本發(fā)明涉及襯底處理方法、半導體器件的制造方法、記錄介質(zhì)及襯底處理裝置。

背景技術(shù)：

1、作為半導體器件的制造工序的一個工序，有在襯底上形成硅氧化膜(sio2)、硅氮化膜(si3n4)等絕緣膜的工序(例如，專利文獻1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2010-153795號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、本發(fā)明提供一種能夠通過控制在襯底上形成的膜中的si-si-si鍵的量(si取代量)以及si-si鍵的量來提高電荷俘獲特性的技術(shù)。

3、用于解決課題的手段

4、根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種技術(shù)，其具有：(a)對襯底供給包含硅的分解性的處理氣體，在襯底上形成包含si-si-si鍵的層的工序；和(b)對襯底供給反應(yīng)氣體，使si-si-si鍵解離的工序。

5、發(fā)明效果

6、本發(fā)明通過控制在襯底上形成的膜中的si-si-si鍵的量(si取代量)以及si-si鍵的量，由此能夠提高電荷俘獲特性。

技術(shù)特征：

1.襯底處理方法，其具有：

2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，所述處理氣體是具有si-si鍵的處理氣體。

3.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在(b)中，將所述si-si-si鍵解離成si-si鍵和-si-，

4.如權(quán)利要求1或3所述的襯底處理方法，其中，所述反應(yīng)氣體是包含氮元素和氫元素的氣體。

5.如權(quán)利要求3所述的襯底處理方法，其中，所述反應(yīng)氣體是包含氮元素的氣體，

6.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在抑制所述處理氣體的分解的條件下進行(a)。

7.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在所述襯底的溫度成為所述處理氣體的分解溫度以下的條件下進行(a)。

8.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在所述處理氣體的流速比所述反應(yīng)氣體的流速快的條件下進行(a)。

9.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在所述處理氣體從存在有所述襯底的空間通過的時間比所述處理氣體分解的時間短的條件下進行(a)。

10.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在所述處理氣體分解的條件下進行(a)。

11.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，在所述襯底所存在的空間內(nèi)的壓力比進行(b)時的所述襯底所存在的空間內(nèi)的壓力高的條件下進行(a)。

12.如權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其中，(c)將(a)和(b)進行規(guī)定次數(shù)，在所述襯底上形成包含si的層。

13.如權(quán)利要求12所述的襯底處理方法，其中，所述處理氣體及所述反應(yīng)氣體的供給條件基于所述層的折射率和所述層中的si-si鍵的量來設(shè)定。

14.如權(quán)利要求12所述的襯底處理方法，其中，所述處理氣體及所述反應(yīng)氣體的供給條件基于所述層的折射率、所述層中的si-si-si鍵的量和所述層中的si-si鍵的量來設(shè)定。

15.如權(quán)利要求14所述的襯底處理方法，其中，所述處理氣體及所述反應(yīng)氣體的供給條件以使得所述層中的si-si-si鍵的量成為1e+18以下、并且所述層中的si-si鍵的量成為2.5e+18以上的方式設(shè)定。

16.如權(quán)利要求13所述的襯底處理方法，其中，所述處理氣體及所述反應(yīng)氣體的供給條件以使得所述層的折射率成為2.0～2.10的方式設(shè)定。

17.如權(quán)利要求13所述的襯底處理方法，其中，所述處理氣體及所述反應(yīng)氣體的供給條件以使得所述層的折射率成為2.02～2.07的方式設(shè)定。

18.半導體器件的制造方法，其具有：

19.計算機可讀取的記錄介質(zhì)，其記錄有通過計算機使襯底處理裝置執(zhí)行下述步驟的程序：

20.襯底處理裝置，其具有：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及襯底處理方法、半導體器件的制造方法、記錄介質(zhì)及襯底處理裝置。本發(fā)明提供下述技術(shù)，其中，通過控制在襯底上形成的膜中的Si?Si?Si鍵的量(Si取代量)以及Si?Si鍵的量，由此能夠提高電荷俘獲特性。解決手段是具有：(a)對襯底供給包含硅的分解性的處理氣體、在襯底上形成包含Si?Si?Si鍵的層的工序；和(b)對襯底供給反應(yīng)氣體，使Si?Si?Si鍵解離的工序。

技術(shù)研發(fā)人員：小出纮之,陶山渚,長橋知也
受保護的技術(shù)使用者：株式會社國際電氣
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9