專利名稱：高壓晶體管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體管制造方法，尤其涉及一種高壓晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在制造高壓晶體管時， 一般都是在生長柵多晶硅后，使 用光刻技術(shù)對所述柵多晶硅進(jìn)行刻蝕形成晶體管的柵極，然后再在所述柵 極的兩側(cè)形成側(cè)墻，接著再進(jìn)行高濃度源漏離子注入等后續(xù)工藝。
例如，在一個實(shí)施例中，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中一般通過以下方法 來制造高壓晶體管
第一步，在硅襯底上進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)，然后對硅片進(jìn)行阱區(qū) 退火；其中，對于麗OS晶體管而言，所注入的離子可以為硼離子等；而 對于PMOS晶體管而言，所注入的離子可以為磷離子等；這時的剖面如圖
2a所示。
第二步，在所述硅襯底上阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性離子注入，形成源漏
區(qū)，然后對硅片進(jìn)行延伸源漏退火；在該步驟中，對于NMOS晶體管而言， 所注入的離子可以為磷離子或者砷離子等；而對于PMOS晶體管而言，所 注入的離子可以為硼離子或者二氟化硼等；這時的剖面如圖2b所示。 第三步，在硅襯底的頂部生長一層?xùn)叛趸瘜?。第四步，在所述柵氧化層上面再淀積一層多晶硅柵，然后使用公知的 光刻技術(shù)，對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕，形成柵極，這時的剖面結(jié)構(gòu)如圖 2c所示。
第五步，在所述柵極兩側(cè)形成晶體管的氧化物側(cè)墻。
第六步，進(jìn)行高濃度源漏離子注入，從而最終形成如圖2d所示的高
壓晶體管。
在這個制造過程中，如果想要增加高壓器件的擊穿電壓， 一般需要把 高壓阱做淡，同時把低摻雜源漏做得比較緩，但在高壓器件制作過程中， 由于晶體管飽和電流，及開啟電壓的限制，要提高器件的擊穿電壓就不是 一件容易的事。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓晶體管制造方法，可在不影 響晶體管飽和電流、開啟電壓等特性的情況下，提高其擊穿電壓。 為解決上述技術(shù)問題，在一個實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種高壓晶體
管制造方法，包括
在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；
在硅襯底頂部生長柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工
序；
對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極，同時對所述柵極兩側(cè)的硅襯底進(jìn) 行過刻蝕的工序
在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻的工序。
在另一個實(shí)施例中，本發(fā)明還提供了一種高壓晶體管制造方法，包括:在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；
在硅襯底頂部生長柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工
序；
對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極的工序；
在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻的工序；
對所述側(cè)墻兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕的工序。
本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案，具有這樣的有益效果，即通過在淀 積了多晶硅柵以后，對硅襯底上的源漏區(qū)域進(jìn)行過刻蝕，從而改變了晶體 管的電力線分布，進(jìn)而提高了晶體管的擊穿電壓。
下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制造高壓晶體管的一個實(shí)施例的流程圖； 圖2a-2d為依據(jù)圖l所述方法制造高壓晶體管過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖； 圖3為根據(jù)本發(fā)明所述高壓晶體管制造方法的一個實(shí)施例的流程
圖4a-4b為依據(jù)圖3所述方法制造高壓晶體管過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖； 圖5為根據(jù)本發(fā)明所述高壓晶體管制造方法的另一個實(shí)施例的流程
圖6a-6b為依據(jù)圖5所述方法制造高壓晶體管過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖； 圖7a為依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所制造的高壓晶體管的電力線方向示意圖； 圖7b為依據(jù)本發(fā)明所制造的高壓晶體管的電力線方向示意圖。
具體實(shí)施例方式
在一個實(shí)施例中，如圖3所示，本發(fā)明所述高壓晶體管的制造過程如
下
第一步，在硅襯底上進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)，然后對硅片進(jìn)行阱區(qū)
退火；其中，對于麗OS晶體管而言，所注入的離子可以為硼離子等；而 對于PMOS晶體管而言，所注入的離子可以為磷離子等；這時的剖面如圖 2a所示o
第二步，在所述硅襯底上阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性低劑量離子注入(所 注入離子的劑量范圍為E12 5E14cm—2)，形成晶體管的源漏區(qū)域，然后對 硅片進(jìn)行延伸源漏退火；在該步驟中，對于麗OS晶體管而言，所注入的 離子可以為磷離子或者砷離子等；而對于PMOS晶體管而言，所注入的離 子可以為硼離子或者二氟化硼等；這時的剖面如圖2b所示。 第三步，在硅襯.底的頂部生長一層?xùn)叛趸瘜印?第四步，在所述柵氧化層上面再淀積一層多晶硅柵。 第五步，使用公知的光刻技術(shù)，對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極， 同時對所述柵極兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕，該過刻蝕的深度應(yīng)確保不超過 所述硅襯底上源漏區(qū)域的深度，這時的剖面結(jié)構(gòu)如圖4a所示。
第六步，在上述刻蝕出的溝槽內(nèi)且位于所述柵極兩側(cè)的位置形成側(cè)
+血%!。
第七步，進(jìn)行高濃度源漏離子注入(所注入離子的劑量范圍為E14 E16cm—2)等其他后續(xù)步驟，最終如圖4b所示的高壓晶體管。
在另一個實(shí)施例中，如圖5所示，本發(fā)明所述高壓晶體管的制造過程也可如下
第一步，在硅襯底上進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)，然后對硅片進(jìn)行退火; 其中，對于麗0S晶體管而言，所注入的離子可以為硼離子等；而對于PM0S 晶體管而言，所注入的離子可以為磷離子等；這時的剖面如圖2a所示。
第二步，在所述硅襯底上阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性離子注入，形成源漏 區(qū)域，然后對硅片再一次進(jìn)行退火；在該步驟中，對于麗OS晶體管而言， 所注入的離子可以為磷離子或者砷離子等；而對于PM0S晶體管而言，所 注入的離子可以為硼離子或者二氟化硼等；這時的剖面如圖2b所示。
第三步，在硅襯底的頂部生長一層?xùn)叛趸瘜印?br>
第四步，在所述柵氧化層上面再淀積一層多晶硅柵。
第五步，使用公知的光刻技術(shù)，對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極。
第六步，在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻。
第七步，使用公知的光刻技術(shù)，對所述側(cè)墻兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕， 該過刻蝕的深度應(yīng)確保不超過硅襯底上源漏區(qū)域的深度，這時的剖面結(jié)構(gòu) 如圖6a所示。
第八步，進(jìn)行高濃度源漏離子注入(所注入離子的劑量范圍為E14 E16cm—2)等其他后續(xù)步驟，最終如圖6b所示的高壓晶體管。
通過上述方法可知，本發(fā)明由于對源漏區(qū)域進(jìn)行了過刻蝕，由此有效 增加了晶體管的等效電阻，特別是源漏區(qū)域靠近晶體管溝道表面部分的等 效電阻，從而改變了源漏端電力線方向，通過對照圖7a和7b可以看出， 本發(fā)明所述晶體管溝道表面結(jié)比較弱的區(qū)域電力線變少了，且表面橫向密 集電力線變?yōu)樽韵露系姆较?，由此提高了晶體管的擊穿電壓。但是，本發(fā)明的范圍并不限于上述兩個實(shí)施例，因?yàn)閷τ诒绢I(lǐng)域的一 般技術(shù)人員而言，基于上述對硅襯底上的源漏區(qū)域進(jìn)行過刻蝕，從而改變 晶體管電力線方向，以提高晶體管擊穿電壓的原理，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人 員應(yīng)該也可以想到其他制造高壓晶體管的方法，如源漏區(qū)域的摻雜也可以
采用其他方法來實(shí)現(xiàn)，如形成為LDD結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域等。由于這些對于本
領(lǐng)域的技術(shù)人員來說都是熟悉的，因此在此不作詳細(xì)描述。
權(quán)利要求
1、一種高壓晶體管制造方法，其特征在于，包括在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；在硅襯底頂部生長柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工序；對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極，同時對所述柵極兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕的工序；在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻的工序。
2、 一種高壓晶體管制造方法，其特征在于，包括 在硅襯底上形成源漏區(qū)域的工序；在硅襯底頂部生長柵氧化層和在所述柵氧化層上淀積多晶硅柵的工序；對所述多晶硅柵進(jìn)行刻蝕形成柵極的工序；在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻的工序；對所述側(cè)墻兩側(cè)的硅襯底進(jìn)行過刻蝕的工序。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述高壓晶體管制造方法，其特征在于，所述過 刻蝕的深度應(yīng)確保不超過所述硅襯底上源漏區(qū)域的深度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高壓晶體管制造方法，通過在淀積了多晶硅柵以后，對硅襯底上的源漏區(qū)域進(jìn)行過刻蝕，從而改變了晶體管的電力線分布，進(jìn)而提高了晶體管的擊穿電壓。
文檔編號H01L21/02GK101452850SQ20071009438
公開日2009年6月10日 申請日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者君 胡, 錢文生 申請人:上海華虹Nec電子有限公司