專利名稱：平面顯示器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種平面顯示器，其包含具有不同載流子遷移率(carriermobility)的薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示器利用有機發(fā)光元件(organic luminous device)，例如有機發(fā)光二極管(organic light-emitting diode，OLED)，作為顯示器的光源。由于有機發(fā)光元件本身為一電流驅(qū)動元件，能根據(jù)所通過電流的大小產(chǎn)生不同亮度的光線，故在次像素排列成矩陣形式的矩陣式有機顯示器中，即是藉由控制各次像素內(nèi)有機發(fā)光元件的驅(qū)動電流的大小，來達(dá)到顯示不同亮度(又稱為灰階值)的效果，因此有機發(fā)光顯示器可充分利用此種特性來產(chǎn)生不同灰階強度的紅、藍(lán)、綠光，進一步使顯示器產(chǎn)生色彩豐富的圖像。
根據(jù)驅(qū)動方式的差異，矩陣式顯示器可分為無源矩陣(passive matrix)顯示器與有源矩陣(active matrix)顯示器兩種。無源矩陣顯示器是采用循序驅(qū)動掃描線的方式，逐一驅(qū)動位于不同列上的次像素，因此每一列上的次像素的發(fā)光時間會受限于顯示器的掃描頻率以及掃描線數(shù)目，較不適用于大畫面以及高分辨率(表示掃描線增加)的顯示器。相反的，而有源矩陣顯示器則于每一個次像素中形成獨立的次像素電路，包括一電容器(capacitor，Cs)、一OLED發(fā)光元件以及至少二薄膜晶體管，以利用次像素電路來調(diào)節(jié)OLED的驅(qū)動電流大小，因此即使在大畫面以及高分辨率的要求下，仍然可以持續(xù)提供每一次像素一穩(wěn)定驅(qū)動電流。
請參考圖1，圖1為現(xiàn)有一有源矩陣有機發(fā)光顯示器10的基本架構(gòu)圖。如圖1所示，一顯示面板12上包含有由多條數(shù)據(jù)線(例如D1、D2及D3)與多列掃描線(例如S1與S2)所構(gòu)成的矩陣。顯示面板12另包含多個由至少二薄膜晶體管、一儲存電容以及一有機發(fā)光元件20等電子元件所構(gòu)成的次像素電路26，分別設(shè)置于每一條數(shù)據(jù)線22與每一條掃描線24的交會處。各次像素電路26電連接于一相對應(yīng)的數(shù)據(jù)線22與一相對應(yīng)的掃描線24，以驅(qū)動該次像素內(nèi)的有機發(fā)光元件20。數(shù)據(jù)線D1、D2及D3等連接至一外部數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路16，以接收一圖像數(shù)據(jù)信號，而掃描線S1、S2與S3等則連接至一外部掃描線驅(qū)動電路18，以接收一開關(guān)/定址信號。
圖2為圖1所示次像素電路26的示意圖。如圖2所示，次像素電路26包含有一開關(guān)薄膜晶體管28、一驅(qū)動薄膜晶體管30以及一儲存電容32。在現(xiàn)有技術(shù)中，開關(guān)薄膜晶體管28與驅(qū)動薄膜晶體管30一般分別為N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)與P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。開關(guān)薄膜晶體管28的柵極電連接于掃描線24，而開關(guān)薄膜晶體管28的源極(即點A)則電連接于數(shù)據(jù)線22。此外，驅(qū)動薄膜晶體管30的柵極(點B)電連接于開關(guān)薄膜晶體管28的源極與儲存電容32的一端。驅(qū)動薄膜晶體管30的源極(點D)與漏極(點C)則分別電連接于外部電源Vdd和有機發(fā)光元件20。
現(xiàn)有有機發(fā)光顯示器10的驅(qū)動原理說明如下，請參考圖1與圖2，當(dāng)一圖像數(shù)據(jù)信號輸入控制電路14時，控制電路14會根據(jù)各次像素所需要顯示的數(shù)據(jù)產(chǎn)生相對應(yīng)的控制信號并分別輸入數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路16及掃描線驅(qū)動電路18，然后掃描線驅(qū)動電路18將依序?qū)γ恳粭l掃描線24(S1、S2～Sn)送出對應(yīng)的掃描信號，以依次開啟各列次像素電路26，并對所對應(yīng)的各列次像素進行顯示操作。例如當(dāng)有機發(fā)光顯示器10欲驅(qū)動位于D2與S2交會處的次像素時，控制電路14會經(jīng)由掃描線24將一掃描信號輸入次像素電路26中開關(guān)薄膜晶體管28的柵極，且控制電路14會根據(jù)欲顯示的數(shù)據(jù)，同時通過數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路16與數(shù)據(jù)線22將一對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(通常系提供一預(yù)定強度的電壓信號)輸入次像素電路26中開關(guān)薄膜晶體管28的漏極。
由于開關(guān)薄膜晶體管28處于導(dǎo)通狀態(tài)，圖像信號會對儲存電容32充電，以于B點產(chǎn)生一第一電壓使驅(qū)動薄膜晶體管30產(chǎn)生一對應(yīng)的驅(qū)動電流輸出至有機發(fā)光元件20，使得有機發(fā)光元件20產(chǎn)生具有對應(yīng)亮度的光線。當(dāng)顯示器10進行后續(xù)顯示操作時，例如驅(qū)動下一列次像素時，雖然掃描線S2上的電壓將下降而使第一薄膜晶體管28關(guān)閉，然而由于儲存電容32中仍然具有一第一電壓，因此第二晶體管30將會被維持在導(dǎo)通狀態(tài)。又由于點D與點B間具有一電壓差，因此會持續(xù)產(chǎn)生電流經(jīng)由驅(qū)動薄膜晶體管30輸出至有機發(fā)光元件20，使有機發(fā)光元件20持續(xù)維持在發(fā)光狀態(tài)。
總結(jié)而言，雖然一有源矩陣有機發(fā)光顯示器的次像素電路可能具有各種設(shè)計結(jié)構(gòu)，且一次像素電路內(nèi)的薄膜晶體管數(shù)量亦可能不相同，然而，一次像素電路通常包含至少二薄膜晶體管分別用來驅(qū)動有機發(fā)光元件，例如上述的驅(qū)動薄膜晶體管30，以及用來開關(guān)該次像素，例如開關(guān)薄膜晶體管28。由上述有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動原理可知，負(fù)責(zé)驅(qū)動有機發(fā)光元件的次像素電路為一有機發(fā)光顯示器是否能即時顯示出完整及正確數(shù)據(jù)畫面的關(guān)鍵之一。再者，開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管又為畫素電路中主要控制次像素導(dǎo)通與否及供應(yīng)各次像素有機發(fā)光元件持續(xù)發(fā)光的重要元件，因此開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管的良莠通常為有機發(fā)光顯示器品質(zhì)好壞的重要因素。
一般而言，開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管為低溫多晶硅(lowtemperature polysilicon，LTPS)薄膜晶體管，并在現(xiàn)有方法中藉由相同的工藝所同時形成，且一LTPS薄膜晶體管的溝道區(qū)多晶硅層于低溫下所形成?，F(xiàn)有制作溝道區(qū)的方法使用不同能量的激光光線或本身具有激光光線掩模裝置的激光機臺，以調(diào)整激光光線的強度而形成多晶硅層。
由于在一次像素中，開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管具有不同的功能，因此實質(zhì)上在操作時它們也需要不同的電性品質(zhì)。舉例而言，一開關(guān)薄膜晶體管用來開啟其所對應(yīng)的次像素，所以它需要具有高載流子遷移率與高驅(qū)動電流。相反的，一驅(qū)動薄膜晶體管是用來驅(qū)動有機發(fā)光元件，同時控制次像素中有機發(fā)光元件的光線亮度。因此，平面顯示器上的所有驅(qū)動薄膜晶體管都應(yīng)該有相同或相近的驅(qū)動能力，且驅(qū)動薄膜晶體管的載流子遷移率也必須較穩(wěn)定以維持有機發(fā)光元件的壽命。然而，在現(xiàn)有制作方法中，驅(qū)動薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)皆由激光光照射所形成，所以溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)具有高載流子遷移率，約為100平方厘米/伏特·秒(cm2/V·s)，并具有較大的變異性。所以，在溝道區(qū)包含有上述晶粒結(jié)構(gòu)的驅(qū)動薄膜晶體管會具有較大變異性，導(dǎo)致其載流子遷移率的范圍較大，使得各次像素中的有機發(fā)光元件在全亮?xí)r可能具有不同的亮度。又因為驅(qū)動薄膜晶體管具有較大范圍的不同驅(qū)動電壓，因此平面顯示器很難具有良好的發(fā)光均勻性，因而造成發(fā)光不均勻(mura problem)。再者，各次像素中有機發(fā)光元件的壽命也因此難以控制。所以，現(xiàn)有方法無法同時滿足開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種平面顯示器及其制作方法，以解決上述習(xí)知平面顯示器的問題。
根據(jù)本發(fā)明，揭露一種制作平面顯示器的方法，其包含有提供基底，于基底上形成非晶硅層，接著進行第一結(jié)晶工藝以再結(jié)晶該非晶硅層，使得非晶硅層成為多晶硅層，然后于平面顯示器的各次像素中形成圖案化的吸收層，以定義出各次像素內(nèi)的驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域圖案，并同時暴露出部分多晶硅層。再進行第二結(jié)晶工藝，以再結(jié)晶多晶硅層的暴露部分，使得多晶硅層的暴露部分的晶粒結(jié)構(gòu)不同于驅(qū)動薄膜晶體管的晶粒結(jié)構(gòu)。然后移除圖案化的吸收層，移除部分多晶硅層，以于各次像素中形成驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域以及開關(guān)薄膜晶體管的有源區(qū)域，設(shè)于多晶硅層的暴露區(qū)域內(nèi)。
由于本發(fā)明驅(qū)動薄膜晶體管的溝道區(qū)與開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)以不同的結(jié)晶工藝所形成，因此相較于開關(guān)薄膜晶體管，驅(qū)動薄膜晶體管的溝道區(qū)具有一樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)(dendrite grain structure)而具有低載流子遷移率與低載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差。所以，所有驅(qū)動薄膜晶體管均能提供相近的驅(qū)動電流給各次像素內(nèi)對應(yīng)的有機發(fā)光元件，以解決發(fā)光不均勻的問題。再者，由于開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)包含有一柱狀(columnar)晶粒結(jié)構(gòu)，其具有高載流子遷移率，因此各次像素皆能具有較佳的反應(yīng)時間。


圖1為現(xiàn)有一有源矩陣有機發(fā)光顯示器10的基本架構(gòu)圖。
圖2為圖1所示次像素電路的示意圖；圖3至圖9為本發(fā)明制作平面顯示器50的方法的工藝剖面示意圖；圖10為樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)與柱狀晶粒結(jié)構(gòu)的示意圖。
主要元件符號說明10 有機發(fā)光顯示器12 顯示面板14 控制電路 16 數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路18 掃描線驅(qū)動電路20 有機發(fā)光元件22 數(shù)據(jù)線24 掃描線26 次像素電路28 開關(guān)薄膜晶體管30 驅(qū)動薄膜晶體管32 儲存電容
50 平面顯示器52 像素矩陣區(qū)52a 開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域52b 驅(qū)動薄膜晶體管區(qū)域54 周邊電路區(qū)56 基底58 緩沖層60 非晶硅層62 多晶硅層 64 吸收層66 光阻層68 多晶硅層70、72、74 有源區(qū)域 70a、72a、74a 源極區(qū)70b、72b、74b 漏極區(qū) 70c、72c、74c 溝道區(qū)76 硅氧層78 金屬層80、82、84 柵極 86 保護層88 開關(guān)薄膜晶體管90 驅(qū)動薄膜晶體管92 周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管具體實施方式
在本發(fā)明優(yōu)選實施例中，本發(fā)明方法應(yīng)用于制作一平面顯示器，而該平面顯示器可為一有源矩陣有機發(fā)光顯示器(active matrix OLED，AMOLED)。然而，在其他實施例中，本發(fā)明亦可應(yīng)用于有源矩陣聚合物發(fā)光顯示器的制作。本發(fā)明平面顯示器包含有一周邊電路區(qū)以及一包含有多個次像素的像素矩陣區(qū)。各次像素包含有至少二薄膜晶體管以及一有機發(fā)光元件，其中上述薄膜晶體管之一為用來驅(qū)動有機發(fā)光元件的驅(qū)動薄膜晶體管，而另一薄膜晶體管則為用來開關(guān)該次像素的開關(guān)薄膜晶體管。
請參考圖3至圖9，圖3至圖9為本發(fā)明制作平面顯示器50的方法的工藝剖面示意圖。如圖3所示，平面顯示器50包含一像素矩陣區(qū)52與一周邊電路區(qū)54，其中像素矩陣區(qū)52包含多個次像素。各次像素則包含至少二薄膜晶體管設(shè)于該次像素中。為便于說明，在圖3中僅繪出一開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域52a與一驅(qū)動薄膜晶體管區(qū)域52b。首先，提供一基底56，其中基底56系為一透明玻璃基板。接著，依序于基底56上的像素矩陣區(qū)52與周邊電路區(qū)54內(nèi)形成一緩沖層(buffer layer)58與一非晶硅層60。緩沖層58與非晶硅層60可藉由等離子體增強化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemicalvapor deposition，PECVD)工藝所形成，其中緩沖層58可為一硅氧層，以避免非晶硅層60的熱量散失。在形成緩沖層58與非晶硅層60之后，進行一去氫工藝，以降低非晶硅層60中的氫含量。
請參考圖4，進行一第一結(jié)晶工藝以再結(jié)晶非晶硅層60而于緩沖層58上形成一多晶硅層62。該第一結(jié)晶工藝優(yōu)選為一固相結(jié)晶(solid-phasecrystallization，SPC)工藝，包含一爐管退火(furnace annealing)工藝、一快速熱處理工藝(rapid thermal process，RTP)或一交替交替磁場結(jié)晶(analternating magnetic field crystallization，AMFC)工藝。舉例而言，當(dāng)SPC工藝是利用一爐管退火工藝所進行時，可使用爐管將基底52加熱至600℃之下，維持12至24小時，以使非晶硅層60完全熔解并再結(jié)晶成為具有一樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅層62。
接著，于多晶硅層62表面依序形成一吸收層64以及一光阻層66。然后進行一光刻及蝕刻工藝，以圖案化光阻層66與吸收層64而于各驅(qū)動薄膜晶體管區(qū)域52b內(nèi)定義出一有源區(qū)域圖案。因此，圖案化的吸收層64只會覆蓋在后來形成的驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域上，而多晶硅層62的其他區(qū)域則會被暴露出來，如圖5所示。吸收層64可包含硅氧層或其他可以有效阻擋后續(xù)工藝中的激光光線的材料。
請參考圖6，接著選擇性除去光阻層66。然后進行一第二結(jié)晶工藝以再結(jié)晶暴露出的多晶硅層62。此第二結(jié)晶工藝不同于第一結(jié)晶工藝。在優(yōu)選實施例中，第二結(jié)晶工藝為一準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser annealing，ELA)工藝，可利用準(zhǔn)分子激光或固相激光(solid-stated laser，SSL)法來施行。在第二結(jié)晶工藝期間，沒有被吸收層64覆蓋的多晶硅層62會被熔解、再結(jié)晶而形成一多晶硅層68，同時因為吸收層64能阻擋激光光線，因此被吸收層64覆蓋的多晶硅層62部分則不會在第二結(jié)晶工藝中被熔解。由于多晶硅層68由ELA工藝所形成，因此其包含有一柱狀晶粒結(jié)構(gòu)，且具有一較高的載流子遷移率。
請參考圖7，將吸收層64移除。然后進行一第二光刻及蝕刻工藝，以于所有次像素中定義出各開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域52a的各開關(guān)薄膜晶體管的有源區(qū)域70、驅(qū)動薄膜晶體管區(qū)域52b的各驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域72以及周邊電路區(qū)54的各周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域74。各有源區(qū)域70、72、74分別包含有一溝道區(qū)70c、72c、74c、一源極區(qū)70a、72a、74a以及一漏極區(qū)70b、72b、74b。
如圖8所示，隨后進行一等離子體增強化學(xué)氣相沉積(plasma enhancedchemical vapor deposition，PECVD)工藝，以于具有多晶硅層62、68的有源區(qū)域70、72、74表面形成一硅氧層76。硅氧層76用來當(dāng)作柵極介電層，以隔絕各薄膜晶體管內(nèi)的溝道區(qū)與柵極。之后，于硅氧層76表面形成一金屬層78，其可藉由一濺鍍工藝所形成。金屬層78可為一鉬(molybdenum，Mo)材料層、一鎢(tungsten，W)材料層、一鉻(chrome，Cr)材料層或其他具有導(dǎo)電性質(zhì)的金屬材料層。
請參考圖9，接著于金屬層78表面形成一光阻層(圖未示)。然后進行一光刻及蝕刻工藝以于光阻層中定義出柵極圖案(圖未示)。該柵極圖案位于溝道區(qū)70c、72c、74c之上方。之后，進行一干式蝕刻工藝，以移除部分金屬層78而于硅氧層76上方形成柵極80、82、84。在移除具有柵極圖案的光阻層后，可使用柵極80、82、84當(dāng)作注入掩模，選擇性進行一離子注入工藝而分別于多晶硅層62、68的源極區(qū)70a、72a、74a與漏極區(qū)70b、72b、74b形成薄膜晶體管的源極與漏極。然后，于基底56之上形成一保護層86，便完成分別于開關(guān)薄膜晶體管區(qū)域52a、驅(qū)動薄膜晶體管區(qū)域52b、周邊電路區(qū)54之內(nèi)制作開關(guān)薄膜晶體管88、驅(qū)動薄膜晶體管90及周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管92的工藝。
值得注意的是，由于驅(qū)動薄膜晶體管90的溝道區(qū)與其他薄膜晶體管的溝道區(qū)的制作方法不同，因此驅(qū)動薄膜晶體管90的溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)不同于開關(guān)薄膜晶體管88或周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管92的溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)。請參考圖10，圖10為樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)與柱狀晶粒結(jié)構(gòu)的示意圖。驅(qū)動薄膜晶體管90的溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)包含有一樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)，其藉由第一結(jié)晶工藝，即SPC工藝所形成。雖然樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)具有大約為10-40平方厘米/伏特·秒的低載流子遷移率，但其同時亦具有較小的載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差。由于驅(qū)動薄膜晶體管90通常具有較大的溝道長度，需要較平均的驅(qū)動電流與較小的載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差(大約小于5平方厘米/伏特·秒)，以提供給各次像素均勻的亮度。因此，藉由SPC工藝所形成的樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)能滿足上述驅(qū)動薄膜晶體管90的要求。另一方面，開關(guān)薄膜晶體管88與周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管92的溝道區(qū)70c、74包含由第二結(jié)晶工藝(例如ELA工藝)所形成的柱狀晶粒結(jié)構(gòu)，其具有一高載流子遷移率以及較高的驅(qū)動電流，所以各開關(guān)薄膜晶體管88與周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管92的反應(yīng)時間較短。因此，本發(fā)明平面顯示器50的整體反應(yīng)時間可以較佳化。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供一種在薄膜晶體管的溝道區(qū)內(nèi)具有至少兩種晶粒結(jié)構(gòu)的平面顯示器，例如AMOLED或有源矩陣聚合物發(fā)光顯示器，其中上述兩種不同的晶粒結(jié)構(gòu)分別包含于一次像素中或一周邊電路區(qū)以及像素矩陣區(qū)內(nèi)。因此，次像素或周邊電路區(qū)內(nèi)的各薄膜晶體管能具有較佳的操作性質(zhì)。例如，驅(qū)動薄膜晶體管的溝道區(qū)可包含具有低載流子遷移率以及低載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差的樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)，使得各次像素能具有均勻的亮度。再者，低驅(qū)動電流的樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)可以延長各次像素內(nèi)的有機發(fā)光元件的壽命。本發(fā)明可應(yīng)用于各種平面顯示器中，即使一次像素內(nèi)具有兩個以上的薄膜晶體管亦可應(yīng)用本發(fā)明精神。習(xí)于此技者所必須了解的是，本發(fā)明精神在于藉由不同的工藝，而為具有不同功能的薄膜晶體管溝道區(qū)提供不同或較適合的晶粒結(jié)構(gòu)。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種制作平面顯示器的方法，該平面顯示器包含有多個次像素，該方法包含有提供基底；于該基底上形成非晶硅層；對該非晶硅層進行第一結(jié)晶工藝，使得該非晶硅層形成多晶硅層；形成圖案化的吸收層，覆蓋各該次像素的驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域圖案，并暴露出部分該多晶硅層；對部分暴露的該多晶硅層進行第二結(jié)晶工藝，使得該多晶硅層的該部分暴露的晶粒結(jié)構(gòu)不同于該等驅(qū)動薄膜晶體管中被該等有源區(qū)域圖案所覆蓋的有源區(qū)域的晶粒結(jié)構(gòu)；移除該圖案化的吸收層；以及移除部分該多晶硅層，以形成各該驅(qū)動薄膜晶體管的該有源區(qū)域，同時于該多晶硅層的該暴露部分形成各該次像素的開關(guān)薄膜晶體管的有源區(qū)域；其中各該有源區(qū)域包含有溝道區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中該方法另包含有依序于該基底上形成柵極介電層以及金屬層；以及移除部分該金屬層以形成各該開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動晶體管的柵極。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中該平面顯示器包含有周邊電路區(qū)，且該移除部分該多晶硅層的步驟另包含有在該周邊電路區(qū)之內(nèi)另形成至少一周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3的方法，其中該周邊電路區(qū)內(nèi)的該周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管的溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)與各該次像素中的該開關(guān)薄膜晶體管的該溝道區(qū)的該晶粒結(jié)構(gòu)相同。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中該第一結(jié)晶工藝包含有固相結(jié)晶工藝。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中該固相結(jié)晶工藝包含爐管退火工藝、快速熱處理工藝或交替磁場結(jié)晶工藝。
7.如權(quán)利要求1的方法，其中該第二結(jié)晶工藝包含有準(zhǔn)分子激光退火工藝。
8.如權(quán)利要求7的方法，其中該準(zhǔn)分子激光退火工藝包含有固相激光工藝或準(zhǔn)分子激光工藝。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中該等驅(qū)動薄膜晶體管的該等溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)包含樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)，而該等開關(guān)薄膜晶體管的該等溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)包含柱狀晶粒結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1的方法，其中該等驅(qū)動薄膜晶體管的該等溝道區(qū)的載流子遷移率的標(biāo)準(zhǔn)差小于該等開關(guān)薄膜晶體管的該等溝道區(qū)的載流子遷移率的標(biāo)準(zhǔn)差。
11.一種平面顯示器，其包含有像素陣列區(qū)域，包含有多個次像素，且各該次像素包含有第一薄膜晶體管，其包含具有第一晶粒結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)；以及周邊電路區(qū)，包含有至少一周邊電路驅(qū)動薄膜晶體管，其包含具有第二晶粒結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)，且該第二晶粒結(jié)構(gòu)不同于該第一晶粒結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11的平面顯示器，其中該第一晶粒結(jié)構(gòu)包含樹枝狀晶粒結(jié)構(gòu)，而該第二晶粒結(jié)構(gòu)包含柱狀晶粒結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求11的平面顯示器，其中該第一薄膜晶體管為各該次像素的驅(qū)動薄膜晶體管。
14.如權(quán)利要求11的平面顯示器，其中該平面顯示器另包含第二薄膜晶體管設(shè)于各該次像素中，且該第二薄膜晶體管的溝道區(qū)的晶粒結(jié)構(gòu)不同于該第一晶粒結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14的平面顯示器，其中該等第二薄膜晶體管為該次像素中的開關(guān)薄膜晶體管。
16.如權(quán)利要求14的平面顯示器，其中各該第二薄膜晶體管的溝道區(qū)的該晶粒結(jié)構(gòu)與該第二晶粒結(jié)構(gòu)相同。
全文摘要
本發(fā)明平面顯示器的制作方法先進行第一結(jié)晶工藝而再結(jié)晶非晶硅層，再形成圖案化吸收層覆蓋住驅(qū)動薄膜晶體管的有源區(qū)，并暴露出部分多晶硅層。進行第二結(jié)晶工藝以再結(jié)晶暴露的多晶硅層，使暴露的多晶硅層與被覆蓋部分具有不同晶粒結(jié)構(gòu)，并利用不同晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅層分別形成驅(qū)動薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管的有源區(qū)。
文檔編號H01L27/32GK101071793SQ200710097720
公開日2007年11月14日 申請日期2007年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月11日
發(fā)明者劉俊彥, 曾章和 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司