本技術(shù)涉及pcb設(shè)計(jì),尤其涉及一種降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
1、為了應(yīng)對(duì)消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品體積小,信息傳輸無延遲的需求,高速串行鏈路的應(yīng)用越來越廣,而隨著高速串行鏈路的發(fā)展,ac耦合電容的應(yīng)用也越來越廣泛。ac耦合電容的主要作用是允許交流信號(hào)通過并阻止直流信號(hào),去掉信號(hào)中的直流偏置分量,同時(shí)讓高頻分量可以順利通過,類似于一個(gè)高寬帶的濾波器,在高速信號(hào)傳輸電子電路中扮演著重要的角色。
2、然而,在高速電路中,由于信號(hào)的頻率成分復(fù)雜,電容的充放電過程可能無法迅速跟隨信號(hào)的變化,導(dǎo)致信號(hào)在電容兩端產(chǎn)生反射和折射,以及在高速電路中,較快的信號(hào)的傳播速度非使得電容的引入會(huì)改變信號(hào)的傳播路徑和速度,可能導(dǎo)致信號(hào)在電容周圍產(chǎn)生相位差和幅度變化,從而引發(fā)信號(hào)串?dāng)_。信號(hào)串?dāng)_會(huì)導(dǎo)致信號(hào)波形發(fā)生變化,使信號(hào)失去原有的特征,導(dǎo)致信號(hào)失真,也可能會(huì)引入噪聲,噪聲的增加會(huì)降低信號(hào)的信噪比,使信號(hào)質(zhì)量下降,以及引發(fā)數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤或系統(tǒng)不穩(wěn)定,降低耦合電容的串?dāng)_,對(duì)于提升高速信號(hào)高質(zhì)量傳輸具有積極作用。
3、為了減少高速信號(hào)串?dāng)_的產(chǎn)生,常常使用增加屏蔽層、改變布線方式等優(yōu)化措施,然而增加屏蔽層、改變布線方式會(huì)增加生產(chǎn)成本,不利于其廣泛使用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了克服現(xiàn)有的技術(shù)降低高速信號(hào)ac耦合電容周圍串?dāng)_成本高的不足,本實(shí)用新型提供一種降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu)。
2、本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述:
3、一種降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),電路板板體上包括有成對(duì)設(shè)置的ac耦合電容焊盤,與所述ac耦合電容焊盤相鄰的gnd層上,所述ac耦合電容焊盤的參考平面被挖空,其特征在于,每對(duì)所述ac耦合電容焊盤的兩端均設(shè)有高速信號(hào)線過孔焊盤,所述ac耦合電容焊盤和所述高速信號(hào)線過孔焊盤的周圍設(shè)有接地孔,所述接地孔分別與所述ac耦合電容焊盤和所述高速信號(hào)線過孔焊盤一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
4、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述接地孔設(shè)置于所述ac耦合電容焊盤和所述高速信號(hào)線過孔焊盤的兩側(cè),兩側(cè)的所述接地孔關(guān)于所述ac耦合電容焊盤對(duì)稱。
5、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述接地孔包括設(shè)置所述ac耦合電容焊盤外側(cè)的第一接地孔,和設(shè)置于所述高速信號(hào)線過孔焊盤外側(cè)的第二接地孔,所述第二接地孔盤徑大于所述第一接地孔的盤徑。
6、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述第一接地孔的盤徑為16mil,所述第二接地孔的盤徑為18mil。
7、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述ac耦合電容焊盤邊緣與所述第一接地孔邊緣之間的最小距離為z,4.5≤z≤8,單位為mil。
8、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述ac耦合電容焊盤為四個(gè),呈2×2的矩陣排列,同一端的兩個(gè)所述高速信號(hào)線過孔焊盤的中心間距為x1,26≤x1≤30,單位為mil。
9、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述第二接地孔的盤徑與所述高速信號(hào)線過孔焊盤的外徑相同,相鄰的所述第二接地孔與所述高速信號(hào)線過孔焊盤之間的中心間距為x2,x2=x1。
10、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,同一端的兩個(gè)所述高速信號(hào)線過孔焊盤的中心在同一條直線l上,靠近直線l的所述第一接地孔的中心距離直線l長度為y1,靠近直線l的所述第二接地孔的中心與直線l的間距為y2,y1=y(tǒng)2。
11、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述高速信號(hào)線過孔焊盤邊緣與所述ac耦合電容邊緣的最小間距為k,8≤k≤12,單位為mil。
12、進(jìn)一步地,在一實(shí)施例中,所述ac耦合電容焊盤適用于0201耦合電容或者0402耦合電容的焊接。
13、根據(jù)上述方案的本實(shí)用新型,其有益效果在于,在ac耦合電容焊盤和高速信號(hào)線過孔焊盤的周圍設(shè)置接地孔,接地孔能有效吸收高速信號(hào)的電磁輻射,從而降低串?dāng)_。且由于ac耦合電容相鄰的gnd層的參考平面有挖空,就近增加的接地孔可以減小這部分平面跳轉(zhuǎn)的回流路徑,以及信號(hào)換層時(shí)通過就近的接地孔回流,因此本申請(qǐng)所述降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu)能盡可能降低ac耦合電容周圍的串?dāng)_。
1.一種降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),電路板板體上包括有成對(duì)設(shè)置的ac耦合電容焊盤,與所述ac耦合電容焊盤相鄰的gnd層上,所述ac耦合電容焊盤的參考平面被挖空,其特征在于,每對(duì)所述ac耦合電容焊盤的兩端均設(shè)有高速信號(hào)線過孔焊盤,所述ac耦合電容焊盤和所述高速信號(hào)線過孔焊盤的周圍設(shè)有接地孔,所述接地孔分別與所述ac耦合電容焊盤和所述高速信號(hào)線過孔焊盤一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述接地孔設(shè)置于所述ac耦合電容焊盤和所述高速信號(hào)線過孔焊盤的兩側(cè),兩側(cè)的所述接地孔關(guān)于所述ac耦合電容焊盤對(duì)稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述接地孔包括設(shè)置所述ac耦合電容焊盤外側(cè)的第一接地孔,和設(shè)置于所述高速信號(hào)線過孔焊盤外側(cè)的第二接地孔,所述第二接地孔盤徑大于所述第一接地孔的盤徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一接地孔的盤徑為16mil,所述第二接地孔的盤徑為18mil。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述ac耦合電容焊盤邊緣與所述第一接地孔邊緣之間的最小距離為z,4.5≤z≤8,單位為mil。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述ac耦合電容焊盤為四個(gè),呈2×2的矩陣排列,同一端的兩個(gè)所述高速信號(hào)線過孔焊盤的中心間距為x1,26≤x1≤30,單位為mil。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二接地孔的盤徑與所述高速信號(hào)線過孔焊盤的外徑相同,相鄰的所述第二接地孔與所述高速信號(hào)線過孔焊盤之間的中心間距為x2,x2=x1。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,同一端的兩個(gè)所述高速信號(hào)線過孔焊盤的中心在同一條直線l上,靠近直線l的所述第一接地孔的中心距離直線l長度為y1,靠近直線l的所述第二接地孔的中心與直線l的間距為y2,y1=y2。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述高速信號(hào)線過孔焊盤邊緣與所述ac耦合電容邊緣的最小間距為k,8≤k≤12,單位為mil。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的降低ac耦合電容周圍高速信號(hào)串?dāng)_的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述ac耦合電容焊盤適用于0201耦合電容或者0402耦合電容的焊接。