專利名稱：氨糖內(nèi)金屬雜質(zhì)去除裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種氨糖內(nèi)金屬雜質(zhì)去除裝置，尤其涉及一種氨糖烘干后將氨糖內(nèi)的金屬雜質(zhì)去除的裝置。
背景技術(shù)：
氨糖在金屬烘箱烘干過程中，有少量金屬氧化物微粒通過熱風(fēng)循環(huán)進(jìn)入氨糖中， 時(shí)間長了氨糖中會(huì)出現(xiàn)黃團(tuán)，嚴(yán)重影響氨糖產(chǎn)品質(zhì)量，如何去除氨糖內(nèi)的金屬雜質(zhì)就成了急需解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對上述缺陷，目的在于提供一種方便將氨糖內(nèi)金屬雜質(zhì)去除的金屬雜質(zhì)去除裝置。為此本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是本實(shí)用新型包括上層磁針和下層磁針，上層磁針和下層磁針交叉設(shè)置，上層磁針各磁針之間的距離為km-6cm，下層磁針各磁針之間的距離為4cm-6cm，上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1500GS-1800GS。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是本實(shí)用新型在氨糖烘干后，通過由磁針組成的磁場裝置，非常容易的將氨糖內(nèi)的金屬雜質(zhì)去除，提高了氨糖的品質(zhì)，從而使氨糖的成品率大為提高，使企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益得到提高。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖圖中1為上層磁針、2為下層磁針。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一本實(shí)用新型包括上層磁針和下層磁針，上層磁針和下層磁針交叉設(shè)置，上層磁針各磁針之間的距離為5cm，下層磁針各磁針之間的距離為5cm，上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1600GS。實(shí)施例二 本實(shí)用新型包括上層磁針和下層磁針，上層磁針和下層磁針交叉設(shè)置，上層磁針各磁針之間的距離為4cm，下層磁針各磁針之間的距離為km，上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1500GS。實(shí)施例三本實(shí)用新型包括上層磁針和下層磁針，上層磁針和下層磁針交叉設(shè)置，上層磁針各磁針之間的距離為6cm，下層磁針各磁針之間的距離為6cm，上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1800GS。
權(quán)利要求1.氨糖內(nèi)金屬雜質(zhì)去除裝置，其特征在于，包括上層磁針和下層磁針，上層磁針和下層磁針交叉設(shè)置，上層磁針各磁針之間的距離為4cm-6cm，下層磁針各磁針之間的距離為 4cm-6cm,上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1500GS-1800GS。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氨糖內(nèi)金屬雜質(zhì)去除裝置，其特征在于，所述上層磁針各磁針之間的距離為5cm，下層磁針各磁針之間的距離為5cm，上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1600GS。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種氨糖內(nèi)金屬雜質(zhì)去除裝置。包括上層磁針和下層磁針，上層磁針和下層磁針交叉設(shè)置，上層磁針各磁針之間的距離為4cm-6cm，下層磁針各磁針之間的距離為4cm-6cm，上下磁針之間的距離設(shè)置滿足磁場強(qiáng)度為1500GS-1800GS。本實(shí)用新型在氨糖烘干后，通過由磁針組成的磁場裝置，非常容易的將氨糖內(nèi)的金屬雜質(zhì)去除，提高了氨糖的品質(zhì)，從而使氨糖的成品率大為提高，使企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益得到提高。
文檔編號(hào)B03C1/02GK202290281SQ20112029679
公開日2012年7月4日 申請日期2011年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月16日
發(fā)明者吳梅銀, 師林奎 申請人:揚(yáng)州明增生物科技有限公司