技術編號：40610317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體領域，更具體地涉及一種改善雙層結(jié)構(gòu)的mems工藝中犧牲層殘留的方法。背景技術、光敏性聚酰亞胺(pi)是一種主鏈上具有酰亞胺基團的高分子聚合材料，耐℃左右的高溫和液氦(-℃)的低溫，其玻璃化溫度為℃以上。聚酰亞胺具有良好的絕緣性、彈性系數(shù)大、線膨脹系數(shù)大、能承受較大的應變、在較寬的溫度范圍內(nèi)具有良好的機械特性等特點。、微機電系統(tǒng)(mems)是微電子技術與機械、光學等領域交叉融合的產(chǎn)物，是在ic工藝技術基礎上的延伸和拓展，犧牲層技術作為mems的關鍵技術之一，是...
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