本技術(shù)涉及硅部件清潔設(shè)備，具體而言，涉及一種硅部件刻蝕槽。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體硅部件產(chǎn)品包括硅錠、硅桶、硅盤、硅環(huán)、硅管等，這些硅部件主要用于承載或參與半導(dǎo)體晶圓片的制造過程。濕法刻蝕工藝是半導(dǎo)體硅部件處理過程中的關(guān)鍵步驟，濕法蝕刻的原理是利用化學(xué)方法將硅部件表面附著的污染物進行去除，通過濕法刻蝕可以使零件表面達到較高的潔凈度。

2、工業(yè)生產(chǎn)中，采用專用的濕法刻蝕設(shè)備進行刻蝕工藝，濕法刻蝕設(shè)備包括刻蝕槽，用于承載刻蝕液，硅部件安裝在工裝上，浸入刻蝕槽內(nèi)的刻蝕液實現(xiàn)表面刻蝕清洗。

3、現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高刻蝕效率，會在刻蝕槽內(nèi)設(shè)置鼓泡裝置，促進刻蝕液在槽內(nèi)的自循環(huán)，保證濃度均勻，提高刻蝕效率。但是氣泡會附著于硅部件表面，導(dǎo)致刻蝕均勻性不佳，影響了整體刻蝕效果。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型所要解決的問題是如何消除刻蝕液中的氣泡，提高硅部件濕法刻蝕均勻性。

2、為解決上述問題，本實用新型提供一種硅部件刻蝕槽，包括底板和設(shè)置在所述底板周圍的側(cè)板，所述底板和所述側(cè)板合圍形成頂部開口的槽體，所述槽體內(nèi)設(shè)有鼓泡裝置，所述底板的下方設(shè)有超聲波裝置，所述超聲波裝置包括水箱和設(shè)置在水箱內(nèi)的超聲波振動盒，所述底板覆蓋所述水箱頂部開口，所述超聲波振動盒的頂部與所述底板具有間隙。

3、相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型硅部件刻蝕槽具有超聲波裝置，可以在硅部件刻蝕過程起到消泡作用，從而消除氣泡對刻蝕的影響，提高工件表面刻蝕均勻性，改善刻蝕效果；由于刻蝕液具有很強的腐蝕作用，本實用新型將超聲波裝置設(shè)置在槽體外部，以水為介質(zhì)傳遞超聲波振動盒產(chǎn)生的振動，可以有效避免超聲波裝置腐蝕，延長設(shè)備使用壽命。

4、進一步地，所述超聲波振動盒內(nèi)設(shè)有多個陣列排布的超聲波振子。該結(jié)構(gòu)可以使超聲波振動盒各部位產(chǎn)生均勻的超聲波振動，保證槽體內(nèi)刻蝕液的消泡效果。

5、進一步地，所述超聲波裝置的功率大于20w/cm2，超聲波頻率為20～40khz。超聲波振動傳遞過程會存在能量衰減，為保證消泡效果，超聲波裝置需要具有較大的功率。

6、進一步地，所述槽體內(nèi)設(shè)有加熱裝置。設(shè)置加熱裝置可以將槽體內(nèi)的刻蝕液加熱到工藝溫度，保證刻蝕效果。

7、進一步地，所述加熱裝置為設(shè)置在所述槽體兩側(cè)的加熱盤管。這種加熱裝置可以高效加熱刻蝕液。

8、進一步地，所述槽體內(nèi)設(shè)有液位保護器。設(shè)置液位保護器可以對槽體內(nèi)的液位進行監(jiān)控，在液位過低時可以實現(xiàn)斷電保護功能，避免加熱裝置在刻蝕液排空后干燒。

9、進一步地，所述鼓泡裝置包括設(shè)置在槽體底部的出氣盤管，所述出氣盤管上設(shè)有多個出氣孔。鼓泡裝置從出氣孔導(dǎo)出氣泡，促進刻蝕液在槽體內(nèi)循環(huán)，保證刻蝕液濃度和溫度均勻。

10、進一步地，所述側(cè)板的下部設(shè)有排液口，所述排液口上設(shè)有排液閥，設(shè)置排液口和排液閥便于排液和更換。

11、進一步地，硅部件刻蝕槽還包括支撐平臺，所述支撐平臺的底部與所述側(cè)板的頂部連接，所述支撐平臺的中部鏤空形成與所述槽體連接的通道。設(shè)置支撐平臺提供了刻蝕裝置其他零件的安裝位置，便于裝置整體布局。

12、進一步地，所述底板、所述側(cè)板和所述支撐平臺的材質(zhì)為pvc?？涛g槽整體采用耐腐蝕性好的pvc材料，避免刻蝕液腐蝕損壞刻蝕槽。

技術(shù)特征：

1.一種硅部件刻蝕槽，其特征在于，包括底板(11)和設(shè)置在所述底板(11)周圍的側(cè)板(12)，所述底板(11)和所述側(cè)板(12)合圍形成頂部開口的槽體(13)，所述槽體(13)內(nèi)設(shè)有鼓泡裝置，所述底板(11)的下方設(shè)有超聲波裝置(5)，所述超聲波裝置(5)包括水箱(51)和設(shè)置在水箱(51)內(nèi)的超聲波振動盒(52)，所述底板(11)覆蓋所述水箱(51)頂部開口，所述超聲波振動盒(52)的頂部與所述底板(11)具有間隙，所述鼓泡裝置包括設(shè)置在槽體(13)底部的出氣盤管(2)，所述出氣盤管(2)上設(shè)有多個出氣孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述超聲波振動盒(52)內(nèi)設(shè)有多個陣列排布的超聲波振子(53)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述超聲波裝置(5)的功率大于20w/cm2，超聲波頻率為20~40khz。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述槽體(13)內(nèi)設(shè)有加熱裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述加熱裝置為設(shè)置在所述槽體(13)兩側(cè)的加熱盤管(3)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述槽體(13)內(nèi)設(shè)有液位保護器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述側(cè)板(12)的下部設(shè)有排液口(4)，所述排液口(4)上設(shè)有排液閥。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，還包括支撐平臺(14)，所述支撐平臺(14)的底部與所述側(cè)板(12)的頂部連接，所述支撐平臺(14)的中部鏤空形成與所述槽體(13)連接的通道。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅部件刻蝕槽，其特征在于，所述底板(11)、所述側(cè)板(12)和所述支撐平臺(14)的材質(zhì)為pvc。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種硅部件刻蝕槽，包括底板和設(shè)置在所述底板周圍的側(cè)板，所述底板和所述側(cè)板合圍形成頂部開口的槽體，所述槽體內(nèi)設(shè)有鼓泡裝置，所述底板的下方設(shè)有超聲波裝置，所述超聲波裝置包括水箱和設(shè)置在水箱內(nèi)的超聲波振動盒，所述底板覆蓋所述水箱頂部開口，所述超聲波振動盒的頂部與所述底板具有間隙。本技術(shù)硅部件刻蝕槽具有超聲波裝置，可以在硅部件刻蝕過程起到消泡作用，從而消除氣泡對刻蝕的影響，提高工件表面刻蝕均勻性，改善刻蝕效果。

技術(shù)研發(fā)人員：馬志杰,尹帥,艾武超,范榮
受保護的技術(shù)使用者：吉盛微（寧波）精密科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240417
技術(shù)公布日：2025/1/9