技術(shù)編號(hào)：3433592
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備InP微粒的方法以及通過該方法獲得的InP微粒分散體。更具體地，本發(fā)明涉及一種制備期望作為發(fā)光中心(放射性復(fù)合 中心)材料的InP微粒的方法，該方法通過濕法在短時(shí)間內(nèi)、高效地制備納 米級(jí)尺寸的InP微粒，以及一種通過上述方法獲得的、隨著時(shí)間流逝具有 極好的分散性和穩(wěn)定性的InP微粒分散體。背景技術(shù)近年來，半導(dǎo)體微晶(微粒)引起人們的關(guān)注并得到積極的研究。半 導(dǎo)體微晶具有可以基于量子限域效應(yīng)(quantum confinement effe...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。