技術(shù)編號：40613857
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于mems傳感器，特別涉及一種電容式換能器，具體是一種基于soi晶圓的mems電容式傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)、基于mems技術(shù)的電容式傳感器具有體積小、一致性高、高密度集成、成本低、易于批量生產(chǎn)等特點，因此在各個領(lǐng)域的應(yīng)用潛力備受認可。、基于晶圓鍵合拓展的制造方法有硅局部氧化工藝，陽極鍵合工藝等，與犧牲釋放工藝相比，可以更好地控制振膜厚度和空腔高度。但晶圓鍵合工藝的對晶圓的表面粗糙度和清潔度等問題非常敏感，因此可能有較低的良率。、所以，是否可以提出一種新型的電容式傳感器結(jié)構(gòu)...
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