專利名稱：具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種具有電磁屏蔽(electromagnetic shielding)功能的半導(dǎo)體圭寸裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景半導(dǎo)體封裝制程是在基板的晶粒承載器(chip carrier)表面通過(guò)黏晶 (diebond)與打線(wirebond)等制程完成芯片與基板的電性連接，再進(jìn)行 外殼封裝以及切割作業(yè)，以形成一半導(dǎo)體封裝元件。請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。該 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100包括一承載器101以及設(shè)置在該承載器101上的一 半導(dǎo)體基材110，其中該半導(dǎo)體基材110具有微機(jī)電 (micro-electro-mechanical system; MEMS)結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)電式麥克風(fēng)。 承載器101至少包括表面101a以及相對(duì)于表面101a的表面101b，并且 表面lOla上具有若干個(gè)接墊102以及至少一接地墊103。在一個(gè)例子中， 該承載器101的內(nèi)部預(yù)先形成了一接地層104，用以與接地墊103電性 連接。半導(dǎo)體基材IIO—般可以黏設(shè)的方式設(shè)置在承載器101的表面101a 上，其中該半導(dǎo)體基材110上至少包括頂表面110a以及相對(duì)于頂表面 110a的底表面110b，并且該頂表面llOa上具有若干個(gè)接墊112。該半 導(dǎo)體基材110具有微機(jī)電結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)電式麥克風(fēng)。承載器101的這 些接墊102利用導(dǎo)線150電性連接至半導(dǎo)體基材110的接墊112。然后， 在半導(dǎo)體基材110的外側(cè)裝設(shè)外殼130，該外殼130以導(dǎo)電材料制成， 并且其底部與承載器101的接地墊103之間設(shè)有導(dǎo)電材料132，從而使
該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)ioo具有電磁屏蔽的功能，以降低電磁波干擾而提高微機(jī)電式麥克風(fēng)的收音品質(zhì)。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝 結(jié)構(gòu)，以降低電磁波干擾而提高微機(jī)電式麥克風(fēng)等的收音品質(zhì)。該半導(dǎo) 體封裝結(jié)構(gòu)至少包括一承載器以及設(shè)置在該承載器上的一半導(dǎo)體基材， 其中半導(dǎo)體基材上設(shè)有圖案化鈍化層以及圖案化金屬層。該圖案化金屬層利用導(dǎo)線電性連接至承載器上的至少一接地墊，從而使該半導(dǎo)體封裝 結(jié)構(gòu)具有電磁屏蔽的功能。本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)的制造方法，該制造方法包括下列步驟在半導(dǎo)體基材上形成圖案化 鈍化層以及圖案化金屬層，并利用導(dǎo)線電性連接圖案化金屬層以及承載 器上的至少一接地墊，從而使所得的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有電磁屏蔽的功 能。根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié) 構(gòu)，至少包括 一承載器、設(shè)置在承載器上的一半導(dǎo)體基材、設(shè)置在半 導(dǎo)體基材上的一圖案化鈍化層、設(shè)置在圖案化鈍化層上的一圖案化金屬 層，以及導(dǎo)線，其中承載器上設(shè)有至少一接地墊，而導(dǎo)線電性連接圖案 化金屬層以及承載器的接地墊。承載器至少包括第一表面以及相對(duì)于第 一表面的第二表面，并且第一表面上具有若干個(gè)第一接墊以及至少一接 地墊。半導(dǎo)體基材設(shè)置在承載器的第一表面上，其至少包括頂表面以及 相對(duì)于頂表面的底表面，該頂表面電性連接至承載器的第一接墊。第一 圖案化鈍化層一般設(shè)置在半導(dǎo)體基材的頂表面上。圖案化金屬層一般設(shè) 置在第一圖案化鈍化層上。依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，上述第一圖案化鈍化層暴露出半導(dǎo)體 基材的頂表面的若千個(gè)第二接墊，以通過(guò)第二導(dǎo)線電性連接至承載器的 第一接墊。依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，上述第一圖案化鈍化層上進(jìn)一步至少 包括一重布線路層以及設(shè)置在該重布線路層上的一第二圖案化鈍化層， 其中重布線路層與半導(dǎo)體基材的頂表面的第二接墊電性連接，而第二圖 案化鈍化層暴露出重布線路層的一部份，并且重布線路層的該暴露部分 通過(guò)第二導(dǎo)線而電性連接至承載器的第一接墊。根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提供了一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封 裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟首先，提供一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo) 體晶圓至少包括一頂表面以及相對(duì)于頂表面的一底表面，并且頂表面上 具有若干個(gè)第一接墊以及至少一接地墊。接著，形成一第一圖案化鈍化 層在該頂表面上。然后，形成一圖案化金屬層在第一圖案化鈍化層上。 之后，切割半導(dǎo)體晶圓以形成若干個(gè)半導(dǎo)體基材，其中每一半導(dǎo)體基材 的頂表面上具有部份這些第一接墊。接下來(lái)，將每一半導(dǎo)體基材設(shè)置在 承載器的第一表面上，其中承載器至少包括第一表面以及相對(duì)于第一表 面的第二表面，而第一表面上具有若干個(gè)第二接墊以及至少一接地墊， 并且這些第二接墊電性連接至每一半導(dǎo)體基材的第一接墊；以及形成第 --導(dǎo)線，用以電性連接圖案化金屬層以及接地墊。應(yīng)用上述具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，由于該半導(dǎo)體封裝 結(jié)構(gòu)在圖案化鈍化層上設(shè)置圖案化金屬層后，再以導(dǎo)線電性連接該圖案 化金屬層以及承載器的接地墊，從而使該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有了電磁屏 蔽的功能，可降低電磁波干擾而提高微機(jī)電式麥克風(fēng)等的收音品質(zhì)。與 現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的外殼并不需要一定使用一 導(dǎo)電外殼，其外殼不論導(dǎo)電與否均可適用。以下結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
圖1為現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2B為沿著圖2A的A-A'剖面線所獲得的本發(fā)明一較佳實(shí)施例的 剖面示意圖。圖2C為沿著圖2A的A-A'剖面線所獲得的本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3A為本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3B為沿著圖3A的B-B'剖面線所獲得的本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就結(jié)合
如下請(qǐng)參考圖2A,圖2A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視 圖。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)200包括一承載器201以及設(shè)置在該承載器201 上的一半導(dǎo)體基材210，其中半導(dǎo)體基材210上設(shè)有圖案化鈍化層220、 圖案化金屬層230以及若干個(gè)接墊212，而圖案化金屬層230暴露出這 些接墊212。承載器201上設(shè)有若千個(gè)接墊(未圖示)以及至少一接地墊 (未圖示)。圖案化金屬層230電性連接至承載器201的接地墊(未圖示)， 而半導(dǎo)體基材210上的這些接墊212則電性連接至承載器201的接墊(未 圖示)。請(qǐng)參考圖2B，圖2B為沿著圖2A的A-A，剖面線所獲得的本發(fā)明一 較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)200包 括承載器201以及設(shè)置在該承載器201上的半導(dǎo)體基材210，其中半導(dǎo) 體基材210上設(shè)有圖案化鈍化層220、圖案化金屬層230以及若干個(gè)接 墊212。承載器201上設(shè)有至少一接地墊203，而半導(dǎo)體基材210上的 圖案化金屬層230通過(guò)導(dǎo)線240電性連接至承載器201的接地墊203， 從而使該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)200具有電磁屏蔽的功能。詳細(xì)而言，首先提供承載器201，其至少包括表面201a以及相對(duì)于 表面201a的表面201b，并且表面201a上具有若干個(gè)接墊202以及至少 一接地墊203。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該承載器201的內(nèi)部預(yù)先形成 了一接地層204，用以電性連接至接地墊203。在另一實(shí)施例中，該承
載器201的表面201a上也可預(yù)先形成一接地環(huán)(未圖示)，用以電性連接 至接地墊203。該接地環(huán)在后續(xù)制程中環(huán)設(shè)在每一半導(dǎo)體基材的外圍。該半導(dǎo)體基材210 —般可以黏設(shè)的方式設(shè)置在承載器201的表面 201a上。本實(shí)施例的半導(dǎo)體基材210并沒(méi)有特殊限制，凡是集成電路芯 片或具有微機(jī)電結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基材均可適用，其中微機(jī)電結(jié)構(gòu)包括微機(jī) 電式麥克風(fēng)。進(jìn)一步詳言之，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體基材210 通過(guò)切割半導(dǎo)體晶圓(未圖示)而形成，其中該半導(dǎo)體晶圓上至少包括頂 表面210a以及相對(duì)于頂表面210a的底表面210b，并且該頂表面210a 上具有若干個(gè)接墊212。接下來(lái)，形成圖案化鈍化層220在半導(dǎo)體晶圓的頂表面210a上， 其中圖案化鈍化層220的材料一般為聚亞醯胺(PI)或苯環(huán)丁烯(BCB)。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，圖案化鈍化層220可暴露出半導(dǎo)體基材210 頂表面210a的這些接墊212，使這些接墊212后續(xù)可通過(guò)導(dǎo)線250而電 性連接至承載器201的這些接墊202。然后，可利用電鍍法或?yàn)R鍍法形 成圖案化金屬層230在圖案化鈍化層220上，以暴露出之前形成的這些 接墊212，其中圖案化金屬層230的材料一般以具有電磁屏蔽作用的金 屬為宜，如銅、鋁等，但以銅為最佳。之后，切割半導(dǎo)體晶圓以形成若 干個(gè)半導(dǎo)體基材210，其中每一半導(dǎo)體基材210的頂表面210a上具有一 部份的這些接墊212。接下來(lái)，將每一半導(dǎo)體基材210以黏設(shè)等方式設(shè) 置在承載器201上，其中承載器201至少包括表面201a以及相對(duì)于表 面201a的表面201b，而每一半導(dǎo)體基材210設(shè)置在承載器201的表面 201a上。承載器201的表面201a上具有若干個(gè)接墊202以及至少一接 地墊203。承載器201的這些接墊202利用導(dǎo)線250電性連接至每一半 導(dǎo)體基材210的接墊212。然后，形成導(dǎo)線240，用以電性連接圖案化 金屬層230以及接地墊203。請(qǐng)參考圖2C，圖2C為沿著圖2A的A-A'剖面線所獲得的本發(fā)明另 一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。在本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例 中，在上述形成圖案化鈍化層220的步驟之后，也可共形地形成一重布
線路層(redistribution layer; RDL)224在該圖案化鈍化層220所暴露出的 這些接墊212上，其中該重布線路層224的材料一般為金屬，可與這些 接墊212電性連接而形成導(dǎo)通線路，以將這些接墊212重新配置在所需 的位置。然后，覆蓋另一圖案化鈍化層226在前述圖案化鈍化層220以 及重布線路層224上，并暴露出重布線路層224的一部份。該圖案化鈍 化層226的材料一般為聚亞醯胺(PI)或苯環(huán)丁烯(BCB)。之后，形成圖 案化金屬層230在圖案化鈍化層226上，以暴露出先前形成的一部份重 布線路層224,其中圖案化金屬層230的形成方式及其材料也如前所述， 因此不再贅述。之后，切割半導(dǎo)體晶圓以形成若干個(gè)半導(dǎo)體基材210， 其中每一半導(dǎo)體基材210的頂表面210a上暴露出一部份的重布線路層 224。接下來(lái)，將每一半導(dǎo)體基材210以黏設(shè)等方式設(shè)置在承載器201 上，其中承載器201至少包括表面201a以及相對(duì)于表面201a的表面 201b，而每一半導(dǎo)體基材210設(shè)置在承載器201的表面201a上。每一 半導(dǎo)體基材210上暴露的一部份重布線路層224利用導(dǎo)線250電性連接 至承載器201的這些接墊202。然后，形成導(dǎo)線240，用以電性連接圖 案化金屬層230以及接地墊203。請(qǐng)參考圖3A，圖3A為本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的 俯視圖。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)300包括承載器301以及設(shè)置在該承載器301 上的半導(dǎo)體基材310，其中半導(dǎo)體基材310上設(shè)有圖案化鈍化層320、 圖案化金屬層330以及若干個(gè)接墊312，而圖案化金屬層330暴露出這 些接墊312及其鄰近一側(cè)的圖案化鈍化層320。承載器301上設(shè)有若干 個(gè)接墊(未圖示)以及至少一接地墊(未圖示)。圖案化金屬層330電性連 接至承載器301的接地墊(未圖示)，而半導(dǎo)體基材310上的這些接墊312 則電性連接至承載器301的接墊(未圖示)。與圖2A相較，圖3A的半導(dǎo) 體基材310的接墊312被圖案化鈍化層320所覆蓋，而接墊312上方的 圖案化金屬層330呈梳狀分布，從而暴露出接墊312上方的圖案化鈍化 層320。請(qǐng)參考圖3B，圖3B為沿著圖3A的B-B'剖面線所獲得的本發(fā)明半 導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)300包括承載器301以 及設(shè)置在該承載器301上的半導(dǎo)體基材310，其中半導(dǎo)體基材310上設(shè) 有圖案化鈍化層320以及圖案化金屬層330。承載器301上設(shè)有至少一 接地墊302，而半導(dǎo)體基材310上的圖案化金屬層330通過(guò)導(dǎo)線340電 性連接至承載器301的接地墊303，從而使該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)300具有 電磁屏蔽的功能。詳細(xì)而言，首先提供一承載器301，其至少包括表面301a以及相對(duì) 于表面301a的表面301b，并且表面301a上具有若干個(gè)接墊302以及至 少一接地墊303。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該承載器301的內(nèi)部可預(yù)先 形成一接地層304，用以與接地墊303電性連接。在另一實(shí)施例中，該 承載器301的表面301a上可預(yù)先形成一接地環(huán)(未圖示)，用以電性連接 至接地墊303。該接地環(huán)在后續(xù)制程中環(huán)設(shè)在每一半導(dǎo)體基材的外圍。該半導(dǎo)體基材310 —般可以黏設(shè)等方式設(shè)置在承載器301的表面 301a上。本實(shí)施例的半導(dǎo)體基材310并沒(méi)有特別限制，凡是集成電路芯 片或具有微機(jī)電結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基材均可適用，其中微機(jī)電結(jié)構(gòu)包括微機(jī) 電式麥克風(fēng)。進(jìn)一步詳言之，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該半導(dǎo)體基材 310通過(guò)切割半導(dǎo)體晶圓(未圖示)而形成，其中該半導(dǎo)體晶圓上至少包 括頂表面310a以及相對(duì)于頂表面310a的底表面310b，并且該頂表面 310a上具有若干個(gè)接墊312。接下來(lái)，形成圖案化鈍化層320在半導(dǎo)體晶圓的頂表面310a上， 其中圖案化鈍化層320的材料一般為聚亞醯胺或苯環(huán)丁烯。在本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施例中，圖案化鈍化層320可覆蓋半導(dǎo)體基材310頂表面310a 的這些接墊312，使這些接墊312后續(xù)可通過(guò)導(dǎo)線350而電性連接至承 載器301的這些接墊302。然后，可利用電鍍法或?yàn)R鍍法形成圖案化金 屬層330在圖案化鈍化層320上，而接墊312上方的圖案化金屬層330 呈梳狀分布，從而暴露出接墊312上方的圖案化鈍化層320，其中圖案 化金屬層330的材料一般以具有電磁屏蔽作用的金屬為宜，如銅、鋁等， 但以銅為最佳。之后，切割半導(dǎo)體晶圓以形成若干個(gè)半導(dǎo)體基材310，
其中每一半導(dǎo)體基材310的頂表面310a上具有一部份的這些接墊312 并且被圖案化鈍化層320覆蓋。接下來(lái)，將每一半導(dǎo)體基材310以黏設(shè) 等方式設(shè)置在承載器301上，其中承載器301至少包括表面301a以及 相對(duì)于表面301a的表面301b，而每一半導(dǎo)體基材310設(shè)置在承載器301 的表面301a上。承載器301的表面301a上具有若干個(gè)接墊302以及至 少一接地墊303。承載器301的這些接墊302利用重布線路層324以及 導(dǎo)線350電性連接至每一半導(dǎo)體基材310的接墊312，其中形成重布線 路層324的方式如前所述，因此不再贅述。然后，形成導(dǎo)線340，用以 電性連接圖案化金屬層330以及接地墊303。在完成上述制程后，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)也可視需要進(jìn)一步進(jìn)行 外殼封裝。然而，不同于現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)需要利用一導(dǎo)電外殼電性 連接至承載器的接地墊以實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽功能，本發(fā)明的特征在于半導(dǎo)體 基材上設(shè)有圖案化金屬層，利用導(dǎo)線將該圖案化金屬層電性連接至承載 器上的至少一接地墊，即可使該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有電磁屏蔽的功能。 因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的外殼并不需要 一定使用一導(dǎo)電外殼，其外殼不論導(dǎo)電與否均可適用。由上述本發(fā)明的較佳實(shí)施例可知，應(yīng)用本發(fā)明具有混成電路的半導(dǎo) 體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)在圖案 化鈍化層上設(shè)置圖案化金屬層后，再以導(dǎo)線電性連接該圖案化金屬層以 及承載器的接地墊，即可使該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有電磁屏蔽的功能，從 而可降低電磁波干擾而提高微機(jī)電式麥克風(fēng)等的收音品質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括一承載器，所述承載器至少包括一第一表面以及相對(duì)于所述第一表面的一第二表面，其中所述第一表面上具有若干個(gè)第一接墊以及至少一接地墊；以及一半導(dǎo)體基材，設(shè)置在所述承載器的所述第一表面上，所述半導(dǎo)體基材包括一頂表面以及相對(duì)于所述頂表面的一底表面，所述頂表面電性連接至所述承載器的所述第一接墊；其特征在于所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一第一圖案化鈍化層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基材的所述頂表面上；一圖案化金屬層，設(shè)置在所述第一圖案化鈍化層上；以及一第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線電性連接所述圖案化金屬層以及所述承載器的所述接地墊。
2. 如權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述承載器在其內(nèi)部設(shè)有一接地層，或在其第一表面上圍繞所述 半導(dǎo)體基材環(huán)設(shè)有一接地環(huán)，所述接地層或接地環(huán)用以電性連接至所述 接地墊。
3. 如權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述半導(dǎo)體基材具有一微機(jī)電結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求3所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述微機(jī)電結(jié)構(gòu)為一微機(jī)電式麥克風(fēng)。
5. 如權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于所述第一圖案化鈍化層暴露出所述半導(dǎo)體基板的所述頂表面上 所設(shè)的若干個(gè)第二接墊，并且所述第二接墊通過(guò)一第二導(dǎo)線電性連接至 所述承載器的所述第一接墊。
6. 如權(quán)利要求5所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一圖案化鈍化層上進(jìn)一步包括一重布線路層，設(shè)置在所述第一圖案化鈍化層上，其中所述重布線 路層電性連接于所述第二接墊；以及一第二圖案化鈍化層，設(shè)置在所述重布線路層上并暴露出所述重布 線路層的一部份，其中所述重布線路層的所述暴露部分通過(guò)一第二導(dǎo)線 而電性連接至所述承載器的所述第一接墊。
7. —種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟提供一半導(dǎo)體晶圓，所述半導(dǎo)體晶圓上至少包括一頂表面以及相對(duì) 于所述頂表面的一底表面，所述頂表面上具有若干個(gè)第一接墊；切割所述半導(dǎo)體晶圓以形成若干個(gè)半導(dǎo)體基材，其中每一半導(dǎo)體基 材的所述頂表面上具有一部份所述第一接墊；以及將每一半導(dǎo)體基材設(shè)置在一承載器的一第一表面上，其中所述承載 器包括一第一表面以及相對(duì)于所述第一表面的一第二表面，所述第一表 面上具有若干個(gè)第二接墊以及至少一接地墊，其中所述第二接墊電性連 接至每一半導(dǎo)體基材的所述部分第一接墊；其特征在于所述制造方法進(jìn)一步包括下列步驟 在所述半導(dǎo)體晶圓的所述頂表面上形成一第一圖案化鈍化層； 在所述第一圖案化鈍化層上形成一圖案化金屬層；以及 形成一第一導(dǎo)線，用以電性連接所述圖案化金屬層以及所述半導(dǎo)體 基材的所述接地墊。
8. 如權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制 造方法，其特征在于進(jìn)一步包括在所述承載器的內(nèi)部形成一接地層，或 在所述承載器的所述第一表面上圍繞每一半導(dǎo)體基材環(huán)設(shè)一接地環(huán)，所 述接地層或接地環(huán)用以電性連接至所述接地墊。
9. 如權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制 造方法，其特征在于形成所述第一圖案化鈍化層的步驟包括形成所述第一圖案化鈍化層在所述頂表面上，并暴露出所述頂表面 的若干個(gè)第一接墊；以及形成一第二導(dǎo)線，用以電性連接所述第一接墊以及所述承載器的所 述第二接墊。
10. 如權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成所述第一圖案化鈍化層的步驟包括形成一第二圖案化鈍化層在所述頂表面上，并暴露出所述頂表面的 若干個(gè)第一接墊；形成一重布線路層在所述第二圖案化鈍化層上，其中所述重布線路層電性連接于所述第一接墊；以及形成所述第一圖案化鈍化層在所述第二圖案化鈍化層上并暴露出 所述重布線路層的一部份。
11. 如權(quán)利要求10所述的具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的 制造方法，其特征在于形成所述圖案化金屬層的步驟包括形成所述圖案化金屬層在所述第一圖案化鈍化層上并暴露出所述重布線路層的所述暴露部分；在形成所述圖案化金屬層的步驟之后，進(jìn)一步包括形成一 第二導(dǎo)線，用以電性連接所述重布線路層的所述暴露部分以及所述承載 器的所述第一接墊。
全文摘要
一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，至少包括一承載器以及設(shè)置在該承載器上的一半導(dǎo)體基材，其中該半導(dǎo)體基材上設(shè)有圖案化鈍化層以及圖案化金屬層。該圖案化金屬層利用導(dǎo)線電性連接至承載器的至少一接地墊，從而使該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有電磁屏蔽的功能。此外，本發(fā)明進(jìn)一步揭露了一種具有電磁屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L23/552GK101150116SQ200710111949
公開(kāi)日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2007年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月14日
發(fā)明者彭勝揚(yáng), 楊國(guó)賓, 王盟仁, 蕭偉民 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司