬等離子沖擊靶材5，使靶材5上的原子濺射出。在電場(chǎng)的作用下，鋁原子沖擊在磁制冷材料4上。調(diào)節(jié)濺射時(shí)間在3～10分鐘和電流在1～3安培，控制濺射層的厚度。薄膜厚度在0.5～2μm之間。經(jīng)過檢測(cè)，薄膜與基體材料釓的結(jié)合十分緊密，結(jié)合強(qiáng)度為10MPa以上。處理過的釓片與未處理的釓片同時(shí)放在蒸餾水中進(jìn)行比較，兩個(gè)月以后，鍍膜釓片表仍為白色，而沒有鍍膜的釓片表面變黑，同時(shí)表面有白點(diǎn)?？梢哉f明，鍍膜有效地防止了釓的氧化。
實(shí)施例三采用直徑10cm，厚8cm的不銹鋼1Cr18Ni9Ti靶，安裝在磁控濺射機(jī)濺射槍7上。將塊狀Gd2Si2Ge2合金用超聲波清洗器清洗后，再用丙酮清洗，放在圖2所示的磁控濺射裝置工件架總成3上。真空度達(dá)到3×10-3Pa時(shí)，充入高純氬氣，真空裝置也同時(shí)工作，使罐內(nèi)的壓力保持在0.5～2.5Pa范圍內(nèi)。經(jīng)過A通入冷卻水，啟動(dòng)電源，逐步增加電流，在靶材上出現(xiàn)等離子體輝光，由于永磁體6的磁場(chǎng)作用，氬等離子沖擊靶材5，使靶材5上的原子濺射出。在電場(chǎng)的作用下，不銹鋼1Cr18Ni9Ti原子沖擊在磁制冷材料4上。調(diào)節(jié)濺射時(shí)間和電流強(qiáng)度控制濺射層的厚度，薄膜厚度在0.5～2μm之間，薄膜的成分與靶材5的成分基本一致。處理過的Gd2Si2Ge2合金與未處理的Gd2Si2Ge2合金同時(shí)放在蒸餾水中進(jìn)行比較，兩個(gè)月以后，已鍍膜的磁制冷材料表面光亮，而沒有鍍膜的材料表面變黑，同時(shí)表面有白點(diǎn)?？梢哉f明，鍍膜有效地防止了Gd2Si2Ge2合金的氧化。
實(shí)施例四采用直徑10cm，厚8cm的鈦靶，安裝在磁控濺射機(jī)磁控濺射槍7上。將粒度為100目的金屬釓或Gd5Si2Ge2合金50g放在圖2或圖3所示的磁控濺射機(jī)中的振動(dòng)器或攪拌器的工件架總成3中。真空度達(dá)到3×10-3Pa時(shí)，充入高純氬氣，真空裝置也同時(shí)工作，使罐內(nèi)的壓力在0.5～2.5Pa范圍內(nèi)。經(jīng)過A通入冷卻水，啟動(dòng)電源，逐步增加電流，在靶材5上出現(xiàn)等離子體產(chǎn)生的輝光。由于永磁體6的磁場(chǎng)作用，氬等離子沖擊靶材5，使靶材5上的原子濺射出，濺射在磁制冷材料4上。同時(shí)啟動(dòng)振動(dòng)器或攪拌器，粒狀磁制冷材料4隨之滾動(dòng)和跳動(dòng)。調(diào)節(jié)振動(dòng)頻率和電流強(qiáng)度使粒狀磁制冷材料4的振動(dòng)高度在0～5mm，調(diào)整攪拌器的攪拌轉(zhuǎn)速在每分鐘30～100轉(zhuǎn)，調(diào)整濺射時(shí)間約5～15分，電流為2～3安培，可以使薄膜厚度在0.5～2μm之間。
權(quán)利要求
1.一種在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，在磁制冷材料上制作一層防腐蝕的金屬或合金薄膜，其特征在于在磁控濺射裝置內(nèi)放置耐腐蝕的濺射金屬材料作為靶材，利用低溫磁控濺射方法在磁制冷材料的表面鍍膜，磁控濺射裝置的濺射靶在真空室的上部，具有負(fù)直流高壓200～2000伏，濺射方向從上向下，磁制冷材料在下部，接地，接受濺射出的靶材原子，使磁制冷材料的表面上沉積一層金屬或合金薄膜，濺射薄膜可以是一層，也可以是多層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，其特征在于所述的薄膜厚度為0.1～6μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，其特征在于所述的濺射金屬材料是鈦、鋁、鎳、銅、鋯、不銹鋼等或其它耐水及水溶液腐蝕的金屬和合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，其特征在于所述的磁制冷材料的形狀是片狀、塊狀、絲狀或顆粒狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，其特征在于所述的磁制冷材料為金屬Gd，合金Gd5(Si1-xGex)4，[x＝0～0.6]、LaFe11.2Si0.7Co1.1、MnFeP0.45As0.55、MnAs1-xSbx，[x＝0.1～0.2]、Gd1-xDyx，[x＝0.5～1]或其它磁制冷材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，其特征在于所述的磁制冷材料在處理前要經(jīng)過清洗，放入真空罐后，原始真空度達(dá)到1×10-2～1×10-4Pa，濺射時(shí)高純氬氣的工作壓力為0.1～5Pa。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的方法，其特征在于所述的磁制冷材料可以不加熱，也可以加熱，溫度不超過200℃。
8.一種在磁制冷材料表面制作薄膜的裝置，其特征在于由真空系統(tǒng)(1)、真空鐘罩(2)、工件架總成(3)、靶材(5)、永磁體(6)、濺射槍(7)、電控系統(tǒng)控制柜(8)組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的裝置，其特征在于真空系統(tǒng)(1)由機(jī)械泵和擴(kuò)散泵組成，安裝在磁控濺射裝置的工作臺(tái)下部，真空系統(tǒng)(1)的管道與真空鐘罩(2)聯(lián)通，真空鐘罩(2)可以上下升降，真空鐘罩(2)上升后可以安裝工件架總成(3)和放置磁制冷材料(4)在工件架總成(3)上；濺射槍(7)為中空密封圓柱體，下部安裝永磁體(6)，靶材(5)緊貼永磁體(6)固定在濺射槍(7)上，濺射槍(7)通過絕緣材料安裝在真空鐘罩(2)上部，真空鐘罩2上部留有冷卻水進(jìn)出水管道；電控系統(tǒng)控制柜8將220伏交流電轉(zhuǎn)換為直流電，通過調(diào)壓器使直流電為200～2000伏，負(fù)極接在濺射槍(7)上，正極接在工件架總成(3)上并同時(shí)接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的在磁制冷材料表面制作薄膜的裝置，其特征在于所述的工件架總(3)成依據(jù)磁制冷材料的形狀不同可配置振動(dòng)器總成或攪拌器總成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在磁制冷材料表面制作薄膜的方法及裝置。采用不同的靶材，可以在磁制冷材料上緊密形成0.1～6μm厚的薄膜，使磁制冷材料在磁制冷機(jī)中使用時(shí)不受熱交換液體的腐蝕，同時(shí)不影響熱交換。靶材可以是合金如不銹鋼，也可以是純金屬如鈦、鋁、銅、鎳或鋯。被處理的磁制冷材料可以是顆粒狀、片狀或絲狀。本發(fā)明使用的處理裝置為低溫磁控濺射機(jī)，濺射槍和靶材安裝在真空室的上部，磁制冷材料置于下部。本發(fā)明在真空室內(nèi)，設(shè)計(jì)了一種振動(dòng)機(jī)構(gòu)或攪拌機(jī)構(gòu)，使粒狀磁制冷材料在被處理時(shí)能充分翻轉(zhuǎn)，達(dá)到在磁制冷材料表面形成均勻厚度的薄膜。
文檔編號(hào)C23C14/16GK1670241SQ200510020440
公開日2005年9月21日 申請(qǐng)日期2005年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月3日
發(fā)明者吳衛(wèi) 申請(qǐng)人:西華大學(xué)