專利名稱：一種電磁感應(yīng)加熱專用芯片保護(hù)功能裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電磁感應(yīng)加熱，尤其是電磁爐專用芯片。
背景技術(shù)：
如圖I所示，現(xiàn)有電磁感應(yīng)加熱專用芯片一般為運(yùn)放比較單元11，運(yùn)放比較單元12獨(dú)立運(yùn)作，運(yùn)放比較單元11為外部干擾源2的拾取端ロ，運(yùn)放比較單元12為外部信號源4的拾取端ロ。該種獨(dú)立運(yùn)作的単元芯片，由于只有運(yùn)放比較單元11執(zhí)行保護(hù)，當(dāng)運(yùn)放比較單元12的信號源發(fā)生變化時，采樣的數(shù)據(jù)不能進(jìn)行正確判斷，導(dǎo)致產(chǎn)品工作異常而損毀。從而縮短產(chǎn)品的壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供電磁感應(yīng)加熱專用芯片的保護(hù)功能裝置，其將運(yùn)放比較單元12的異常信號回送給運(yùn)放比較單元11，起到保護(hù)作用。延長產(chǎn)品壽命，減少損耗等的使用。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是電磁感應(yīng)加熱專用芯片的保護(hù)功能裝置，包括運(yùn)放比較單元11、運(yùn)放比較單元12，隔離單元7和隔離單元8。所述運(yùn)放比較單元11和運(yùn)放比較單元12之間設(shè)有隔離單元8。首先干擾源2進(jìn)入隔離單元7，隔離單元7對干擾源2進(jìn)行判斷，判斷為干擾源后引導(dǎo)到運(yùn)放比較單元11進(jìn)行保護(hù)。然后信號源4進(jìn)入運(yùn)放比較單元12，通過運(yùn)放比較單元12的整形放大后的信號進(jìn)入隔離單元8，隔離單元8對信號進(jìn)行判斷，判斷為異常信號后引導(dǎo)到運(yùn)放比較單元11進(jìn)行保護(hù)。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比所帯來的有益效果是I、芯片里的兩運(yùn)放比較單元中間增加隔離單元，把整形放大后出現(xiàn)異常的信號引回；起到保護(hù)作用；2、芯片的損耗減少,延長了廣品的壽命。
圖I為現(xiàn)有技術(shù)電磁感應(yīng)加熱專用芯片部分線路圖。圖2為本實(shí)用新型電磁感應(yīng)加熱專用芯片部分線路圖。圖3為框架圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合說明書附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)ー步說明。如圖2所示，提供一種電磁感應(yīng)加熱專用芯片的保護(hù)功能裝置，包括運(yùn)放比較單元11、干擾源2、限制I、隔離單元7，運(yùn)放比較單元12、信號源4、隔離單元8。所述運(yùn)放比較単元11與運(yùn)放比較單元12之間設(shè)有隔離單元8。如圖3所示，隔離單元7首先進(jìn)入運(yùn)放比較單元11的干擾源2進(jìn)行處理，以限制I為基準(zhǔn)，在限制I以外的干擾源引進(jìn)運(yùn)放比較單元11進(jìn)行保護(hù)。然后信號源4進(jìn)入運(yùn)放比較單元12，通過運(yùn)放比較單元12的整形放大后的信號進(jìn)入隔離單元8，隔離單元8對信號進(jìn)行判斷，判斷為異常信號后引導(dǎo)到運(yùn)放比較單元11進(jìn)行保護(hù)，便形成新エ藝的具備有
保護(hù)功能的電磁感應(yīng)加熱專用芯片。
權(quán)利要求1 一種電磁感應(yīng)加熱專用芯片的保護(hù)功能裝置，包括兩個運(yùn)放比較單元和兩個隔離單元。其特征在于隔離單元可以將異常信號引流到運(yùn)放比較單元，具備電磁感應(yīng)加熱專用芯片保護(hù)的功能。
專利摘要一種電磁感應(yīng)加熱專用芯片的保護(hù)功能裝置，包括兩個運(yùn)放比較單元和兩個隔離單元。所述兩個運(yùn)放比較單元之間設(shè)有隔離單元。通過運(yùn)放比較單元的整形放大后的信號進(jìn)入隔離單元，隔離單元對信號進(jìn)行判斷，判斷為異常信號后引導(dǎo)到運(yùn)放比較單元進(jìn)行保護(hù)。
文檔編號H05B6/02GK202535568SQ201220101139
公開日2012年11月14日 申請日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月16日
發(fā)明者宋光波 申請人:深圳市飛尼奧科技有限公司