本技術(shù)實施例涉及一種半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、基于半導(dǎo)體的集成電路可能包括范圍廣泛的半導(dǎo)體裝置。這些半導(dǎo)體裝置可能包括主動半導(dǎo)體裝置和/或被動半導(dǎo)體裝置。主動半導(dǎo)體裝置可以包括晶體管和使用電源操作的其他半導(dǎo)體裝置。被動半導(dǎo)體裝置包括電感器、電容器、電阻器和/或其他無需電源即可運(yùn)行的半導(dǎo)體裝置。電阻器廣泛用于許多應(yīng)用，例如電阻器電容器(resistor-capacitor，rc)電路、功率驅(qū)動器、功率放大器和/或射頻(radio?frequency，rf)應(yīng)用等。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本文描述的一些實施提供半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)包括內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)包括在內(nèi)連線結(jié)構(gòu)下方連接內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的蓋帽結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)包括在蓋帽結(jié)構(gòu)下方連接蓋帽結(jié)構(gòu)的漸變電阻層，并且漸變電阻層包括塊狀硅鉻區(qū)和富鉻區(qū)。

2、本文描述的一些實施提供半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)包括內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)包括在內(nèi)連線結(jié)構(gòu)下方連接內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的蓋帽結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)包括在蓋帽結(jié)構(gòu)下方連接蓋帽結(jié)構(gòu)的漸變電阻層，并且漸變電阻層包括塊狀硅鉻區(qū)和富硅區(qū)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述富鉻區(qū)包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述富鉻區(qū)在所述塊狀硅鉻區(qū)上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述漸變電阻層還包括：富硅區(qū)，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述漸變電阻層還包括：富硅區(qū)，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述富硅區(qū)是第一富硅區(qū)，且所述漸變電阻層還包括：

7.一種半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述富硅區(qū)包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述富硅區(qū)在所述塊狀硅鉻區(qū)下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，其中所述富硅區(qū)在所述塊狀硅鉻區(qū)上方。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)實施例的各種實施例涉及一種包括具有半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置和用于形成半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)的技術(shù)。技術(shù)包括在層(例如，漸變電阻層)內(nèi)形成具有不同硅/鉻比率的硅鉻材料的層作為形成半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)的一部分。漸變電阻層可以補(bǔ)償可能導(dǎo)致漸變電阻層的膜損壞、變薄、結(jié)晶或成分偏移的半導(dǎo)體制造工藝(例如，刻蝕、氧化、熱退火)以擴(kuò)大用于制造半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)的工藝窗口。相對于使用硅鉻材料的均勻?qū)又圃斓钠渌雽?dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)，擴(kuò)大的工藝窗口可以改善半導(dǎo)體電阻器結(jié)構(gòu)的效能(例如，電阻和/或阻抗均勻性)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳俊纮,鄭新立,蕭茹雄,黃士芬,簡鐸欣,梁育瑋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240401
技術(shù)公布日：2025/1/9