微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于觀察分析新材料分子或原子量級大小的裝置，尤其涉及一種微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，屬于顯微電子設(shè)備領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]納米材料是指在三維空間中至少有一個(gè)維度的尺寸小于10nm或者由它們作為基本單元構(gòu)成的材料。由于它的尺寸已經(jīng)接近電子的相干長度，它的性質(zhì)因?yàn)閺?qiáng)相干所帶來的自組織使得性質(zhì)發(fā)生很大變化，如光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、力學(xué)以及化學(xué)方面的性質(zhì)和塊體材料相比將會(huì)有顯著的不同。所以，納米尺度和性能特異變化是納米材料必須同時(shí)具備的兩個(gè)基本特征。
[0003]半導(dǎo)體納米材料的量子尺寸效應(yīng)和表面與界面等效應(yīng)，使其表現(xiàn)出獨(dú)特的光學(xué)特性，如光學(xué)發(fā)光性、吸收帶邊藍(lán)移、激子發(fā)光等。尤其是I1-VI族一維納米材料，它們是寬的直接帶隙半導(dǎo)體材料，是典型的光電半導(dǎo)體材料。帶隙半導(dǎo)體材料，是典型的光電半導(dǎo)體材料。以砸化鎘為(CdSe)例，作為典型的光電半導(dǎo)體材料之一，本身具有獨(dú)特的光電學(xué)性質(zhì)，在作為光源、光吸收、光波導(dǎo)、光致發(fā)光和光電轉(zhuǎn)換等方面有著廣闊的應(yīng)用前景。
[0004]目前國內(nèi)尚無成熟的專門用來制備半導(dǎo)體納米材料相關(guān)樣品的裝置，也沒有配套的測試儀器。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，解決好現(xiàn)有技術(shù)的問題，彌補(bǔ)現(xiàn)有目前市場上現(xiàn)有產(chǎn)品的不足。
[0006]本實(shí)用新型提供了一種微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，主要包括激光器、多個(gè)狹縫、第一半反半透鏡、濾光片、第二半反半透鏡、照相機(jī)、顯微物鏡、樣品臺、多個(gè)反射鏡、探測器和計(jì)算機(jī)終端，所述多個(gè)狹縫包括第一狹縫、第二狹縫和第三狹縫，所述計(jì)算機(jī)終端與激光器連接。
[0007]優(yōu)選的，上述按照激光光路的方向依次設(shè)置激光器、第一狹縫、第一半反半透鏡、第二狹縫、第三狹縫、多個(gè)反射鏡和探測器，計(jì)算機(jī)終端與探測器連接。
[0008]優(yōu)選的，上述多個(gè)反射鏡包括第一反射鏡和第二反射鏡。
[0009]優(yōu)選的，上述第一反射鏡和第二反射鏡均為球面反射鏡，兩個(gè)反射鏡之間設(shè)置由光柵。
[0010]優(yōu)選的，上述第一反射鏡和第二反射鏡后側(cè)設(shè)置由光譜儀。
[0011]優(yōu)選的，按照激光光路方向還依次設(shè)置有激光器、第一狹縫、第一半反半透鏡、顯微物鏡和樣品臺。
[0012]優(yōu)選的，按照激光光路方向還依次設(shè)置有激光器、第一狹縫、第一半反半透鏡、濾光片、第二半反半透鏡和照相機(jī)。
[0013]本實(shí)用新型提供的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，通過系統(tǒng)的設(shè)置，所得的光致發(fā)光譜，通過對發(fā)光譜中峰位、半高寬等的分析，可以得出材料帶隙、缺陷、雜質(zhì)能級以及復(fù)合機(jī)制等信息，為科學(xué)研究半導(dǎo)體納米材料的光學(xué)性質(zhì)研究提供了很好的分析設(shè)備。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記:1_激光器；2_第一狹縫；3_第一半反半透鏡；4_濾波片；5_第二半反半透鏡；6_照相機(jī)；7_顯微物鏡；8_樣品臺；9_第二狹縫；10_第三狹縫；11_第一反射鏡；12-光柵；13-第二反射鏡；14_探測器；15-光譜儀；16-計(jì)算機(jī)終端。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解和實(shí)施本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0017]本實(shí)用新型提供的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，主要結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要包括激光器1、多個(gè)狹縫、第一半反半透鏡3、濾光片4、第二半反半透鏡5、照相機(jī)6、顯微物鏡7、樣品臺8、多個(gè)反射鏡、探測器14和計(jì)算機(jī)終端，多個(gè)狹縫包括第一狹縫2、第二狹縫9和第三狹縫10，計(jì)算機(jī)終端16與激光器I連接。按照激光光路的方向依次設(shè)置激光器1、第一狹縫2、第一半反半透鏡3、第二狹縫9、第三狹縫10、多個(gè)反射鏡和探測器14，計(jì)算機(jī)終端16與探測器14連接。其中，多個(gè)反射鏡包括第一反射鏡11和第二反射鏡13。第一反射鏡11和第二反射鏡13均為球面反射鏡，兩個(gè)反射鏡之間設(shè)置由光柵12。第一反射鏡11和第二反射鏡13后側(cè)設(shè)置由光譜儀15。
[0018]按照激光光路方向還依次設(shè)置有激光器1、第一狹縫2、第一半反半透鏡3、顯微物鏡7和樣品臺8。按照激光光路方向還依次設(shè)置有激光器1、第一狹縫2、第一半反半透鏡3、濾光片4、第二半反半透鏡5和照相機(jī)6。
[0019]本實(shí)用新型提供的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其工作原理為:激光器I出射激光經(jīng)由外部光路進(jìn)入顯微鏡7照射到樣品上，樣品受到激光的激發(fā)，產(chǎn)生光致發(fā)光，樣品發(fā)出的光由顯微鏡7的物鏡進(jìn)行收集，經(jīng)過顯微鏡7里的鏡片組(半反半透的透鏡)變成平行光，使得樣品所發(fā)熒光分為兩部分，一部分進(jìn)入照相機(jī)6進(jìn)行成像，一部分經(jīng)由透鏡聚焦后進(jìn)入光柵光譜儀15，經(jīng)光柵12分光后聚焦至探測器14。
[0020]通過對光致發(fā)光峰的分析我們可以得到:物質(zhì)的特征電子躍迀，粒子是否有表面缺陷發(fā)光，樣品的發(fā)光性能、能級結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)等信息。
[0021]以上所述之【具體實(shí)施方式】為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，并非以此限定本實(shí)用新型的具體實(shí)施范圍，本實(shí)用新型的范圍包括并不限于本【具體實(shí)施方式】，凡依照本實(shí)用新型之形狀、結(jié)構(gòu)所作的等效變化均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其特征在于:所述微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)主要包括激光器(I)、多個(gè)狹縫、第一半反半透鏡(3)、濾光片(4)、第二半反半透鏡(5)、照相機(jī)(6)、顯微物鏡(7)、樣品臺(8)、多個(gè)反射鏡、探測器(14)和計(jì)算機(jī)終端，所述多個(gè)狹縫包括第一狹縫(2)、第二狹縫(9)和第三狹縫(10)，所述計(jì)算機(jī)終端(16)與激光器(I)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其特征在于:按照激光光路的方向依次設(shè)置激光器(I)、第一狹縫(2)、第一半反半透鏡(3)、第二狹縫(9)、第三狹縫(10)、多個(gè)反射鏡和探測器(14)，計(jì)算機(jī)終端(16)與探測器(14)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其特征在于:所述多個(gè)反射鏡包括第一反射鏡(11)和第二反射鏡(13)，第一反射鏡(11)和第二反射鏡(13)均為球面反射鏡，兩個(gè)反射鏡之間設(shè)置由光柵(12)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其特征在于:所述第一反射鏡(11)和第二反射鏡(13)后側(cè)設(shè)置由光譜儀(15)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其特征在于:按照激光光路方向還依次設(shè)置有激光器(I)、第一狹縫(2)、第一半反半透鏡(3)、顯微物鏡(7)和樣品臺(8)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，其特征在于:按照激光光路方向還依次設(shè)置有激光器(I)、第一狹縫(2)、第一半反半透鏡(3)、濾光片(4)、第二半反半透鏡(5)和照相機(jī)(6)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，主要包括激光器(1)、多個(gè)狹縫、第一半反半透鏡(3)、濾光片(4)、第二半反半透鏡(5)、照相機(jī)(6)、顯微物鏡(7)、樣品臺(8)、多個(gè)反射鏡、探測器(14)和計(jì)算機(jī)終端，所述多個(gè)狹縫包括第一狹縫(2)、第二狹縫(9)和第三狹縫(10)，所述計(jì)算機(jī)終端(16)與激光器(1)連接。本實(shí)用新型提供的微控顯微共聚焦熒光系統(tǒng)，通過系統(tǒng)的設(shè)置，所得的光致發(fā)光譜，通過對發(fā)光譜中峰位、半高寬等的分析，可以得出材料帶隙、缺陷、雜質(zhì)能級以及復(fù)合機(jī)制等信息，為科學(xué)研究半導(dǎo)體納米材料的光學(xué)性質(zhì)研究提供了很好的分析設(shè)備。
【IPC分類】G01N21/64
【公開號】CN204924943
【申請?zhí)枴緾N201520388357
【發(fā)明人】陳小梅
【申請人】陳小梅
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年6月3日