本技術(shù)涉及面料性能測試領(lǐng)域，尤其涉及一種面料光蓄熱性能測試裝置。

背景技術(shù)：

1、光蓄熱性能為紡織品吸收環(huán)境中的太陽光,轉(zhuǎn)化為熱能并保持一段時間,使溫度升高的性能。在測試時，利用輻照光源照射被測試樣一段時候后停止輻照，通過溫度傳感器獲取被測試樣的溫度時間變化曲線?，F(xiàn)有的面料光蓄熱性能測試裝置僅利用壓框?qū)鹤”粶y試樣并不能是被測試樣保持繃緊狀態(tài)，這就可能存在被測試樣與溫度傳感器未充分接觸的問題，導(dǎo)致測試結(jié)果存在偏差。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型主要解決了上述問題，提供了一種能夠令被測試樣保持繃緊狀態(tài)，確保被測試樣與溫度傳感器充分接觸的面料光蓄熱性能測試裝置。

2、本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是，一種面料光蓄熱性能測試裝置，包括輻照光源、測試臺和顯示器，所述輻照光源位于測試臺上方，所述測試臺上設(shè)有至少兩個試樣臺，所述試樣臺上設(shè)置有溫度傳感器，所述試樣臺外側(cè)設(shè)有試樣壓框，試樣壓框上活動設(shè)置有壓板。

3、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述試樣壓框的框邊上設(shè)有通槽，所述測試臺上對應(yīng)通槽處設(shè)有凹槽，所述壓板穿過通槽伸入到凹槽中。

4、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述試樣壓框下端面設(shè)有若干第一磁吸塊，所述測試臺上設(shè)有若干第二磁吸塊，第一磁吸塊與第二磁吸塊一一對應(yīng)。

5、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述測試臺上設(shè)有試樣壓框嵌槽。

6、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述試樣臺上端面為平面，所述溫度傳感器處于試樣臺中央。

7、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述試樣臺上端面呈球面，所述溫度傳感器處于試樣臺中央。

8、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述顯示器設(shè)于試樣臺側(cè)面。

9、作為上述方案的一種優(yōu)選方案，所述試樣臺側(cè)面設(shè)有室溫溫度傳感器。

10、本實用新型的優(yōu)點是：試樣壓框上設(shè)有壓板，能夠令被測試樣保持繃緊狀態(tài)，進(jìn)而使被測試樣能夠與溫度傳感器充分接觸，確保測試結(jié)果準(zhǔn)確。

技術(shù)特征：

1.一種面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是，包括輻照光源、測試臺和顯示器，所述輻照光源位于測試臺上方，所述測試臺上設(shè)有至少兩個試樣臺，所述試樣臺上設(shè)置有溫度傳感器，所述試樣臺外側(cè)設(shè)有試樣壓框，試樣壓框上活動設(shè)置有壓板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述試樣壓框的框邊上設(shè)有通槽，所述測試臺上對應(yīng)通槽處設(shè)有凹槽，所述壓板穿過通槽伸入到凹槽中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述試樣壓框下端面設(shè)有若干第一磁吸塊，所述測試臺上設(shè)有若干第二磁吸塊，第一磁吸塊與第二磁吸塊一一對應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述測試臺上設(shè)有試樣壓框嵌槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述試樣臺上端面為平面，所述溫度傳感器處于試樣臺中央。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述試樣臺上端面呈球面，所述溫度傳感器處于試樣臺中央。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述顯示器設(shè)于試樣臺側(cè)面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面料光蓄熱性能測試裝置，其特征是：所述試樣臺側(cè)面設(shè)有室溫溫度傳感器。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)為一種面料光蓄熱性能測試裝置，包括輻照光源、測試臺和顯示器，所述輻照光源位于測試臺上方，所述測試臺上設(shè)有至少兩個試樣臺，所述試樣臺上設(shè)置有溫度傳感器，所述試樣臺外側(cè)設(shè)有試樣壓框，試樣壓框上活動設(shè)置有壓板。本技術(shù)的優(yōu)點是：試樣壓框上設(shè)有壓板，能夠令被測試樣保持繃緊狀態(tài)，進(jìn)而使被測試樣能夠與溫度傳感器充分接觸，確保測試結(jié)果準(zhǔn)確。

技術(shù)研發(fā)人員：田利杰,江林列,丁智理
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江尚谷生物科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240321
技術(shù)公布日：2024/12/10