本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子組件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在大多數(shù)情況下，集成密度的提高是由于最小部件尺寸的迭代減小，這允許將更多組件集成到給定區(qū)域中。隨著對縮小電子器件的需求的增長，出現(xiàn)了對更小且更具創(chuàng)造性的半導(dǎo)體管芯封裝技術(shù)的需要。這樣的封裝系統(tǒng)的實(shí)例是疊層封裝(pop)技術(shù)。在pop器件中，頂部半導(dǎo)體封裝件堆疊在底部半導(dǎo)體封裝件的頂部，以提供高水平的集成密度和組件密度。pop技術(shù)通常能夠在印刷電路板(pcb)上生產(chǎn)具有增強(qiáng)功能和小占位面積的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括：形成第一管芯，形成第一管芯包括：在第一襯底中形成貫通孔；在貫通孔和第一襯底上方形成第一再分布結(jié)構(gòu)，第一再分布結(jié)構(gòu)電耦接到貫通孔；在第一再分布結(jié)構(gòu)上方形成第一組管芯連接件，并且第一組管芯連接件電耦接到第一再分布結(jié)構(gòu)，第一組管芯連接件位于第一襯底的第一側(cè)上；減薄第一襯底的第二側(cè)，減薄使貫通孔暴露；將第一管芯接合到第二管芯；用第一密封劑密封第一管芯；以及在第一組管芯連接件上方形成第二組管芯連接件，并且第二組管芯連接件電耦接到第一組管芯連接件，第一組管芯連接件和第二組管芯連接件形成堆疊管芯連接件。

2、本公開的另一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，該方法還包括：將第一集成電路管芯密封在第一密封劑中，第一集成電路管芯包括第一襯底和有源器件；在第一集成電路管芯和第一密封劑上方形成第一再分布結(jié)構(gòu)；形成第二集成電路管芯，第二集成電路管芯包括第二襯底和有源器件，形成第二集成電路管芯包括：在第二襯底中形成貫通孔；在貫通孔和第二襯底上方形成第二再分布結(jié)構(gòu)，第二再分布結(jié)構(gòu)電耦接到貫通孔；在第二再分布結(jié)構(gòu)上方形成第一組導(dǎo)電通孔，并且第一組導(dǎo)電通孔電耦接到第二再分布結(jié)構(gòu)，第一組導(dǎo)電通孔位于第二襯底的第一側(cè)上；減薄第二襯底的第二側(cè)，減薄使貫通孔暴露；將第一集成電路管芯接合到第二集成電路管芯；用第二密封劑密封第二集成電路管芯；以及在第一組導(dǎo)電通孔上方形成第二組導(dǎo)電通孔，并且第二組導(dǎo)電通孔電偶接到第一組導(dǎo)電通孔，第一組導(dǎo)電通孔和第二組導(dǎo)電通孔形成堆疊導(dǎo)電通孔。

3、本公開的又一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：第一集成電路管芯，接合到第二集成電路管芯，第一集成電路管芯位于第一密封劑中，第一集成電路管芯包括：第一襯底；有源器件；貫通孔，位于第一襯底中；第一再分布結(jié)構(gòu)，位于貫通孔和第一襯底上方，第一再分布結(jié)構(gòu)電耦接到貫通孔；第一組導(dǎo)電通孔，位于第一再分布結(jié)構(gòu)上方并且電耦接到第一再分布結(jié)構(gòu)，第一組導(dǎo)電通孔位于第一襯底的第一側(cè)上；以及第二組導(dǎo)電通孔，位于第一組導(dǎo)電通孔上方并且電耦接到第一組導(dǎo)電通孔，第一組導(dǎo)電通孔和第二組導(dǎo)電通孔形成堆疊導(dǎo)電通孔。

技術(shù)特征：

1.一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第二介電層所具有的側(cè)壁與所述第一密封劑的側(cè)壁共邊界。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一介電層和所述第二介電層是聚合物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一介電層和所述第二介電層包括不同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一密封劑接觸所述第一介電層和所述第一再分布結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一組管芯連接件具有與所述第二組管芯連接件不同的寬度。

9.一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括：

10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施例是一種形成半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括形成第一管芯，形成第一管芯包括在第一襯底中形成貫通孔。該方法還包括在貫通孔和第一襯底上方形成第一再分布結(jié)構(gòu)，第一再分布結(jié)構(gòu)電耦接到貫通孔。該方法還包括在第一再分布結(jié)構(gòu)上方形成第一組管芯連接件，并且第一組管芯連接件電耦接到第一再分布結(jié)構(gòu)，第一組管芯連接件位于第一襯底的第一側(cè)上。該方法還包括將第一管芯接合到第二管芯。該方法還包括用第一密封劑密封第一管芯。該方法還包括在第一組管芯連接件上方形成第二組管芯連接件，并且第二組管芯連接件電耦接到第一組管芯連接件，第一組管芯連接件和第二組管芯連接件形成堆疊管芯連接件。本公開的實(shí)施例還提供了半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：林彥良,劉醇鴻,蘇安治
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9