技術(shù)編號：3738466
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及組合物，其用于通過去除等離子蝕刻后或蝕刻/灰化后殘余物清潔微 電子基底以及硅基抗反射涂層，且能夠在與鋁、銅和低k電介質(zhì)，且特別是多孔低k電介質(zhì) 相容的情況下進行清潔。特別地，本發(fā)明提供基本上基于溶劑的去除劑組合物，且還提供使 用該組合物清潔微電子基底和設(shè)備的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體設(shè)備已通過以下步驟而制備用光致抗蝕劑涂覆無機基底；通過暴露于光 且隨后顯影而使光致抗蝕劑膜形成圖案；使用該形成圖案的光致抗蝕劑膜作為掩模蝕刻該 無機基底的暴露區(qū)域以形成微小...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。