技術(shù)編號(hào)：11651390
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及測量間隙、厚度的方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速發(fā)展。在IC演進(jìn)過程中，功能密度(即，單位芯片面積中的互連器件的數(shù)量)通常在增加，同時(shí)幾何尺寸(即，可使用制造工藝創(chuàng)建的最小組件(或線))減小。這種規(guī)模縮小工藝通常通過增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來提供很多益處。然而，這種按比例縮小工藝也伴隨著增大了設(shè)計(jì)和制造引入這些IC器件的復(fù)雜度，因而為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要器件制造中的相似進(jìn)步。作為僅一個(gè)實(shí)例，許多制造步驟涉及制造工具靠近掩模襯...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。