本公開涉及固體電解質(zhì)材料及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1中公開了由li2tif6表示的電極活性物質(zhì)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2009-238687號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、本公開的目的是提供一種有用性高的新型固體電解質(zhì)材料。

3、用于解決課題的手段

4、本公開的固體電解質(zhì)材料是含有l(wèi)i、ti和f的固體電解質(zhì)材料，其含有包含li、ti和f的非晶體。

5、發(fā)明效果

6、本公開可提供一種有用性高的新型固體電解質(zhì)材料。

技術(shù)特征：

1.一種固體電解質(zhì)材料，其是含有l(wèi)i、ti和f的固體電解質(zhì)材料，其含有包含li、ti和f的非晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解質(zhì)材料，其中，所述固體電解質(zhì)材料是固溶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解質(zhì)材料，在所述固體電解質(zhì)材料的通過粉末x射線衍射測定而得到的x射線衍射圖案中，在衍射角2θ的值為20°以上且22°以下的第一范圍、衍射角2θ的值為40°以上且42°以下的第二范圍和衍射角2θ的值為26°以上且28°以下的第三范圍中分別存在至少一個峰，所述第一范圍中的最強(qiáng)峰的半峰寬為1°以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體電解質(zhì)材料，其中，所述第一范圍中的所述最強(qiáng)峰具有比所述第二范圍中的最強(qiáng)峰更高的強(qiáng)度，且所述第二范圍中的所述最強(qiáng)峰具有比所述第三范圍中的最強(qiáng)峰更高的強(qiáng)度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解質(zhì)材料，其中，所述固體電解質(zhì)材料是粒子狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體電解質(zhì)材料，其中，所述固體電解質(zhì)材料的表面的結(jié)晶性比所述固體電解質(zhì)材料的中央部的結(jié)晶性低。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解質(zhì)材料，其進(jìn)一步含有選自由ni、mo、cr、fe和zro2組成的組中的至少一個。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解質(zhì)材料，其進(jìn)一步含有包含li、ti和f的晶相。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體電解質(zhì)材料，其中，所述晶相含有正方晶系的晶體。

10.一種固體電解質(zhì)材料的制造方法，其包含：(a)合成含有包含li、ti和f的晶相的化合物；和(b)進(jìn)行擾亂所述化合物的晶體的處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固體電解質(zhì)材料的制造方法，其中，在所述(a)中，所述化合物是通過原料的混合物的燒成來合成的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的固體電解質(zhì)材料的制造方法，其中，就所述燒成而言，燒成前后的所述化合物的質(zhì)量變化率為1％以下。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固體電解質(zhì)材料的制造方法，其中，在所述(b)中，所述化合物被進(jìn)行機(jī)械化學(xué)處理。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的固體電解質(zhì)材料的制造方法，其中，所述機(jī)械化學(xué)處理是球磨。

技術(shù)總結(jié)
本公開的固體電解質(zhì)材料是含有Li、Ti和F的固體電解質(zhì)材料，其含有包含Li、Ti和F的非晶體。本公開的固體電解質(zhì)材料可以進(jìn)一步含有包含Li、Ti和F的晶相。本公開的固體電解質(zhì)材料的制造方法包含：(A)合成含有包含Li、Ti和F的晶相的化合物；和(B)進(jìn)行擾亂所述化合物的晶體的處理。在所述(B)中，所述化合物可以被進(jìn)行機(jī)械化學(xué)處理。

技術(shù)研發(fā)人員：古賀英一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9