專利名稱：集成電路引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體元件，尤其是指一種集成電路弓I線框架。
背景技術(shù)：
引線框架是制造集成電路這一半導(dǎo)體的基本部件，實(shí)際運(yùn)用中，還需在其封裝區(qū)域表面電鍍金屬層，再利用塑封料對基島和小焊點(diǎn)封裝，進(jìn)而固定成一整體的半導(dǎo)體元件。而現(xiàn)有的引線框架只設(shè)一個基島，如中國專利公開的了一種“集成電路引線框架”(中國，公告號CN201051498Y，公告日2008. 04. 23)，包括邊帶、導(dǎo)腳、導(dǎo)腳連接筋、位于框架橫向中間的基島、基島連接筋、位于基島四周的多個小焊點(diǎn)，在基島的正面表面不設(shè)金屬電鍍層，在多個小焊點(diǎn)的正面表面全部覆蓋有金屬電鍍層，從而形成內(nèi)空的矩形環(huán)狀的電鍍區(qū)域。如中國專利公開的了一種“集成電路引線框架”(中國，公告號CN201562677U，公告日 2010. 08. 25)，包括若干個功能塊，所述的每個功能塊均由邊帶、輔助部分以及若干個功能單元組成，所述的每個功能單元包括基島、基島連接筋以及多個小焊點(diǎn)，所述基島正表面的四周邊緣設(shè)有電鍍層，所述的多個小焊點(diǎn)的正表面全部設(shè)有電鍍層，從而形成內(nèi)空矩形環(huán)狀的電鍍區(qū)，所述基島連接筋位于電鍍區(qū)內(nèi)的部分的表面全部設(shè)有電鍍層，所述電鍍區(qū)內(nèi)其他位置的表面不設(shè)電鍍層。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種集成電路引線框架，它具有雙基島，且互不干擾。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取的解決方案是一種集成電路引線框架，第一基島和第二基島位于框架橫向中間，第一基島和第二基島互不相連，第一基島和第二基島各自具有導(dǎo)腳。
本實(shí)用新型設(shè)計(jì)巧妙，具有雙基島，且互不干擾。

圖I是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、第一基島，2、第二基島。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例及其附圖對本實(shí)用新型再描述。參見圖I，一種集成電路弓I線框架，第一基島I和第二基島2位于框架橫向中間，第一基島I和第二基島2互不相連，第一基島I和第二基島2各自具有導(dǎo)腳。
權(quán)利要求1.一種集成電路引線框架，其特征是第一基島(I)和第二基島(2)位于框架橫向中間，第一基島(I)和第二基島(2)互不相連，第一基島(I)和第二基島(2)各自具有導(dǎo)腳。
專利摘要一種集成電路引線框架，第一基島和第二基島位于框架橫向中間，第一基島和第二基島互不相連，第一基島和第二基島各自具有導(dǎo)腳。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)巧妙，具有雙基島，且互不干擾。
文檔編號H01L23/495GK202564277SQ20112030907
公開日2012年11月28日 申請日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者鄭振軍, 鄭石磊 申請人:浙江東和電子科技有限公司