專(zhuān)利名稱(chēng)：參考電壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及ー種參考電壓電路。
背景技術(shù)：
不考慮供電端的電壓，參考電壓電路是相對(duì)于低壓供電端的電勢(shì)總是從輸出端輸出恒定電壓的電路。如圖I所示，Ml為耗盡型PMOS晶體管，M2為增強(qiáng)型PMOS晶體管，該參考電壓電路的輸出電壓Vref可以通過(guò)以下公式得到
權(quán)利要求1.ー種參考電壓電路，其特征在于，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的漏極和增強(qiáng)型PMOS晶體管的源極之間的增強(qiáng)型PMOS晶體管組件，該增強(qiáng)型PMOS晶體管組件至少包括一個(gè)增強(qiáng)型PMOS晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管和增強(qiáng)型PMOS晶體管的導(dǎo)電溝道內(nèi)的離子分布完全相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管的柵極為P型摻雜，所述增強(qiáng)型PMOS晶體管的柵極為N型摻雜。
4.ー種參考電壓電路，其特征在于，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的源極上的電流鏡和連接在所述電流鏡和增強(qiáng)型PMOS晶體管之間的增強(qiáng)型PMOS晶體管組件，其中 所述增強(qiáng)型PMOS晶體管組件至少包括一個(gè)增強(qiáng)型PMOS晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，還包括兩端分別與所述電流鏡和耗盡型PMOS晶體管的源極之間的電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管和增強(qiáng)型PMOS晶體管的導(dǎo)電溝道內(nèi)的離子分布完全相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6中任意一項(xiàng)所述的電路，其特征在于，所述耗盡型PMOS晶體管的柵極為P型摻雜，所述增強(qiáng)型PMOS晶體管的柵極為N型摻雜。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種參考電壓電路，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的漏極和增強(qiáng)型PMOS晶體管的源極之間的增強(qiáng)型PMOS晶體管組件，該增強(qiáng)型PMOS晶體管組件至少包括一個(gè)增強(qiáng)型PMOS晶體管，或者，包括連接在耗盡型PMOS晶體管的源極上的電流鏡和連接在所述電流鏡和增強(qiáng)型PMOS晶體管之間的增強(qiáng)型PMOS晶體管組件，其中所述增強(qiáng)型PMOS晶體管組件至少包括一個(gè)增強(qiáng)型PMOS晶體管。具體的，本實(shí)用新型公開(kāi)的參考電壓電路，增加包括至少一個(gè)增強(qiáng)型PMOS晶體管的增強(qiáng)型PMOS晶體管組件，其輸出電壓相應(yīng)的增加了至少一個(gè)增強(qiáng)型PMOS晶體管的柵源電壓。
文檔編號(hào)G05F3/26GK202433801SQ20122004933
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月15日
發(fā)明者宗強(qiáng), 張美玲, 郜小茹 申請(qǐng)人:上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司