技術編號：2754878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種制作掩膜版的方法以及光學鄰近修正方法。背景技術圖形化工藝是半導體器件制作中常見的工藝，其是以掩模版為掩膜，將布局圖形形成在半導體襯底上的光刻膠層上，以產生印于光刻膠層上的一種光刻膠層圖案。隨著半導體器件關鍵尺寸的越來越小，在半導體工藝的工藝結點(二分之一孔距)小于32nm時，在193nm(納米)水沉浸式光刻條件下利用一個掩膜版作為掩膜形成圖形化工藝遇到了物理限制，相鄰的圖形孔距過小，由于光學鄰近效應，會出現(xiàn)相鄰圖形粘連的現(xiàn)象。...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。