技術(shù)編號：6894180
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及具有至少兩個相互部分或全部重疊的疊置層的存儲器和/或數(shù)據(jù)處理器件，其中所述層由襯底支撐或通過交替地形成所述疊置層的夾層結(jié)構(gòu)的自支撐結(jié)構(gòu)，并且其中疊層中的至少兩層包括電連接到至少另一層和/或襯底中存儲器和/或處理電路的存儲器和/或處理電路；以及制造這種器件的方法。現(xiàn)代的電子微電路通常在一系列的處理步驟中一層接一層地形成在硅芯片上，其中絕緣層將通過各種淀積和腐蝕技術(shù)構(gòu)圖和處理包括含金屬材料、絕緣材料和半導(dǎo)電材料的各層分開。整體地使結(jié)構(gòu)保證位于襯底中和...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。