非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括：在基底上依序形成介電層、第一導(dǎo)體層以及蝕刻終止層。圖案化蝕刻終止層，以形成開(kāi)口。在基底上形成填滿(mǎn)開(kāi)口的第二導(dǎo)體層。在第二導(dǎo)體層上形成頂蓋層，并圖案化頂蓋層、第二導(dǎo)體層以及蝕刻終止層，以形成堆疊結(jié)構(gòu)并暴露出第一導(dǎo)體層。在堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成間隙壁，并于堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一導(dǎo)體層上形成圖案化的掩模層。移除間隙壁后，以圖案化的頂蓋層與圖案化的掩模層為掩模，移除部分第一導(dǎo)體層而形成選擇柵極與浮置柵極。間隙壁可用來(lái)定義選擇柵極與浮置柵極的間距。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，且特別是涉及一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)半導(dǎo)體進(jìn)入深次微米(Deep Sub-Micron)的制作工藝時(shí)，元件的尺寸逐漸縮小，對(duì)于存儲(chǔ)器元件而言，也就是代表存儲(chǔ)單元尺寸愈來(lái)愈小。另一方面，隨著信息電子產(chǎn)品(如電腦、移動(dòng)電話(huà)、數(shù)字相機(jī)或個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA))需要處理、存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)日益增加，在這些信息電子產(chǎn)品中所需的存儲(chǔ)器容量也就愈來(lái)愈大。對(duì)于這種尺寸變小而存儲(chǔ)器容量卻需要增加的情形，如何制造尺寸縮小、高積成度，又能兼顧其品質(zhì)的存儲(chǔ)器元件是產(chǎn)業(yè)的一致目標(biāo)。
[0003]非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件由于具有使存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)，所以已成為個(gè)人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲(chǔ)器元件。
[0004]—種現(xiàn)有的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，由兩串接的兩金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管分別作為選擇晶體管與浮置柵極晶體管所構(gòu)成。選擇晶體管的選擇柵極與浮置柵極晶體管的浮置柵極是利用同一層多晶硅，通過(guò)光刻蝕刻的方式來(lái)形成的。
[0005]然而，通過(guò)光刻蝕刻的方式來(lái)形成選擇柵極與浮置柵極時(shí)，受到光刻制作工藝的限制，所形成的圖案的最小圖案寬度及圖案之間的最小間隔有其極限。因而無(wú)法進(jìn)一步的縮小選擇柵極與浮置柵極之間的間距。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，可以縮小控置柵極與浮置柵極的間距，并提升元件的集成度。
[0007]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括下列步驟。提供基底，此基底上依序形成有介電層、第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層以及頂蓋層。圖案化頂蓋層以及第二導(dǎo)體層，以形成堆疊結(jié)構(gòu)，并暴露出第一導(dǎo)體層。在堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁，并于堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一導(dǎo)體層上形成圖案化的掩模層。移除間隙壁后，以圖案化的頂蓋層與圖案化的掩模層為掩模，移除部分第一導(dǎo)體層與部分介電層而形成選擇柵極與浮置柵極。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁的步驟，包括:在基底上形成絕緣層，并進(jìn)行各向異性蝕刻制作工藝，移除部分絕緣層。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述間隙壁的材質(zhì)包括氮化硅。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述頂蓋層的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一導(dǎo)體層上形成圖案化的掩模層的步驟如下。在第一導(dǎo)體層上形成掩模材料層，并形成圖案化光致抗蝕劑層覆蓋部分堆疊結(jié)構(gòu)與掩模材料層。以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分掩模材料層。移除圖案化光致抗蝕劑層。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于第一導(dǎo)體層上形成圖案化掩模材料層的步驟包括進(jìn)行熱氧化制作工藝。
[0013]本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括下列步驟。提供基底，此基底上依序形成有介電層、第一導(dǎo)體層以及蝕刻終止層。圖案化蝕刻終止層，以形成開(kāi)口。在基底上形成第二導(dǎo)體層，第二導(dǎo)體層填滿(mǎn)開(kāi)口。在第二導(dǎo)體層上形成頂蓋層。圖案化頂蓋層、第二導(dǎo)體層以及蝕刻終止層，以形成堆疊結(jié)構(gòu)，并暴露出第一導(dǎo)體層，其中開(kāi)口位于堆疊結(jié)構(gòu)中。在堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁。在堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一導(dǎo)體層上形成圖案化的掩模層。移除間隙壁后，以圖案化的頂蓋層與圖案化的掩模層為掩模，移除部分第一導(dǎo)體層與部分介電層而形成選擇柵極與浮置柵極。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述蝕刻終止層的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁的步驟，包括:在基底上形成絕緣層，并進(jìn)行各向異性蝕刻制作工藝，移除部分絕緣層。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述間隙壁的材質(zhì)包括氮化硅。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述頂蓋層的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一導(dǎo)體層上形成圖案化的掩模層的步驟如下。在第一導(dǎo)體層上形成掩模材料層，形成圖案化光致抗蝕劑層覆蓋部分堆疊結(jié)構(gòu)與掩模材料層。以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分掩模材料層。移除圖案化光致抗蝕劑層。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于第一導(dǎo)體層上形成掩模材料層的步驟包括進(jìn)行熱氧化制作工藝。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于圖案化頂蓋層、第二導(dǎo)體層以及蝕刻終止層的步驟中，包括:以圖案化的頂蓋層為掩模，進(jìn)行第一蝕刻制作工藝，移除第二導(dǎo)體層直到暴露出蝕刻終止層；以及以圖案化的頂蓋層為掩模，進(jìn)行第二蝕刻制作工藝，移除蝕刻終止層直到暴露出第一導(dǎo)體層。
[0021]基于上述，本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，在第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間形成有蝕刻終止層，因此進(jìn)行了兩次摻雜多晶硅的沉積制作工藝。若未形成有蝕刻終止層，則第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層可視作為單一膜層，只要進(jìn)行一次摻雜多晶硅的沉積制作工藝。
[0022]本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，在第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間形成有蝕刻終止層，相較于現(xiàn)有的邏輯電路制作工藝，多使用了三個(gè)光掩模。在另一實(shí)施例中，在第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間未形成有蝕刻終止層，則相較于現(xiàn)有的邏輯電路制作工藝，只多使用了二個(gè)光掩模。
[0023]本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，選擇柵極與浮置柵極的間距，由間隙壁的厚度來(lái)決定，因而可以進(jìn)一步的縮小選擇柵極與浮置柵極之間的間距，提高元件的集成度。
[0024]為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附的附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的剖視圖；
[0026]圖2A為本發(fā)明的一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的編程操作模式示意圖；
[0027]圖2B為本發(fā)明的一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的抹除操作模式示意圖；
[0028]圖2C為本發(fā)明的一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的讀取操作模式示意圖；
[0029]圖3A至圖3F為本發(fā)明的一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造流程剖視圖。
[0030]符號(hào)說(shuō)明
[0031]100:基底
[0032]102a、102b、102c:摻雜區(qū)
[0033]104:介電層
[0034]104a:選擇柵極介電層
[0035]104b:穿隧介電層
[0036]110、110a、110b:導(dǎo)體層
[0037]lll、llla、lllb:蝕刻終止層
[0038]112:開(kāi)口
[0039]114:導(dǎo)體層
[0040]116:頂蓋層
[0041]120、120a:掩模層
[0042]122:間隙壁
[0043]124:圖案光致抗蝕劑層
[0044]D:漏極
[0045]FG:浮置柵極
[0046]FT:浮置柵極晶體管
[0047]S:源極
[0048]SG:選擇柵極
[0049]ST:選擇晶體管
【具體實(shí)施方式】
[0050]圖1所繪示為本發(fā)明的一實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的剖視圖。
[0051]首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1，以說(shuō)明本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器設(shè)置于基底100上，包括串接設(shè)置的選擇晶體管ST以及浮置柵極晶體管FT。
[0052]選擇晶體管ST包括:選擇柵極介電層104a、選擇柵極(包括導(dǎo)體層IlOa與導(dǎo)體層114)、摻雜區(qū)102a及摻雜區(qū)102b。摻雜區(qū)102a及摻雜區(qū)102b設(shè)置于選擇柵極兩側(cè)的基底100中。在導(dǎo)體層IlOa與導(dǎo)體層114之間可選擇性地設(shè)置蝕刻終止層111，其中蝕刻終止層111中具有開(kāi)口 112，導(dǎo)體層114經(jīng)由開(kāi)口 112電連接導(dǎo)體層110a。蝕刻終止層111例如由蝕刻終止層Illa及蝕刻終止層Illb所構(gòu)成。在導(dǎo)體層114上可選擇性地設(shè)置頂蓋層 116。
[0053]浮置柵極晶體管FT包括:穿隧介電層104b、浮置柵極(導(dǎo)體層IlOb)、摻雜區(qū)102b及摻雜區(qū)102c。在導(dǎo)體層IlOb上可選擇性地設(shè)置掩模層120a。選擇晶體管ST以及浮置柵極晶體管FT共用摻雜區(qū)102b。
[0054]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2A、圖2B與圖2C，以明了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的操作模式，其包括編程(Program，圖2A)、抹除(Erase，圖2B)與讀取(Read，圖2C)等操作模式。
[0055]如圖2A所示，當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作時(shí)，在選擇柵極SG施加電壓Vpl，以打開(kāi)選擇柵極SG下方的通道，Vpl例如是I?Vcc伏特左右的電壓；在漏極區(qū)D施加電壓Vp2，其例如是8?12伏特左右；源極區(qū)S例如為O伏特左右的電壓。如此，在編程時(shí)，電子由源極區(qū)向漏極區(qū)移動(dòng)，且在漏極區(qū)端被高通道電場(chǎng)所加速而產(chǎn)生熱電子，其動(dòng)能足以克服穿隧氧化層的能量阻障，使得熱電子從漏極端注入浮置柵極FG中，而編程存儲(chǔ)單元。
[0056]如圖2B所示，當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行抹除操作時(shí)，對(duì)漏極區(qū)D施加電壓Vel，其例如是8伏特至12伏特左右；源極區(qū)S、選擇柵極SG為浮置或O伏特。如此，即可在浮置柵極FG與漏極區(qū)D之間建立一個(gè)大的電場(chǎng)，而得以利用F-N穿隧效應(yīng)將電子從浮置柵極FG拉出至漏極區(qū)D。
[0057]如圖2C所示，當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取時(shí)，在選擇柵極SG施加電壓Vrl，其例如是I伏特?Vcc ;在漏極區(qū)D施加電壓Vr2，其例如是I伏特?Vcc左右。由于此時(shí)浮置柵極FG中總電荷量為負(fù)的存儲(chǔ)單元的通道關(guān)閉且電流很小，而浮置柵極FG中總電荷量略正的存儲(chǔ)單元的通道打開(kāi)且電流大，故可通過(guò)存儲(chǔ)單元的通道開(kāi)關(guān)/通道電流大小來(lái)判斷存儲(chǔ)于此存儲(chǔ)單元中的數(shù)字信息是「I」還是「O」。
[0058]圖3A至圖3H所繪示為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元的制造流程圖，其用以說(shuō)明本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法。
[0059]首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，提供基底100。此基底100的材質(zhì)例如是硅基底。在基底100上形成介電層104以及導(dǎo)體層110。介電層104的材質(zhì)例如是氧化硅。介電層104的形成方法例如是對(duì)硅基底進(jìn)行熱氧化制作工藝。導(dǎo)體層110的材質(zhì)例如是摻雜的多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之；或者也可采用臨場(chǎng)(in-situ)注入摻質(zhì)的方式，利用化學(xué)氣相沉積法形成之。
[0060]請(qǐng)參照?qǐng)D3B，在導(dǎo)體層110上可以選擇性形成蝕刻終止層111。蝕刻終止層111可為單層結(jié)構(gòu)也可為多層結(jié)構(gòu)。蝕刻終止層111的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。在本實(shí)施例中，蝕刻終止層111例如由蝕刻終止層Illa及蝕刻終止層Illb所構(gòu)成。蝕刻終止層Illa的材質(zhì)例如是氧化硅。蝕刻終止層Illb的材質(zhì)例如是氮化硅。
[0061]圖案化蝕刻終止層111，以形成開(kāi)口 112。圖案化蝕刻終止層111的方法例如是進(jìn)行光刻蝕刻制作工藝。然后，在蝕刻終止層111上形成導(dǎo)體層114，導(dǎo)體層114填滿(mǎn)開(kāi)口112。導(dǎo)體層114的材質(zhì)例如是摻雜的多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之；或者也可采用臨場(chǎng)(in-situ)注入摻質(zhì)的方式，利用化學(xué)氣相沉積法形成之。蝕刻終止層111例如作為多晶硅的蝕刻終止層。
[0062]請(qǐng)參照?qǐng)D3C，在導(dǎo)體層114上形成頂蓋層116。頂蓋層116的材質(zhì)例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅(“0N0”)。頂蓋層116的形成方法例如是先以熱氧化法形成一層氧化硅層，接著利用化學(xué)氣相沉積法形成一層氮化硅層，其后再于氮化硅層上形成頂氧化硅層。
[0063]然后，圖案化頂蓋層116、導(dǎo)體層114、蝕刻終止層111，并暴露出導(dǎo)體層110，以形成多數(shù)個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，其中開(kāi)口 112位于堆疊結(jié)構(gòu)中。圖案化頂蓋層116、導(dǎo)體層114以及蝕刻終止層111的方法包括下述步驟。先圖案化頂蓋層116。圖案化頂蓋層116的方法例如是進(jìn)行光刻蝕刻制作工藝。然后，以圖案化的頂蓋層116為掩模，進(jìn)行一蝕刻制作工藝，移除導(dǎo)體層114直到暴露出蝕刻終止層111。再以圖案化的頂蓋層116為掩模，進(jìn)行另一蝕刻制作工藝，移除蝕刻終止層111直到暴露出導(dǎo)體層110。
[0064]在另一實(shí)施例中，在導(dǎo)體層110與導(dǎo)體層114之間未形成有蝕刻終止層111時(shí)，則直接圖案化頂蓋層116以及導(dǎo)體層114，以形成堆疊結(jié)構(gòu)，并暴露出導(dǎo)體層110。
[0065]請(qǐng)參照?qǐng)D3D，在堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁122。在堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁122的方法例如是先在基底100上覆蓋絕緣層，然后移除部分絕緣層，以于堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁122。絕緣層的材質(zhì)例如是氮化硅。絕緣層的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。移除部分絕緣層的方法例如是各向異性蝕刻法。
[0066]然后，在基底100上形成一層掩模層120。掩模層120的材質(zhì)例如是氧化娃，掩模層120的形成方法例如是進(jìn)行一熱氧化制作工藝。
[0067]請(qǐng)參照?qǐng)D3E，在基底100上形成圖案化光致抗蝕劑層124。此圖案化光致抗蝕劑層124覆蓋部分堆疊結(jié)構(gòu)與部分掩模層120。圖案化光致抗蝕劑層124例如是經(jīng)由涂布光致抗蝕劑材料、進(jìn)行曝光及顯影而形成。以圖案化光致抗蝕劑層124為掩模，移除部分掩模層120，而形成圖案化的掩模層120a。
[0068]請(qǐng)參照?qǐng)D3F，移除圖案化光致抗蝕劑層124。移除圖案化光致抗蝕劑層124的方法例如是濕式去光致抗蝕劑法或干式去光致抗蝕劑法。然后，移除堆疊結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的間隙壁122，移除方法例如使用熱磷酸作為蝕刻劑。
[0069]接著，以圖案化的頂蓋層116與圖案化的掩模層120a為掩模，移除部分導(dǎo)體層110而形成選擇柵極(包括導(dǎo)體層112與導(dǎo)體層IlOb)與浮置柵極(導(dǎo)體層110b)。然后，進(jìn)一步移除部分介電層104而形成選擇柵極介電層104a與穿隧介電層104b。在上述實(shí)施例中，選擇柵極介電層104a與穿隧介電層104b的厚度相同。當(dāng)然，選擇柵極介電層104a與穿隧介電層104b的厚度也可以不同。
[0070]在選擇柵極與浮置柵極兩側(cè)的基底100中形成摻雜區(qū)102a(源極/漏極區(qū))及摻雜區(qū)102c (源極/漏極區(qū))，并于選擇柵極與浮置柵極之間的基底100中形成摻雜區(qū)102b。摻雜區(qū)102a (源極/漏極區(qū))、摻雜區(qū)102b、摻雜區(qū)102c (源極/漏極區(qū))的形成方法例如是離子注入法。后續(xù)完成非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制作工藝為現(xiàn)有技術(shù)者所周知，在此不再贅述。
[0071]在上述實(shí)施例中，以在導(dǎo)體層110與導(dǎo)體層114之間形成有蝕刻終止層111為例做說(shuō)明，因此進(jìn)行了兩次摻雜多晶硅的沉積制作工藝。在另一實(shí)施例中，在導(dǎo)體層110與導(dǎo)體層114之間未形成有蝕刻終止層111，則導(dǎo)體層110與導(dǎo)體層114可視作為單一膜層，只要進(jìn)行一次摻雜多晶硅的沉積制作工藝。
[0072]在上述實(shí)施例中，相較于現(xiàn)有的邏輯電路制作工藝，多使用了三個(gè)光掩模。在另一實(shí)施例中，在導(dǎo)體層110與導(dǎo)體層114之間未形成有蝕刻終止層111，則相較于現(xiàn)有的邏輯電路制作工藝，只多使用了二個(gè)光掩模。
[0073]在上述實(shí)施例中，選擇柵極與浮置柵極的間距，由間隙壁122的厚度來(lái)決定，因而可以進(jìn)一步的縮小選擇柵極與浮置柵極之間的間距，提高元件的集成度。
[0074]雖然結(jié)合以上優(yōu)選實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括: 提供一基底，該基底上依序形成有一介電層、一第一導(dǎo)體層、一第二導(dǎo)體層以及一頂蓋層； 圖案化該頂蓋層以及該第二導(dǎo)體層，以形成一堆疊結(jié)構(gòu)，并暴露出該第一導(dǎo)體層； 在該堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成一間隙壁； 在該堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第一導(dǎo)體層上形成圖案化的一掩模層； 移除該間隙壁；以及 以圖案化的該頂蓋層與圖案化的該掩模層為掩模，移除該第一導(dǎo)體層而形成一選擇柵極與一浮置柵極。2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成該間隙壁的步驟，包括: 在該基底上形成一絕緣層；以及 進(jìn)行一各向異性蝕刻制作工藝，移除部分該絕緣層。3.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該間隙壁的材質(zhì)包括氮化娃。4.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該頂蓋層的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第一導(dǎo)體層上形成圖案化的一掩模層的步驟，包括: 在該第一導(dǎo)體層上形成一掩模材料層； 形成一圖案化光致抗蝕劑層覆蓋部分該堆疊結(jié)構(gòu)與該掩模材料層； 以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分該掩模材料層；以及 移除該圖案化光致抗蝕劑層。6.如權(quán)利要求5所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該第一導(dǎo)體層上形成該掩模材料層的步驟包括進(jìn)行一熱氧化制作工藝。7.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括: 提供一基底，該基底上依序形成有一介電層、一第一導(dǎo)體層以及一蝕刻終止層； 圖案化該蝕刻終止層，以形成一開(kāi)口 ； 在該基底上形成一第二導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)體層填滿(mǎn)該開(kāi)口 ； 在該第二導(dǎo)體層上形成一頂蓋層； 圖案化該頂蓋層、該第二導(dǎo)體層以及該蝕刻終止層，以形成一堆疊結(jié)構(gòu)，并暴露出該第一導(dǎo)體層，其中該開(kāi)口位于該堆疊結(jié)構(gòu)中； 在該堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成一間隙壁； 在該堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第一導(dǎo)體層上形成圖案化的一掩模層； 移除該間隙壁；以及 以圖案化的該頂蓋層與圖案化的該掩模層為掩模，移除部分該第一導(dǎo)體層而形成一選擇柵極與一浮置柵極。8.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該蝕刻終止層的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。9.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成該間隙壁的步驟，包括: 在該基底上形成一絕緣層；以及 進(jìn)行一各向異性蝕刻制作工藝，移除部分該絕緣層。10.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該間隙壁的材質(zhì)包括氮化娃。11.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該頂蓋層的材質(zhì)為選自氧化硅、氮化硅以及其組合的其中之一。12.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該堆疊結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第一導(dǎo)體層上形成圖案化的一掩模層的步驟，包括: 在該第一導(dǎo)體層上形成一掩模材料層； 形成一圖案化光致抗蝕劑層覆蓋部分該堆疊結(jié)構(gòu)與該掩模材料層； 以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分該掩模材料層；以及 移除該圖案化光致抗蝕劑層。13.如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該第一導(dǎo)體層上形成該掩模材料層的步驟包括進(jìn)行一熱氧化制作工藝。14.如權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于圖案化該頂蓋層、該第二導(dǎo)體層以及該蝕刻終止層的步驟中，包括: 以圖案化的該頂蓋層為掩模，進(jìn)行一第一蝕刻制作工藝，移除該第二導(dǎo)體層直到暴露出該蝕刻終止層；以及 以圖案化的該頂蓋層為掩模，進(jìn)行一第二蝕刻制作工藝，移除該蝕刻終止層直到暴露出該第一導(dǎo)體層。
【文檔編號(hào)】H01L21/8247GK105845629SQ201510013250
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月12日
【發(fā)明人】宋達(dá), 何青松
【申請(qǐng)人】力晶科技股份有限公司