本揭示內(nèi)容關(guān)于一種源極/漏極區(qū)的形成方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置用于多種電子應(yīng)用，例如個人計算機、手機、數(shù)字相機和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體裝置通常通過在半導(dǎo)體基板上依序沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層，并使用光刻對各種材料層進(jìn)行圖案化以在其上形成電路組件和元件來制造。

2、半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小特征尺寸來持續(xù)提高各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度，這允許將更多元件整合到給定區(qū)域中。然而隨著最小特征尺寸的減小，出現(xiàn)了需要解決的其他問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在本揭示內(nèi)容的一個實施方式中，一種形成源極/漏極區(qū)的方法包括形成第一納米結(jié)構(gòu)于基板上方。然后形成第二納米結(jié)構(gòu)于多個第一納米結(jié)構(gòu)上方。磊晶生長第一源極/漏極區(qū)相鄰于第一納米結(jié)構(gòu)。磊晶生長第二源極/漏極區(qū)于第一源極/漏極區(qū)上方及相鄰于第二納米結(jié)構(gòu)。執(zhí)行布植工藝以布植雜質(zhì)于第二源極/漏極區(qū)中。布植工藝在第二源極/漏極區(qū)內(nèi)形成非晶相區(qū)。對第二源極/漏極區(qū)執(zhí)行至少一個快速熱工藝。執(zhí)行每個快速熱工藝再結(jié)晶非晶相區(qū)的部分。

2、在本揭示內(nèi)容的一個實施方式中，一種形成源極/漏極區(qū)的方法包括形成鰭片自基板延伸。鰭片包括下納米結(jié)構(gòu)及于下納米結(jié)構(gòu)上方之上納米結(jié)構(gòu)。形成下磊晶源極/漏極區(qū)于下納米結(jié)構(gòu)的對側(cè)上。形成隔離區(qū)域于下磊晶源極/漏極區(qū)上。形成上磊晶源極/漏極區(qū)于隔離區(qū)域上及于上納米結(jié)構(gòu)的對側(cè)上。非晶化上磊晶源極/漏極區(qū)的上部區(qū)域。執(zhí)行第一快速退火工藝以再結(jié)晶上磊晶源極/漏極區(qū)的上部區(qū)域的第一非晶質(zhì)部分。在執(zhí)行第一快速退火工藝之后，執(zhí)行第二快速退火工藝以再結(jié)晶上磊晶源極/漏極區(qū)的上部區(qū)域的剩余的非晶質(zhì)部分。

3、在本揭示內(nèi)容的一個實施方式中，一種形成源極/漏極區(qū)的方法包括形成多層疊層于基板上方。圖案化多層疊層以形成第一通道區(qū)域及第二通道區(qū)域于第一通道區(qū)域上方。第一通道區(qū)域及第二通道區(qū)域包括納米結(jié)構(gòu)。方法包括磊晶生長第一源極/漏極區(qū)于基板上方。第一通道區(qū)域在第一源極/漏極區(qū)之間延伸。第一源極/漏極區(qū)對第一通道區(qū)域施加應(yīng)力。方法包括形成介電層于第一源極/漏極區(qū)上方。形成第二源極/漏極區(qū)于介電層上方。第二通道區(qū)域在第二源極/漏極區(qū)之間延伸。形成第二源極/漏極區(qū)包括磊晶生長晶相半導(dǎo)體材料于介電層上方。執(zhí)行布植工藝，布植工藝非晶化晶相半導(dǎo)體材料的一部分以形成非晶相半導(dǎo)體材料于晶相半導(dǎo)體材料上方。執(zhí)行快速熱工藝，快速熱工藝再結(jié)晶非晶相半導(dǎo)體材料。方法包括形成在第一通道區(qū)域周圍的第一柵極結(jié)構(gòu)及在第二通道區(qū)域周圍的第二柵極結(jié)構(gòu)。

技術(shù)特征：

1.一種形成源極/漏極區(qū)的方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中在執(zhí)行該快速熱工藝的至少一者之后，該第一源極/漏極區(qū)對所述多個第一納米結(jié)構(gòu)施加壓縮應(yīng)力。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中該快速熱工藝的每一者加熱該第二源極/漏極區(qū)至低于1250℃的一溫度。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中該快速熱工藝的每一者加熱該第二源極/漏極區(qū)的一持續(xù)時間短于10毫秒。

5.一種形成源極/漏極區(qū)的方法，其特征在于，包括：

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，其中非晶化所述多個上磊晶源極/漏極區(qū)的所述多個上部區(qū)域包括布植多個摻雜劑于所述多個上磊晶源極/漏極區(qū)中。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，其中該第一快速退火工藝活化所述多個上磊晶源極/漏極區(qū)的所述多個上部區(qū)域的該第一非晶質(zhì)部分內(nèi)的所述多個摻雜劑。

8.一種形成源極/漏極區(qū)的方法，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其中在執(zhí)行所述多個快速熱工藝之后，所述多個第一源極/漏極區(qū)施加應(yīng)力于所述多個第一通道區(qū)域內(nèi)。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，其中該布植工藝包括在-100℃至28℃范圍內(nèi)的一工藝溫度。

技術(shù)總結(jié)
一種形成源極/漏極區(qū)的方法包括形成第一納米結(jié)構(gòu)于基板上方。然后形成第二納米結(jié)構(gòu)于第一納米結(jié)構(gòu)上方。磊晶生長第一源極/漏極區(qū)相鄰于第一納米結(jié)構(gòu)。磊晶生長第二源極/漏極區(qū)于第一源極/漏極區(qū)上方及相鄰于第二納米結(jié)構(gòu)。執(zhí)行布植工藝以布植雜質(zhì)于第二源極/漏極區(qū)中。布植工藝在第二源極/漏極區(qū)內(nèi)形成非晶相區(qū)。對第二源極/漏極區(qū)執(zhí)行快速熱工藝，執(zhí)行快速熱工藝再結(jié)晶非晶相區(qū)的一部分。

技術(shù)研發(fā)人員：林育樟,陳亮吟,徐志安
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10