本技術(shù)涉及多晶硅還原爐，具體涉及一種多晶硅還原爐噴嘴。

背景技術(shù)：

1、還原爐噴嘴孔徑以及形狀尺寸結(jié)構(gòu)不同，噴射出的物料高度濃度不同，對還原爐硅棒的生長影響重大，其次噴嘴的布置及數(shù)量對還原爐內(nèi)的氣體循環(huán)，氣場穩(wěn)定性穩(wěn)定有著重大影響。

2、目前還原爐噴嘴規(guī)格有直孔及螺旋型噴嘴應(yīng)用廣泛，現(xiàn)直孔噴嘴噴射物料高度不足，硅棒頂部生長大頭易靠相熔硅。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于：針對目前存在的上述問題，提供了一種多晶硅還原爐噴嘴，將現(xiàn)有的螺旋型噴嘴及直孔型噴嘴進(jìn)行優(yōu)化，使得氣體在通過噴嘴時(shí)，流速隨著通道的縮小而增加，從而在噴嘴出口處形成高速的氣流。錐臺型噴嘴能夠提供較大的流量和較高的流速。

2、本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

3、一種多晶硅還原爐噴嘴，包括設(shè)置在頂部的噴嘴和底部的連接部，所述噴嘴的內(nèi)壁呈錐臺型，噴嘴的頂部內(nèi)壁直徑小于噴嘴的底部內(nèi)壁直徑；噴嘴的頂部和底部通過連接通道連接，連接通道的直徑小于噴嘴頂部內(nèi)壁直徑。將現(xiàn)有的螺旋型噴嘴及直孔型噴嘴進(jìn)行優(yōu)化，內(nèi)部具有一個(gè)逐漸收縮的通道，形成一個(gè)錐形出口；使得氣體在通過噴嘴是，流速隨著通道的縮小而增加，從而在噴嘴出口處形成高速的氣流。錐臺型噴嘴能夠提供較大的流量和較高的流速。

4、進(jìn)一步的，所述連接部設(shè)置在噴嘴下方，且連接部與噴嘴固定連接。

5、進(jìn)一步的，所述連接部的外表面設(shè)置有鋸齒狀連接結(jié)構(gòu)。

6、進(jìn)一步的，所述噴嘴為圓柱體結(jié)構(gòu)。

7、進(jìn)一步的，所述噴嘴外表面及噴嘴與連接部連接處均設(shè)置有卡臺。

8、進(jìn)一步的，所述卡臺設(shè)置的位置為噴嘴內(nèi)的頂部及底部外壁。

9、進(jìn)一步的，所述連接部內(nèi)壁直徑的結(jié)構(gòu)及尺寸與噴嘴底部內(nèi)壁直徑的結(jié)構(gòu)及尺寸相同。

10、進(jìn)一步的，所述噴嘴的外壁直徑大于連接部的外壁直徑。

11、進(jìn)一步的，所述噴嘴的高度大于連接部的高度。

12、進(jìn)一步的，所述噴嘴的頂部高度與噴嘴的底部高度相同。

13、與現(xiàn)有的技術(shù)相比本實(shí)用新型的有益效果是：

14、一種多晶硅還原爐噴嘴，將現(xiàn)有的螺旋型噴嘴及直孔型噴嘴進(jìn)行優(yōu)化，內(nèi)部具有一個(gè)逐漸收縮的通道，形成一個(gè)錐形出口；使得氣體在通過噴嘴時(shí)，流速隨著通道的縮小而增加，從而在噴嘴出口處形成高速的氣流。錐臺型噴嘴能夠提供較大的流量和較高的流速。

技術(shù)特征：

1.一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，包括設(shè)置在頂部的噴嘴(1)和底部的連接部(2)，所述噴嘴(1)的內(nèi)壁呈錐臺型，噴嘴(1)的頂部內(nèi)壁直徑小于噴嘴(1)的底部內(nèi)壁直徑；噴嘴(1)的頂部和底部通過連接通道(3)連接，連接通道(3)的直徑小于噴嘴頂部內(nèi)壁直徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述連接部(2)設(shè)置在噴嘴(1)下方，且連接部(2)與噴嘴(1)固定連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述連接部(2)的外表面設(shè)置有鋸齒狀連接結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述噴嘴(1)為圓柱體結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述噴嘴(1)外表面及噴嘴(1)與連接部(2)連接處均設(shè)置有卡臺(4)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述卡臺(4)設(shè)置的位置為噴嘴(1)內(nèi)的頂部及底部外壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述連接部(2)內(nèi)壁直徑的結(jié)構(gòu)及尺寸與噴嘴(1)底部內(nèi)壁直徑的結(jié)構(gòu)及尺寸相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述噴嘴(1)的外壁直徑大于連接部(2)的外壁直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述噴嘴(1)的高度大于連接部(2)的高度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐噴嘴，其特征在于，所述噴嘴(1)的頂部高度與噴嘴(1)的底部高度相同。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種多晶硅還原爐噴嘴，包括設(shè)置在頂部的噴嘴(1)和底部的連接部(2)，所述噴嘴(1)的內(nèi)壁呈錐臺型，噴嘴(1)的頂部內(nèi)壁直徑小于噴嘴(1)的底部內(nèi)壁直徑；噴嘴(1)的頂部和底部通過連接通道(3)連接，連接通道(3)的直徑小于噴嘴(1)頂部內(nèi)壁直徑。將現(xiàn)有的螺旋型噴嘴及直孔型噴嘴進(jìn)行優(yōu)化，內(nèi)部具有一個(gè)逐漸收縮的通道，形成一個(gè)錐形出口；使得氣體在通過噴嘴時(shí)，流速隨著通道的縮小而增加，從而在噴嘴出口處形成高速的氣流。錐臺型噴嘴能夠提供較大的流量和較高的流速。

技術(shù)研發(fā)人員：曹樸真,周書紅,周圓圓,羅朝陽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新疆東方希望新能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240228
技術(shù)公布日：2025/1/9