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掩膜版及其形成方法與流程技術資料下載

技術編號:40614831

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本發(fā)明涉及集成電路,特別涉及一種掩膜版及其形成方法。背景技術、光掩膜的工藝制程與現(xiàn)行芯片的生產(chǎn)流程類似,需經(jīng)過光刻與刻蝕等工藝程序,因此會面臨負載效應進而影響光掩膜線徑尺寸均勻度的分布。芯片工藝通常會加入所謂的虛擬圖案(filled?pattern)改善光刻圖案的分布密度(pattern?density?distribution)進而降低負載效應(loading?effect)的影響,提高線徑尺寸均勻度。但是現(xiàn)有技術中的虛擬圖案都是針對芯片,能夠在芯片上曝光出圖案。且現(xiàn)有技術中無法準確針對需要...
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