本發(fā)明涉及一種保護(hù)蠟，具體為一種電子芯片保護(hù)蠟。
背景技術(shù)：
芯片指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。
隨著高科技自動(dòng)化產(chǎn)品的逐步增多，電子芯片被廣泛的應(yīng)用于民用、軍事等領(lǐng)域內(nèi)，一般在進(jìn)行放置電子芯片時(shí)，采用的是將電子芯片存放在密閉容器內(nèi)進(jìn)行保護(hù)，這種保護(hù)方式雖然能夠?qū)﹄娮有酒鸬揭欢ǖ谋Ｗo(hù)作用，但是當(dāng)電子芯片所處環(huán)境溫度過高時(shí)，密閉容器并不能對(duì)電子芯片起到保護(hù)作用，電子芯片會(huì)因過熱容易產(chǎn)生性能衰變。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種電子芯片保護(hù)蠟，可以有效解決實(shí)際應(yīng)用中電子芯片因過熱容易產(chǎn)生性能衰變等問題。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：
本發(fā)明一種電子芯片保護(hù)蠟，包括保護(hù)蠟本體，所述保護(hù)蠟本體由聚乙烯合成蠟類、高熔點(diǎn)地蠟、蟲白蠟和乙烯醋酸丁烯組成。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述保護(hù)蠟本體在每個(gè)電子芯片上的用量為10g。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述聚乙烯合成蠟類為60%~70%。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述高熔點(diǎn)地蠟為10%~20%。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述蟲白蠟為10%~20%。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述乙烯醋酸丁烯15%~20%。
本發(fā)明所達(dá)到的有益效果是：該種電子芯片保護(hù)蠟，具有高熔點(diǎn)，低揮發(fā)性、低膨脹率等特點(diǎn)，該種電子芯片保護(hù)蠟從固相經(jīng)過高溫轉(zhuǎn)化成液相時(shí)會(huì)吸收大量的熱能，保護(hù)了存放在密閉容器內(nèi)的電子芯片，防止電子芯片因過熱而產(chǎn)生的性能衰變，因而可以廣泛用于導(dǎo)彈發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)制導(dǎo)控制芯片的保護(hù)。
具體實(shí)施方式
以下對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
實(shí)施例：本發(fā)明一種電子芯片保護(hù)蠟，包括保護(hù)蠟本體，保護(hù)蠟本體由聚乙烯合成蠟類、高熔點(diǎn)地蠟、蟲白蠟和乙烯醋酸丁烯組成。
保護(hù)蠟本體在每個(gè)電子芯片上的用量為10g，聚乙烯合成蠟類為60%~70%，高熔點(diǎn)地蠟為10%~20%，蟲白蠟為10%~20%，乙烯醋酸丁烯15%~20%。
具體的，將電子芯片保護(hù)蠟按上述配方完成配比后，將保護(hù)蠟本體粘貼在電子芯片的表面，并且在每個(gè)電子芯片上的用量為10g，然后將電子芯片存放在密閉容器內(nèi)。
該種電子芯片保護(hù)蠟，具有高熔點(diǎn)，低揮發(fā)性、低膨脹率等特點(diǎn)，該種電子芯片保護(hù)蠟從固相經(jīng)過高溫轉(zhuǎn)化成液相時(shí)會(huì)吸收大量的熱能，保護(hù)了存放在密閉容器內(nèi)的電子芯片，防止電子芯片因過熱而產(chǎn)生的性能衰變，因而可以廣泛用于導(dǎo)彈發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)制導(dǎo)控制芯片的保護(hù)。
最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。