技術(shù)編號(hào)：3404213
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有石英噴嘴防護(hù)部件的氣體反應(yīng)內(nèi)管及反應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)城本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝的化學(xué)氣相沉積制程，涉及一種保護(hù)石英噴嘴不被 晶片割破的治具，具體地說(shuō)，是一種具有石英噴嘴防護(hù)部件的氣體反應(yīng)內(nèi)管及 反應(yīng)系統(tǒng)。背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積(CVD)是一種將氣態(tài)化合物沉積在晶片基底上以形成鍍膜的 制程，常用于介電膜、金屬膜、復(fù)晶硅膜等的沉積，在半導(dǎo)體工藝中是非常重 要的一個(gè)環(huán)節(jié)。如附圖說(shuō)明圖1所示，常用的CVD設(shè)備，例如東京電子有限公司提供的TEL CVD系 統(tǒng)，主要由基座(m...
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