專利名稱:作為分析具有成角度形貌的襯底的afm探針的y-形碳納米管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及原子力顯微術(shù)(AFM)，并且更特別地涉及形成用于分析 襯底的AFM探針的方法。
背景技術(shù)：
原子力顯微術(shù)(AFM)通常用作特征化在半導(dǎo)體襯底上的結(jié)構(gòu)的寬度、高度、輪廓 和表面化學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵尺寸的方法。為了特征化硅器件的溝道特征的形貌，期望制造在探 針針頭的活動(dòng)端附近具有成角度的特征的AFM探針針頭。常規(guī)地，該探針針頭是通過將硅 特征刻蝕成在該硅特征的一端處具有成角度的結(jié)構(gòu)或腳來制造。
圖1示出常規(guī)AFM探針裝置。通常，AFM探針1包括終端有針頭3的探針臂2。探 針針頭3則用來分析襯底4的表面5的輪廓。在襯底4的表面5上的特定特征6可以具有 由向內(nèi)傾斜的側(cè)壁7限定的底切特征。該特征6的形貌使得通常難以由探針針頭3來完全 地分析襯底4的所有表面特征。
因此，期望開發(fā)用硅以外的其他材料來更可復(fù)制地制造AFM探針針頭的另外的方 法，該探針針頭更耐用并且比常規(guī)AFM探針針頭具有更小的尺寸，該探針針頭可以用于分 析具有成角度的形貌的襯底并且可以用于探查襯底形貌的表面的化學(xué)性質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上描述，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種Y-形碳納米管原子力顯微鏡探針針 頭，包括桿部；從該桿部的同一端延伸的一對(duì)成角度的臂，其中該桿部和一對(duì)成角度的臂包 括化學(xué)修飾的碳納米管，并且其中該化學(xué)修飾的碳納米管是利用胺、羧基、氟和金屬成分的 任一個(gè)修飾的。優(yōu)選地，每對(duì)成角度的臂包括至少200nm的長度和10到200nm之間的直徑。 此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適應(yīng)于待探測(cè)的襯底材料間的區(qū)別。另外，化學(xué)修飾的碳 納米管優(yōu)選地適合于允許氟氣體流經(jīng)化學(xué)修飾的碳納米管到待特征化的襯底上。此外，化 學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合與待特征化的襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
另一個(gè)實(shí)施例提供了一種形成Y-形碳納米管原子力顯微鏡探針針頭的方法，其 中該方法包括形成探針針頭的桿部；使一對(duì)成角度的臂從該桿部的同一端延伸，其中該桿 部和一對(duì)成角度的臂包括碳納米管；并且利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)化學(xué)修飾碳 納米管。該方法可進(jìn)一步包括將每對(duì)成角度的臂配置為至少200nm的長度；和將每對(duì)成角 度的臂配置為10到200nm之間的直徑。此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適應(yīng)于待探測(cè)襯 底材料間的區(qū)別。另外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合于允許氟氣體流經(jīng)化學(xué)修飾的碳 納米管到待特征化的襯底上。此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合與待特征化的襯底表 面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
另一個(gè)實(shí)施例提供了一種執(zhí)行原子力顯微術(shù)的方法，其中該方法包括將碳納米管 附接到原子力顯微鏡探針以形成探針針頭，其中碳納米管配置為Y-形；利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)化學(xué)修飾該碳納米管；并且使用化學(xué)修飾的Y-形碳納米管探針針頭分 析襯底的表面。該方法進(jìn)一步包括將碳納米管探針針頭配置為具有桿部和從該桿部的同一 端延伸的一對(duì)成角度的臂。另外，該方法可進(jìn)一步包括將每對(duì)成角度的臂配置為至少200nm 的長度。另外，該方法可進(jìn)一步包括將每對(duì)成角度的臂配置為10到200nm之間的直徑。優(yōu) 選地，化學(xué)修飾的Y-形碳納米管適應(yīng)于待探測(cè)襯底材料間的區(qū)別。同樣，化學(xué)修飾的Y-形 碳納米管優(yōu)選地適合于允許氟氣體流經(jīng)化學(xué)修飾的碳納米管到待特征化的襯底上。此外， 化學(xué)修飾的Y-形碳納米管優(yōu)選地適合與待特征化的襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
當(dāng)結(jié)合以下描述和附圖考慮時(shí)，本發(fā)明的實(shí)施例的這些和其他方面將得以更好地 理解。然而，應(yīng)當(dāng)理解，指示優(yōu)選實(shí)施例及其多個(gè)具體細(xì)節(jié)的以下描述是以說明的方式給 出，不作為限制?？梢栽诒景l(fā)明的實(shí)施例的范圍內(nèi)做出許多變形和修改，而并不背離其精 神，并且這些實(shí)施例包括所有這樣的修改。


從參考附圖的下列詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例將得以更好的理解，其中
圖1示出了常規(guī)AFM探針裝置的示意圖；
圖2(A)示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的Y-形碳納米管AFM探針裝置的示意圖；
圖2 (B)示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的Y-形碳納米管AFM探針裝置的示意圖；
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在甲烷氣體中經(jīng)受化學(xué)修飾的圖2(A)和圖2(B) 的Y-形碳納米管AFM探針針頭的示意圖；
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)受利用胺成分和氟成分的化學(xué)修飾的圖3的 Y-形碳納米管AFM探針針頭的示意圖；
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在圖4中的Y-形碳納米管AFM探針針頭和胺成分 之間的化學(xué)相互作用的示意圖；
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖5中所示的化學(xué)相互作用的放大示圖；
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在圖4中的Y-形碳納米管AFM探針針頭和氟成分 之間的化學(xué)相互作用的放大示圖；
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的納米蝕刻過程的示意圖；以及
圖9㈧和9(B)為示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的實(shí)施例及其各種特征和優(yōu)勢(shì)將結(jié)合非限制性實(shí)施例加以全面的描述，結(jié) 合附圖和以下詳細(xì)描述說明這些實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，附圖中說明的特征并不是按比例繪制 的。已知的成分和處理技術(shù)被省略以使本發(fā)明的實(shí)施例更為清晰。在此使用的示例僅僅旨 在便于理解本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)方式和進(jìn)一步使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施 例。因此，示例不解釋為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的范圍的限制。
如上所述，期望開發(fā)用硅以外的其他材料來更可復(fù)制地制造AFM探針針頭的另外 的方法，該探針針頭更耐用并且比常規(guī)AFM探針針頭具有較小的尺寸，該探針針頭可以用 于分析具有成角度的形貌的襯底。這可以由本發(fā)明的實(shí)施例通過由Y-形碳納米管(CNT) 形成的AFM探針針頭來實(shí)現(xiàn)，該探針針頭可以用于分析具有成角度的形貌的襯底。現(xiàn)在參考附圖，更特別地參考圖2(A)到圖9(B)，示出了本發(fā)明的實(shí)施例，其中貫穿附圖相似的參 考標(biāo)記代表相應(yīng)的特征。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了 CNT結(jié)構(gòu)，其比使用在AFM探針上的常規(guī)硅針頭更加耐用， 因?yàn)楸景l(fā)明的實(shí)施例所提供的CNT AFM探針針頭15的臂13具有機(jī)械的柔韌性并且機(jī)械強(qiáng) 度高于硅。本發(fā)明實(shí)施例使用Y-形碳納米管作為AFM探針10的活動(dòng)探針針頭15，以允許 橫向到達(dá)待分析的基礎(chǔ)襯底22的底切輪廓。
圖2㈧示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的Y-形CNT AFM探針10。探針10包括探 針臂12，該探針臂12具有從其延伸的Y-形CNT針頭15。形成碳納米管的Y-形CNT針頭 15通常包括直的桿部11和從匯合點(diǎn)14延伸且與桿部11連接的一對(duì)成角度的臂13。圖 2(b)示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的探針10，其翻轉(zhuǎn)Y-形CNT針頭15使得成角度的臂13 指向探針臂12，由此，探針臂12連接到臂13或匯合點(diǎn)14，并且直的桿部11向下指向待分 析的襯底24。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，Y-形碳納米管可以通過利用來自溶液的鈷滲透氧化鎂(MgO) 支持材料得以生長。將支持的催化劑暴露于大約800到1，000°C高溫的甲烷氣體以生成 Y-形 CNT，如圖 3 所示。更特別地，如 Li，W. Z.等人在 Appl. Phys. Lett. 79，1879-1881 (2001) 的〃 Straight carbon nanotube Y-junctions"中所述，MgO支持的Co催化劑可以首先 通過將0. 246g的六水硝酸鈷(Co(N03)2-6H20，98% )溶解于40mL的乙醇，然后通過約50 分鐘的超聲處理將2g的MgO粉末(-325mesh，99% )浸沒到溶液中來制備，在此，將上述文 件完整的公開內(nèi)容引入本文作為參考。干燥后，將材料在約130°C煅燒約14小時(shí)。為了碳 納米管的生長，首先在壓力約為200torr &H2(40SCCm) *N2(100sCCm)的流動(dòng)氣體中、在約 1000°C將催化劑還原約1小時(shí)，然后用CH4(IOsccm)替代N2以開始碳納米管的生長。生長 通常約持續(xù)1小時(shí)。CNT針頭15的臂13可以有不同的長度，從約幾百納米(S卩，200)到一 微米或更長。取決于特定的氣體壓力和溫度，CNT的直徑可以不同，從約10到200nm。
根據(jù)美國專利No. 6，800, 865描述的處理，CNT針頭15可以安裝在AFM探針臂12 上，其中使用電場(chǎng)將CNT針頭15吸引到探針臂12，然后通過利用電子束固化處理將CNT針 頭15粘接到探針臂12上，在此，將上述專利完整的公開內(nèi)容引入本文作為參考。優(yōu)選地，安 裝可以根據(jù)美國專利No. 6，755，956描述的技術(shù)來完成，其中CNT的生長可以直接發(fā)生在探 針針頭15上，使得CNT針頭15在生長之后附接在探針臂12上，在此，將上述專利完整的公 開內(nèi)容引入本文作為參考。同樣，安裝可以根據(jù)美國專利公開No. 2004/0009308的描述來 完成，其中描述了在探針針頭15上形成催化劑，使用聚焦的離子束(FIB)以使催化劑成形， 并且在探針針頭15上生長Y-形CNT作為AFM探針。因此，CNT針頭15可以安裝在AFM探 針臂12上，使得CNT針頭15的臂13朝待特征化的襯底24的表面25向下延伸，如圖2(A) 所示，以允許臂13在上懸掛輪廓特征26以下延伸，并且允許輪廓的斜坡27得以測(cè)量。如 果期望的話，CNT針頭15還可以安裝在探針臂12上使得CNT Y-形針頭15的兩個(gè)臂13朝 向探針臂12，使單個(gè)的CNT臂11朝特征化的襯底24的表面25延伸。
CNT Y-形針頭15的表面還可以利用胺、羧基、氟或金屬成分來修飾，這將允許區(qū) 分如圖4到圖7所示的襯底材料。例如，銅通常與胺緊密結(jié)合；相應(yīng)地，胺修飾的CNT與襯 底的銅部分可以比與襯底的硅或氧化硅部分較強(qiáng)烈地相互作用。
圖4示出了經(jīng)受利用胺成分和氟成分的化學(xué)修飾的圖3的Y-形碳納米管AFM探針針頭的示意圖。碳納米管的氟化在Dai，L.等人在2003年10月的納米技術(shù)14的No. 10， 1081-1097 φStJ “ Functionalized surfaces based on polymers and carbon nanotubes forsome biomedical and optoelectronic applications“禾口美國專利 No. 6，645，455 禾口 No. 6，841，139中得以描述，在此，將上述文件和專利完整的公開內(nèi)容引入本文作為參考。 碳納米管的氟化涉及將CNT針頭15暴露于溫度約為250-350°C的氣體的氟中。然后氟化 的CNT針頭15還可以利用其他反應(yīng)物進(jìn)行修飾以引入各種其他功能性，例如氨基、羥基、烷 基、硫醇。此外，可以使用例如氨、乙二胺、乙酸、乙酸乙酯、甲醇、甲胺、乙醛等的源氣體從上 游等離子體源在CNT針頭15上沉積薄膜。上游等離子體生成沉積在CNT針頭15上的反應(yīng) 物以生成功能化表面。
圖5示出了在圖4中的Y-形碳納米管AFM探針針頭和胺成分之間的化學(xué)相互作用 的示意圖。特別地，在圖5中，CNT針頭15利用胺功能性加以修飾。胺包括極化的N-H鍵， 其適用于生成與例如羥基的其他極性的化學(xué)品的氫鍵合相互作用。在此情況下，隨著CNT 探針針頭15掃描通過襯底24的表面25，胺功能性和襯底表面25上的羥基之間的氫鍵合將 引起施加到CNT針頭15和探針臂12(圖5中未示出)的力。將導(dǎo)致探針臂12的偏移，并 向AFM工具(未示出)給出發(fā)生了強(qiáng)表面相互作用的信號(hào)。另一方面，氟化的表面通常不 生成這樣的胺功能性探針針頭12和氟化表面25之間的氫鍵合的機(jī)會(huì)，所以CNT針頭15將 不與氟化表面25強(qiáng)烈地相互作用，并且AFM工具(未示出)同樣也不會(huì)記錄相同程度的信 號(hào)。
圖6示出了圖5中所示化學(xué)相互作用的放大示圖。更特別地，圖6詳細(xì)示出了胺 化的CNT針頭15和羥基化的襯底表面24之間的氫鍵合相互作用。特別地，圖6描述了存 在于氮中的非鍵合電子對(duì)和存在于氧中的兩個(gè)非鍵合電子對(duì)。氮和氧的高負(fù)電性使得它們 將電子密度吸引朝向氮和氧原子，因此同時(shí)留下具有較低電子密度水平的鍵合氫原子。作 為結(jié)果，這種氫原子趨向于形成到例如存在于氮或氧中的非鍵合電子對(duì)的鄰近富電子區(qū)域 的吸引或弱鍵。盡管這些氫鍵合相互作用通常相對(duì)于典型的共價(jià)鍵較弱，但在聚集中它們 可以用來生成在液體或固體狀態(tài)中的有效的分子間相互作用。
圖7示出了在圖4中的Y-形碳納米管AFM探針針頭和氟成分之間的化學(xué)相互作 用的放大示圖。更特別地，圖7示出了不存在氟化襯底表面25和胺化的CNT針頭15之間 的氫鍵合相互作用。有分布在氟原子周圍的三對(duì)非鍵合電子，圖7中未示出。氟原子比氮 或氧更加具有負(fù)電性，并且在能量上更加不易于與最鄰近的氫原子分享這些電子，所以胺 和氟化襯底之間的氫鍵合相對(duì)較弱。而且，氟化的表面不包含任何氫基，其也可以形成與胺 功能性的氮的氫鍵。作為結(jié)果，相對(duì)弱的相互作用發(fā)生在襯底24的氟化表面25和胺化CNT 針頭15之間。
圖8示出了納米蝕刻處理的示意圖，其中氟氣體流通過CNT探針針頭15到達(dá)襯底 24上，這允許襯底24的表面25的選擇性蝕刻/修飾。更特別地，圖8示出了通過氟化CNT 的硅襯底的氟化。這種化學(xué)過程是由相對(duì)弱的和熱可逆的到氟的CNT鍵來驅(qū)動(dòng)的，然而相 比較，硅-氟鍵通常是最強(qiáng)的單鍵。此外，由于容易允許反應(yīng)的硅從襯底表面25被去除的 SiF4的揮發(fā)性，硅表面可以通過氟化的CNT蝕刻。CNT針頭15上的氟可以通過將CNT針頭 15暴露于與襯底24分離的腔室中的氟氣體而重新生成?；蛘呖蛇x地，CNT針頭15可以附 接到覆蓋有多孔陶瓷材料的懸臂上的支管(未示出)，這允許氟氣體流經(jīng)納米管到達(dá)下方的襯底24。
圖9(A)(參考圖2㈧到圖8)是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的形成Y-形碳納米管 原子力顯微鏡探針針頭15的方法的流程圖，其中該方法包括形成(101)探針針頭15的桿 部11 ；將一對(duì)成角度的臂13從該桿部11的同一端延伸(103)，其中該桿部11和一對(duì)成角 度的臂13包括碳納米管(未示出)；并且利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)化學(xué)地修飾 (105)碳納米管。該方法進(jìn)一步包括將每對(duì)成角度的臂13配置為至少200nm的長度；和將 每對(duì)成角度的臂13配置為10到200nm之間的直徑。此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適 應(yīng)于待探測(cè)襯底材料間的區(qū)別。另外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合于允許氟氣體流經(jīng) 化學(xué)修飾的碳納米管到待特征化的襯底24上。此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合與待 特征化的襯底24表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
圖9(B)(參考圖2㈧到圖8)是示出了執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的原子力顯微術(shù)的 方法的流程圖，其中該方法包括將碳納米管(未示出)附接(201)到原子力顯微鏡探針10， 以形成探針針頭15，其中碳納米管被配置為Y-形；利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)化 學(xué)修飾(203)該碳納米管；并且使用化學(xué)修飾的Y-形碳納米管探針針頭15分析(205)襯 底24的表面25。該方法進(jìn)一步包括利用桿部11和從該桿部11的同一端延伸的一對(duì)成角 度的臂13配置碳納米管探針針頭15。此外，該方法進(jìn)一步包括將每對(duì)成角度的臂13配置 為至少200nm的長度。另外，該方法進(jìn)一步包括將每對(duì)成角度的臂13配置為10到200nm之 間的直徑。優(yōu)選地，化學(xué)修飾的Y-形碳納米管適應(yīng)于待探測(cè)襯底材料之間的區(qū)別。同樣， 化學(xué)修飾的Y-形碳納米管優(yōu)選地適合于允許氟氣體流經(jīng)化學(xué)修飾的碳納米管到待特征化 的襯底24上。此外，化學(xué)修飾的Y-形碳納米管優(yōu)選地適合與待特征化的襯底表面25進(jìn)行 化學(xué)反應(yīng)。
以上對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施例的如此詳細(xì)的描述使得其他人可以通過應(yīng)用當(dāng)前的知 識(shí)容易地針對(duì)各種應(yīng)用對(duì)這樣的具體實(shí)施例進(jìn)行修改和/或適應(yīng)，而不脫離本發(fā)明的一般 概念，并且因此，這樣的適應(yīng)和修改應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是在公開的實(shí)施例的涵義和等效范圍之內(nèi)。 應(yīng)當(dāng)理解，在此使用的措辭和術(shù)語是描述的目的，而非限制的目的。
因此，雖然已經(jīng)在此按照優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識(shí)到 這些實(shí)施例可以利用在所附權(quán)利要求
書的精神和范圍之內(nèi)的修改加以實(shí)施。
權(quán)利要求
一種Y 形碳納米管原子力顯微鏡探針針頭，包括桿部；從所述桿部的同一端延伸的一對(duì)成角度的臂，其中所述桿部和所述一對(duì)成角度的臂包括化學(xué)修飾的碳納米管，以及其中所述化學(xué)修飾的碳納米管是利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)修飾的，其中所述化學(xué)修飾的碳納米管適合于允許氟氣體流經(jīng)所述化學(xué)修飾的碳納米管到待特征化的襯底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的探針針頭，其中每對(duì)所述成角度的臂包括至少200nm的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的探針針頭，其中每對(duì)所述成角度的臂包括10到200nm之 間的直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的探針針頭，其中所述化學(xué)修飾的碳納米管適應(yīng)于待探測(cè)襯底 材料之間的區(qū)別。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的探針針頭，其中所述化學(xué)修飾的碳納米管適合與待特征化的 襯底進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
6.一種形成Y-形碳納米管原子力顯微鏡探針針頭的方法，所述方法包括 形成所述探針針頭的桿部；從所述桿部的同一端延伸一對(duì)成角度的臂，其中所述桿部和所述一對(duì)成角度的臂包括 碳納米管；以及利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)化學(xué)修飾所述碳納米管；以及， 使所述化學(xué)修飾的碳納米管適合于允許氟氣體流經(jīng)所述化學(xué)修飾的碳納米管到待特 征化的襯底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的方法，還包括使所述化學(xué)修飾的碳納米管適合與待特征化的 襯底進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
8.一種執(zhí)行原子力顯微術(shù)的方法，所述方法包括將化學(xué)修飾的碳納米管附接到原子力顯微鏡探針，以形成探針針頭，其中所述碳納米 管被配置為Y-形，所述化學(xué)修飾是利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)進(jìn)行的；以及 使用化學(xué)修飾的Y-形碳納米管探針針頭分析襯底表面；以及 使氟氣體經(jīng)由所述化學(xué)修飾的碳納米管流到待特征化的襯底上。
專利摘要
一種Y-形碳納米管原子力顯微鏡探針針頭和方法，包括桿部；從該桿部的同一端延伸的一對(duì)成角度的臂，其中該桿部和一對(duì)成角度的臂包括化學(xué)修飾的碳納米管，并且其中該化學(xué)修飾的碳納米管是利用胺、羧基、氟和金屬成分的任一個(gè)修飾的。優(yōu)選地，每對(duì)成角度的臂包括至少200nm的長度和10到200nm之間的直徑。此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適應(yīng)于待探測(cè)襯底材料之間的區(qū)別。另外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合于允許氟氣體流經(jīng)化學(xué)修飾的碳納米管到待特征化的襯底上。此外，化學(xué)修飾的碳納米管優(yōu)選地適合于與待特征化的襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
文檔編號(hào)G01Q60/38GKCN101313206 B發(fā)布類型授權(quán) 專利申請(qǐng)?zhí)朇N 200680043688
公開日2011年3月16日 申請(qǐng)日期2006年11月23日
發(fā)明者C·A·博伊, C·W·科布爾格三世, D·V·霍拉克, M·C·哈基, S·J·霍姆斯, 古川俊治 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (6), 非專利引用 (1),