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一種深孔硅刻蝕方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):5267978

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造,具體涉及深孔硅(through silicon Via, TSV) 刻蝕技術(shù),尤其涉及一種深孔硅刻蝕中側(cè)壁保護(hù)層的形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體制造中,在MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems,微機(jī)電系統(tǒng))和3D封裝技術(shù)等領(lǐng)域,通常需要對(duì)硅等材料進(jìn)行深通孔刻蝕。例如,在體硅刻蝕技術(shù)中,深硅通孔(Through-Silicon-Via,TSV)的深度達(dá)到幾百微米、其深寬比遠(yuǎn)大于10,通常采用深反應(yīng)離子刻蝕...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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