技術(shù)編號：6768321
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明大體來說涉及存儲器電路。更具體來說，本發(fā)明涉及提供電力以用于SRAM 電路中的讀取操作，且更加具體來說，涉及將預(yù)充電電壓提供到位線以用于讀取操作。背景技術(shù) 存在各種類型的半導(dǎo)體存儲器。一種類型的易失性半導(dǎo)體存儲器為靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。SRAM模塊及其存儲器單元已變得非常小。單元的小尺寸已導(dǎo)致穩(wěn)定性問題。一個此類穩(wěn)定性問題為由高電源電壓(Vdd)所導(dǎo)致的讀取故障。圖1為系統(tǒng)100 的說明，系統(tǒng)100包括常規(guī)存儲器單元，常規(guī)存儲器單元具有位...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。