本發(fā)明涉及一種用于制造光電子器件的方法以及一種光電子器件。本專利申請要求德國專利申請de?102022112355.3的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容由此通過引用納入。

背景技術(shù)：

1、已知光電子器件配備有波長轉(zhuǎn)換元件。一種已知的制造方法在于將波長轉(zhuǎn)換材料噴射到光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)上。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的任務(wù)在于說明一種用于制造光電子器件的方法。本發(fā)明的另一個(gè)任務(wù)在于提供一種光電子器件。這些任務(wù)通過具有獨(dú)立權(quán)利要求的特征的用于制造光電子器件的方法和光電子器件解決。在從屬權(quán)利要求中說明不同的改進(jìn)方案。

2、用于制造光電子器件的方法包括用于提供具有布置在上側(cè)處的電接觸面的光電子半導(dǎo)體芯片的步驟，用于在電接觸面上構(gòu)造遮蓋體的步驟，其中遮蓋體限于電接觸面并且沒有覆蓋光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)的其他區(qū)段，以及用于在光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)處構(gòu)造波長轉(zhuǎn)換元件的步驟。在此，遮蓋體至少部分地由波長轉(zhuǎn)換元件覆蓋。

3、所述方法的優(yōu)點(diǎn)在于，構(gòu)造在電接觸面上的遮蓋體能夠在構(gòu)造波長轉(zhuǎn)換元件期間保護(hù)電接觸面免遭損壞。當(dāng)遮蓋體限于電接觸面時(shí)，其有利地不阻礙或僅僅以很小的程度阻礙從波長轉(zhuǎn)換元件到光電子半導(dǎo)體芯片的熱傳導(dǎo)。

4、在所述方法的一種實(shí)施方式中，在構(gòu)造遮蓋體之前執(zhí)行進(jìn)一步的用于將接合線與電接觸面連接的步驟。在此，接合線局部地嵌入到遮蓋體中。通過接合線在構(gòu)造遮蓋體之前與電接觸面連接，遮蓋體有利地不在制造接合線與電接觸面之間的連接時(shí)產(chǎn)生干擾。

5、在所述方法的一種實(shí)施方式中，遮蓋體通過定量配料方法構(gòu)造，尤其是通過針頭定量配料或通過無接觸的針頭定量配料構(gòu)造。有利地，這實(shí)現(xiàn)了遮蓋體的具有可良好控制的位置和大小的構(gòu)造。此外，所述方法有利地實(shí)現(xiàn)可遮蓋體的制造，而不會在此期間損壞與電接觸面連接的接合線。

6、在所述方法的一種實(shí)施方式中，遮蓋體的材料完全潤濕電接觸面。這可以例如通過對電接觸面的表面的針對性的預(yù)處理實(shí)現(xiàn)。有利地，所述方法由此實(shí)現(xiàn)了對構(gòu)造在電接觸面上的遮蓋體的形狀和大小的特別精確的管理。

7、在所述方法的一種實(shí)施方式中，通過噴射方法進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換元件的構(gòu)造。有利地，之前構(gòu)造在電接觸面上的遮蓋體可以減少電接觸面在噴射方法期間被朝向電接觸面方向加速的顆粒損壞的風(fēng)險(xiǎn)。

8、在所述方法的一種實(shí)施方式中，在構(gòu)造遮蓋體之前執(zhí)行進(jìn)一步的用于在載體的上側(cè)處布置光電子半導(dǎo)體芯片的步驟。在此，光電子半導(dǎo)體芯片被布置為使得光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)背離載體的上側(cè)。所述方法在此附加地包括用于在載體的上側(cè)處構(gòu)造嵌入體的步驟。在此，光電子半導(dǎo)體芯片的側(cè)面至少部分地由嵌入體覆蓋。有利地，在所述方法中構(gòu)造的嵌入體可以形成可通過所述方法獲得的光電子器件的殼體的一部分。

9、在所述方法的一種實(shí)施方式中，遮蓋體和嵌入體在共同的工作進(jìn)程中構(gòu)造。在這種情況下，遮蓋體和嵌入體可以例如由相同的材料構(gòu)造。有利地，這實(shí)現(xiàn)了所述方法的特別簡單的、快速的和成本有利的執(zhí)行。

10、在所述方法的一種實(shí)施方式中，該方法具有用于在波長轉(zhuǎn)換元件上方構(gòu)造光學(xué)透鏡的附加步驟。光學(xué)透鏡可以用于對通過光電子器件輻射的光進(jìn)行射線成型。

11、光電子器件包括具有布置在上側(cè)處的電接觸面的光電子半導(dǎo)體芯片。在電接觸面上布置有遮蓋體，其中遮蓋體限于電接觸面并且沒有覆蓋光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)的其他區(qū)段。在光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)處布置有波長轉(zhuǎn)換元件。遮蓋體至少部分地由波長轉(zhuǎn)換元件覆蓋。

12、有利地，布置在電接觸面上的遮蓋體可以用于在制造波長轉(zhuǎn)換元件期間保護(hù)電接觸面。由此，在所述光電子器件中有利地僅僅存在損壞光電子半導(dǎo)體芯片的電接觸面的較小風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)遮蓋體限于電接觸面時(shí)，遮蓋體有利地不限制或僅僅以很小的程度限制從波長轉(zhuǎn)換元件到光電子半導(dǎo)體芯片的熱傳導(dǎo)。

13、在光電子器件的一種實(shí)施方式中，電接觸面完全由遮蓋體覆蓋。有利地，遮蓋體由此實(shí)現(xiàn)了對光電子半導(dǎo)體芯片的電接觸面的特別全面的保護(hù)。

14、在光電子器件的一種實(shí)施方式中，接合線與電接觸面連接。在此，接合線局部地嵌入到遮蓋體中。有利地，遮蓋體在此不損壞在接合線與電接觸面之間的連接。

15、在光電子器件的一種實(shí)施方式中，遮蓋體具有硅樹脂。有利地，這種遮蓋體可以保證對電接觸面的十分有效的保護(hù)。

16、在光電子器件的一種實(shí)施方式中，遮蓋體具有嵌入的顆粒，尤其是具有tio2或zro2的顆粒。有利地，遮蓋體在這種情況下具有高反射性，由此光電子器件的光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)比不存在遮蓋體的情況具有更高的反射性。

17、在光電子器件的一種實(shí)施方式中，光電子半導(dǎo)體芯片的側(cè)面至少部分地由嵌入體覆蓋。嵌入體例如可以形成光電子器件的殼體的一部分或甚至形成光電子器件的完整的殼體。

18、在光電子器件的一種實(shí)施方式中，在波長轉(zhuǎn)換元件上方布置光學(xué)透鏡。光學(xué)透鏡可以用于對通過光電子器件輻射的光進(jìn)行射線成型。

技術(shù)特征：

1.一種用于制造光電子器件(10)的方法，具有如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，

9.一種光電子器件(10)，具有帶有布置在上側(cè)(201)處的電接觸面(210)的光電子半導(dǎo)體芯片(200)，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子器件(10)，其中所述電接觸面(210)完全由所述遮蓋體(400)覆蓋。

11.根據(jù)權(quán)利要求9和10中任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，

12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，

13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，

14.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，

15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，

技術(shù)總結(jié)
用于制造光電子器件的方法包括用于提供具有布置在上側(cè)處的電接觸面的光電子半導(dǎo)體芯片的步驟，用于在電接觸面上構(gòu)造遮蓋體的步驟，其中所述遮蓋體限于電接觸面并且沒有覆蓋光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)的其他區(qū)段，以及用于在所述光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)處構(gòu)造波長轉(zhuǎn)換元件的步驟。在此，遮蓋體至少部分地由波長轉(zhuǎn)換元件覆蓋。

技術(shù)研發(fā)人員：M·雷特爾,B·貝爾,L·伊斯雷爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：艾邁斯-歐司朗國際有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9