一種封裝基板及其制作方法和基板組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種封裝基板的制作方法，包括：在基板上的每個封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽；將所述屏蔽槽的側(cè)壁金屬化；在所述屏蔽槽內(nèi)填充樹脂，并在填充后將所述屏蔽槽的開口金屬化；將所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除；在去除銅箔層的所述中央?yún)^(qū)域加工用于固定電子元件的容納槽。本發(fā)明實(shí)施例還提供相應(yīng)的封裝基板單元和基板組件。本發(fā)明技術(shù)方案采用在封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽，將屏蔽槽的側(cè)壁金屬化的技術(shù)方案，簡單可靠的實(shí)現(xiàn)了對電子元件進(jìn)行電磁屏蔽，而不必另外增加屏蔽罩，不會增加封裝基板厚度，不會降低產(chǎn)品的通用性，且結(jié)構(gòu)可靠，降低了失效風(fēng)險(xiǎn)，同時成本低廉。
【專利說明】一種封裝基板及其制作方法和基板組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種封裝基板及其制作方法和基板組件。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的埋入式電路板通常采用在電路板上開槽，將電子元件例如芯片等嵌入所開的槽中并固定等方法制成。該種電路板中埋入的電子元件會受到外界電磁干擾，不能工作在最佳狀態(tài)?，F(xiàn)有技術(shù)中一般采用在電路板上增加一個屏蔽罩的方式來避免電磁干擾。但是，屏蔽罩會增加電路板的厚度，降低產(chǎn)品的通用性，不利于向小型化發(fā)展，且屏蔽罩不夠可靠，有移位或脫落等失效風(fēng)險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝基板及其制作方法和基板組件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用屏蔽罩對電路板進(jìn)行電磁屏蔽帶來的缺陷。
[0004]本發(fā)明第一方面提供一種封裝基板的制作方法，包括:在基板上的每個封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽；將所述屏蔽槽的側(cè)壁金屬化；在所述屏蔽槽內(nèi)填充樹脂，并在填充后將所述屏蔽槽的開口金屬化；將所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除；在去除銅箔層的所述中央?yún)^(qū)域加工用于固定電子元件的容納槽。
[0005]本發(fā)明第二方面提供一種封裝基板單元，所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域開設(shè)有用于固定電子元件，并使所述電子元件與所述封裝基板單元絕緣的容納槽，所述封裝基板單元的周邊加工有屏蔽槽且所述屏蔽槽被樹脂填充，所述屏蔽槽的側(cè)壁上加工有用于對所述電子元件進(jìn)行電磁屏蔽的金屬化層，所述屏蔽槽的開口部位加工有用于封閉所述樹脂的金屬化層。
[0006]本發(fā)明第三方面提供一種基板組件，包括:如上文所述的封裝基板單元，埋入所述封裝基板單元開設(shè)的容納槽中的電子元件，以及分別壓合在所述封裝基板單元兩面的上、下基板，所述電子元件與所述上基板或下基板上的電路圖形電連接。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例采用在封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽，將屏蔽槽的側(cè)壁金屬化，在封裝基板的中央?yún)^(qū)域埋入電子元件，利用封裝基板單元表面的銅箔層和屏蔽槽的側(cè)壁作為金屬屏蔽層的技術(shù)方案，簡單可靠的實(shí)現(xiàn)了對電子元件進(jìn)行電磁屏蔽，而不必另外增加屏蔽罩，不會增加封裝基板厚度，不會降低產(chǎn)品的通用性，且結(jié)構(gòu)可靠，降低了失效風(fēng)險(xiǎn)，同時制作成本也更低廉。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝基板的制作方法的流程圖；
[0009]圖2是基板上規(guī)劃的封裝基板單元的示意圖；
[0010]圖3是已加工屏蔽槽的封裝基板單元的示意圖；
[0011]圖4是已加工通孔的封裝基板單元的示意圖；
[0012]圖5是已加工屏蔽槽和通孔的封裝基板單元的示意圖；
[0013]圖6是金屬化后的封裝基板單元的截面圖；
[0014]圖7是屏蔽槽中填充了樹脂的封裝基板單元的示意圖；
[0015]圖8是設(shè)置了干膜的封裝基板單元的截面圖；
[0016]圖9是已經(jīng)過蝕刻的封裝基板單元的截面圖；
[0017]圖10是已加工容納槽的封裝基板單元的截面圖；
[0018]圖11是獨(dú)立的封裝基板單元的示意圖；
[0019]圖12是包括封裝基板單元的基板組件的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝基板的制作方法，可以解決現(xiàn)有的對電路板電磁屏蔽技術(shù)的缺陷。本發(fā)明實(shí)施例還提供相應(yīng)的封裝基板。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0021]實(shí)施例一、
[0022]請參考圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝基板的制作方法，包括:
[0023]101、在基板上的每個封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽。
[0024]本實(shí)施例中，對封裝基板單元的加工從一張較大的基板，例如雙面覆銅板開始。該較大的基板上規(guī)劃出若干個規(guī)則排列的封裝基板單元。所述的若干個封裝基板單元呈陣列式排列，橫成行，豎成列。
[0025]圖2示出了基板201上的一個封裝基板單元202，圖中的虛線方框?yàn)樵摲庋b基板單元202的邊界。本步驟中，如圖3所示，可以在封裝基板單元202的周邊加工屏蔽槽203，具體可以為加工四個分別位于四周的屏蔽槽203。實(shí)際應(yīng)用中，可以采用槽鉆鉆頭加工屏蔽槽203，使所述屏蔽槽的側(cè)壁呈波浪形。加工完畢后，各個封裝基板單元202在頂角等部位連接，仍然可以作為一個整體進(jìn)行后續(xù)加工，以提高加工效率。該種在基板上規(guī)劃多個封裝基板單元，各個單元緊鄰，可以提高基板的板材利用率，降低生產(chǎn)成本。
[0026]一種實(shí)施方式中，在本步驟之前，還可以包括如下步驟:在每個封裝基板單元202的頂角部位加工通孔204，本實(shí)施例中在四個頂角部位都分別加工有通孔204，如圖4所示。這些加工的通孔204可以在后續(xù)作為層間的導(dǎo)通孔、對位孔或工具孔使用。加工通孔204的方法可以是機(jī)械鉆工藝。本實(shí)施方式中，可以先加工完通孔204，再加工屏蔽槽203，這兩個步驟加工完畢之后的半成品如圖5所示。
[0027]102、將所述屏蔽槽的側(cè)壁金屬化。
[0028]本步驟中采用金屬化工藝將所述屏蔽槽的側(cè)壁金屬化。如果之前加工了通孔，則同時將通孔也金屬化。金屬化后的一個封裝基板單元的截面圖如6所示，可以看出，屏蔽槽203的側(cè)壁上附著了一金屬化層205。該被金屬化的側(cè)壁后續(xù)將作為屏蔽層，為封裝基板單元內(nèi)埋入的電子元件提供電磁屏蔽作用，當(dāng)然，該金屬化的側(cè)壁也可用于層間導(dǎo)通。本步驟中，側(cè)壁金屬化時形成的金屬層與基板表面的銅箔層電鍍相連，可靠性非常好，使用過程中完全不會發(fā)生脫離或者移位現(xiàn)象。
[0029]103、在所述屏蔽槽內(nèi)填充樹脂，并在填充后將所述屏蔽槽的開口金屬化。
[0030]如圖7所示，本步驟中在所述屏蔽槽203內(nèi)填充樹脂210。當(dāng)所述屏蔽槽203的側(cè)壁被加工成波浪形時，填充的樹脂210可以與屏蔽槽203具有更高的結(jié)合力，更加牢固。實(shí)際應(yīng)用中，可以通過烘烤使所述樹脂固化，固化后還可以采用磨板或刷板將不平整的樹脂鏟平。然后，需要再次執(zhí)行沉銅和電鍍步驟，對屏蔽槽的開口進(jìn)行金屬化，形成與封裝基板單元表面銅箔層相連的金屬化層，將樹脂210封閉在屏蔽槽203內(nèi)部，從而提高可靠性。[0031 ] 104、將所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除。
[0032]本步驟中采用圖形轉(zhuǎn)移工藝在所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域開窗，S卩，將中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除。以便于后續(xù)在中央?yún)^(qū)域加工用于埋入電子元件的容納槽。蝕刻銅箔層的工藝包括:
[0033]如圖8所示，在所述封裝基板單元202上除所述中央?yún)^(qū)域以外的其它部位設(shè)置一層干膜206，使所述干膜206覆蓋所述屏蔽槽203 ;然后，采用化學(xué)腐蝕工藝將所述中央?yún)^(qū)域的銅箔層207去除。蝕刻完畢后，去除干膜，如圖9所示，中央?yún)^(qū)域的絕緣芯板層208已暴露出來。
[0034]一種實(shí)施方式中，步驟104之后，還可以包括鍍金步驟，具體包括:在所述封裝基板單元202的未被去除的銅箔層207上鍍鎳金或鎳鈀金，以便保護(hù)裸露的銅箔層并提供良好的可焊性。
[0035]105、在去除銅箔層的所述中央?yún)^(qū)域加工容納槽。
[0036]如圖10所示，中央?yún)^(qū)域的銅箔層207被去除后，可以采用機(jī)械銑或者激光切割等工藝在中央?yún)^(qū)域加工容納槽209。該容納槽209上下貫穿基板，其側(cè)壁為絕緣材料，可用于后續(xù)嵌入電子元件。實(shí)際應(yīng)用中，為了避免后續(xù)嵌入的電子元件接觸中央?yún)^(qū)域周圍的銅箔層207造成短路，可以按照略小于所述中央?yún)^(qū)域的尺寸，也就是略小于銅箔層上開窗區(qū)域的尺寸，加工容納槽209，使所述容納槽209邊緣一定尺寸范圍，例如0.5mm范圍內(nèi)沒有銅箔層，從而實(shí)現(xiàn)芯片與封裝基板單元之間的良好絕緣性能。
[0037]本步驟之后，還可以包括以下步驟:沿所述屏蔽槽203的外邊緣一定距離進(jìn)行切害IJ，將所述基板201切割成為多個獨(dú)立的封裝基板單元202。切割后獨(dú)立的封裝基板單元202，如圖11所示。
[0038]后續(xù)，可以將電子元件固定在所述容納槽中，由于電子元件與金屬化側(cè)壁之間是由絕緣基材隔離，絕緣性能非?？煽浚梢员ＷC所述電子元件與所述容納槽周圍的銅箔層和所述屏蔽槽的側(cè)壁完全絕緣。
[0039]如圖12所示，實(shí)際應(yīng)用中，埋入了電子元件301的封裝基板單元202的上下兩面可以分別壓合上、下基板302，上、下基板302上分別加工有電路圖形，所述電子元件301可以和所述上基板或下基板上的電路圖形電連接，從而構(gòu)成可實(shí)際應(yīng)用的基板組件。
[0040]以上，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種封裝基板的制作方法，采用在封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽，將屏蔽槽的側(cè)壁金屬化，在封裝基板的中央?yún)^(qū)域埋入電子元件，利用封裝基板單元表面的銅箔層和周邊金屬化的側(cè)壁作為金屬屏蔽層的技術(shù)方案，簡單可靠的實(shí)現(xiàn)了對電子元件進(jìn)行電磁屏蔽，而不必另外增加屏蔽罩，不會增加封裝基板厚度，不會降低產(chǎn)品的通用性，且結(jié)構(gòu)可靠，降低了失效風(fēng)險(xiǎn)。另外，本發(fā)明實(shí)施例方法只需要采用圖像轉(zhuǎn)移設(shè)備、電鍍設(shè)備等常用設(shè)備即可，無需新增特殊的設(shè)備，通用性好。
[0041]實(shí)施例二、
[0042]請參考圖11，本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝基板單元202，所述封裝基板單元202的中央?yún)^(qū)域開設(shè)有用于固定電子元件的容納槽209，所述封裝基板單元202的周邊加工有屏蔽槽203且所述屏蔽槽203被樹脂210填充，所述屏蔽槽203的側(cè)壁上加工有用于對所述電子元件進(jìn)行電磁屏蔽的金屬化層，所述屏蔽槽203的開口部位也加工有用于封閉所述樹脂210的金屬化層。
[0043]其它實(shí)施方式中，所述封裝基板單元202的頂角部分可以加工有金屬化通孔204。所述封轉(zhuǎn)基板單元202上的銅箔層上可以鍍有鎳金或鎳鈀金。
[0044]請參考圖12，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種基板組件，包括:如上文所述的封裝基板單元202，埋入所述封裝基板單元202開設(shè)的容納槽中的電子元件301，以及分別壓合在所述封裝基板單元202兩面的上、下基板302，所述電子元件301與所述上基板或下基板上的電路圖形電連接。
[0045]以上，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種封裝基板單元，該封裝基板單元的周邊加工有屏蔽槽且所述屏蔽槽被樹脂填充，所述屏蔽槽的側(cè)壁被金屬化，可以對封裝基板中央?yún)^(qū)域埋入的電子元件進(jìn)行電磁屏蔽，該產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單可靠，不會增加封裝基板厚度，不會降低產(chǎn)品的通用性，失效風(fēng)險(xiǎn)低。另外，本發(fā)明實(shí)施例的封裝基板單元在加工時只需要采用圖像轉(zhuǎn)移設(shè)備、電鍍設(shè)備等常用設(shè)備即可，無需新增特殊的設(shè)備，通用性好。
[0046]以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的封裝基板及其制作方法和基板組件進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種封裝基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上的每個封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽； 將所述屏蔽槽的側(cè)壁金屬化； 在所述屏蔽槽內(nèi)填充樹脂，并在填充后將所述屏蔽槽的開口金屬化； 將所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除； 在去除銅箔層的所述中央?yún)^(qū)域加工用于固定電子元件的容納槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在基板上的每個封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽之前還包括: 在每個封裝基板單元的頂角部位加工通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在基板上的每個封裝基板單元的周邊加工屏蔽槽包括: 采用槽鉆鉆頭加工屏蔽槽，使所述屏蔽槽的側(cè)壁呈波浪形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的將所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除包括: 在所述封裝基板單元上除所述中央?yún)^(qū)域以外的其它部分設(shè)置一層干膜，使所述干膜覆蓋所述屏蔽槽； 采用化學(xué)腐蝕工藝將所述中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的將所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域的銅箔層去除之后，還包括: 在所述封裝基板單元的未被去除的銅箔層上鍍鎳金或鎳鈀金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在去除銅箔層的所述中央?yún)^(qū)域加工用于固定電子元件的容納槽包括: 按照略小于所述中央?yún)^(qū)域的尺寸加工容納槽，使所述容納槽邊緣一定尺寸范圍內(nèi)沒有銅箔層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的在去除銅箔層的所述中央?yún)^(qū)域加工用于固定電子元件的容納槽之后還包括: 沿所述屏蔽槽的外邊緣一定距離，將所述基板切割成為多個獨(dú)立的封裝基板單元。
8.一種封裝基板單元，其特征在于:所述封裝基板單元的中央?yún)^(qū)域開設(shè)有用于固定電子元件，并使所述電子元件與所述封裝基板單元絕緣的容納槽，所述封裝基板單元的周邊加工有屏蔽槽且所述屏蔽槽被樹脂填充，所述屏蔽槽的側(cè)壁上加工有用于對所述電子元件進(jìn)行電磁屏蔽的金屬化層，所述屏蔽槽的開口部位加工有用于封閉所述樹脂的金屬化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板，其特征在于: 所述封裝基板單元的頂角部分加工有金屬化通孔。
10.一種基板組件，其特征在于，包括:如權(quán)利要求8或9所述的封裝基板單元，埋入所述封裝基板單元開設(shè)的容納槽中的電子元件，以及分別壓合在所述封裝基板單元兩面的上、下基板，所述電子元件與所述上基板或下基板上的電路圖形電連接。
【文檔編號】H05K3/00GK104080274SQ201310108741
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】高成志, 徐藝林, 鄭仰存, 谷新, 黃良松 申請人:深南電路有限公司