本公開大體上涉及電子裝置，且更尤其涉及電子裝置和制造電子裝置的方法。

背景技術：

1、先前的電子封裝和形成電子封裝的方法是不適當?shù)?，例如導致成本過量、可靠性降低、性能相對低或封裝大小過大。通過比較此類方法與本公開且參考圖式，常規(guī)和傳統(tǒng)方法的其它限制和缺點對于所屬領域的技術人員來說將變得顯而易見。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的一態(tài)樣為一種電子裝置，包含：第一襯底；電子組件，其安置在所述第一襯底的一側上方；垂直互連件，其耦合到所述第一襯底的所述側，所述垂直互連件包含：第一金屬芯球，其接近所述第一襯底；第二金屬芯球，其安置在所述第一金屬芯球上方且遠離所述第一襯底；及可熔材料，其將所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球耦合，其中所述可熔材料耦合到所述第一襯底；及第二襯底，其安置在所述電子組件和所述垂直互連件上方，其中所述垂直互連件的所述可熔材料耦合到所述第二襯底。

2、在根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置中，所述第一金屬芯球的直徑大于所述第二金屬芯球的直徑。

3、在根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置中，所述垂直互連件的側壁在包圍所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球之間的點的區(qū)域中包含基本上凸形的幾何形狀。

4、在根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置中，從所述第一襯底的所述側測量的所述電子組件的高度大于所述第一金屬芯球的直徑。

5、在根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置中，所述第一襯底包含：內部端子；及介電結構，其界定在所述內部端子上方的開口，其中所述可熔材料延伸穿過所述開口到所述內部端子。

6、在根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置中，所述可熔材料從所述開口延伸到所述介電結構的鄰近所述開口的一部分上。

7、在根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置中，所述第一金屬芯球接觸所述第二金屬芯球。

8、根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣所述的電子裝置進一步包含耦合到所述第一襯底且安置成橫向于所述電子組件的第二垂直互連件，其中所述第二垂直互連件包含接近所述第一襯底的第三金屬芯球和遠離所述第一襯底的第四金屬芯球。

9、本發(fā)明的另一態(tài)樣為一種電子裝置，包含：第一內部端子；可熔材料，其耦合到所述第一內部端子；第一金屬芯球，其接近所述第一內部端子且耦合到所述可熔材料；第二金屬芯球，其遠離所述第一內部端子且耦合到所述可熔材料；及第二內部端子，其耦合到所述可熔材料且接近所述第二金屬芯球。

10、在根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣所述的電子裝置中，所述可熔材料的側壁在包圍所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球之間的點的區(qū)域中包含基本上凸形的幾何形狀。

11、根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣所述的電子裝置進一步包含鄰近所述第一金屬芯球的電子組件，其中所述電子組件的高度大于所述第一金屬芯球的高度。

12、根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣所述的電子裝置進一步包含界定在所述第一內部端子上方的開口的介電結構，其中所述可熔材料延伸穿過所述開口到所述第一內部端子。

13、在根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣所述的電子裝置中，所述可熔材料從所述開口延伸到所述介電結構的鄰近所述開口的一部分上。

14、在根據(jù)本發(fā)明的另一態(tài)樣所述的電子裝置中，所述第一金屬芯球接觸所述第二金屬芯球。

15、本發(fā)明的又一態(tài)樣為一種制造電子裝置的方法，包含：設置第一襯底；在所述第一襯底上設置第一金屬芯球；設置第二襯底；在所述第二襯底的一側上設置第二金屬芯球；在所述第二襯底的所述側上設置電子組件；及用可熔材料將所述第一金屬芯球耦合到所述第二金屬芯球。

16、在根據(jù)本發(fā)明的又一態(tài)樣所述的方法中，所述可熔材料在包圍所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球之間的點的區(qū)域中包含基本上凸形的幾何形狀。

17、在根據(jù)本發(fā)明的又一態(tài)樣所述的方法中，所述第一金屬芯球的直徑大于所述第二金屬芯球的直徑。

18、根據(jù)本發(fā)明的又一態(tài)樣所述的方法進一步包含在所述第一襯底與所述第二襯底之間設置包封物。

19、在根據(jù)本發(fā)明的又一態(tài)樣所述的方法中，將所述第一金屬芯球耦合到所述第二金屬芯球進一步包含施加大于約220℃的溫度持續(xù)大于約15秒的周期。

20、在根據(jù)本發(fā)明的又一態(tài)樣所述的方法中，將所述第一金屬芯球耦合到所述第二金屬芯球進一步包含施加約255℃的溫度。

技術特征：

1.一種電子裝置，其特征在于，包含：

2.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述第一金屬芯球的直徑大于所述第二金屬芯球的直徑。

3.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述垂直互連件的側壁在包圍所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球之間的點的區(qū)域中包含基本上凸形的幾何形狀。

4.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，從所述第一襯底的所述側測量的所述電子組件的高度大于所述第一金屬芯球的直徑。

5.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述第一襯底包含：

6.根據(jù)權利要求5所述的電子裝置，其特征在于，所述可熔材料從所述開口延伸到所述介電結構的鄰近所述開口的一部分上。

7.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述第一金屬芯球接觸所述第二金屬芯球。

8.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，進一步包含耦合到所述第一襯底且安置成橫向于所述電子組件的第二垂直互連件，其中所述第二垂直互連件包含接近所述第一襯底的第三金屬芯球和遠離所述第一襯底的第四金屬芯球。

9.一種電子裝置，其特征在于，包含：

10.根據(jù)權利要求9所述的電子裝置，其特征在于，所述可熔材料的側壁在包圍所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球之間的點的區(qū)域中包含基本上凸形的幾何形狀。

11.根據(jù)權利要求9所述的電子裝置，其特征在于，進一步包含鄰近所述第一金屬芯球的電子組件，其中所述電子組件的高度大于所述第一金屬芯球的高度。

12.根據(jù)權利要求9所述的電子裝置，其特征在于，進一步包含界定在所述第一內部端子上方的開口的介電結構，其中所述可熔材料延伸穿過所述開口到所述第一內部端子。

13.根據(jù)權利要求12所述的電子裝置，其特征在于，所述可熔材料從所述開口延伸到所述介電結構的鄰近所述開口的一部分上。

14.根據(jù)權利要求9所述的電子裝置，其特征在于，所述第一金屬芯球接觸所述第二金屬芯球。

15.一種制造電子裝置的方法，其特征在于，包含：

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其特征在于，所述可熔材料在包圍所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球之間的點的區(qū)域中包含基本上凸形的幾何形狀。

17.根據(jù)權利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一金屬芯球的直徑大于所述第二金屬芯球的直徑。

18.根據(jù)權利要求15所述的方法，其特征在于，進一步包含在所述第一襯底與所述第二襯底之間設置包封物。

19.根據(jù)權利要求15所述的方法，其特征在于，將所述第一金屬芯球耦合到所述第二金屬芯球進一步包含施加大于約220℃的溫度持續(xù)大于約15秒的周期。

20.根據(jù)權利要求15所述的方法，其特征在于，將所述第一金屬芯球耦合到所述第二金屬芯球進一步包含施加約255℃的溫度。

技術總結
電子裝置和制造電子裝置的方法。在一個實例中，一種電子裝置可包含：第一襯底；電子組件，其安置在所述第一襯底的一側上方；及垂直互連件，其耦合到所述第一襯底的所述側。所述垂直互連件可包含：第一金屬芯球，其接近所述第一襯底；第二金屬芯球，其安置在所述第一金屬芯球上方且遠離所述第一襯底；及可熔材料，其將所述第一金屬芯球與所述第二金屬芯球耦合。所述可熔材料可耦合到所述第一襯底。第二襯底可安置在所述電子組件和所述垂直互連件上方。所述垂直互連件的所述可熔材料可耦合到所述第二襯底。本文中還公開其它實例和相關方法。

技術研發(fā)人員：林基泰,崔旭,李秀碧
受保護的技術使用者：安靠科技新加坡控股私人有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/9