技術(shù)編號：6791030
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及CMOS半導(dǎo)體器件制造工藝，更確切的說，本發(fā)明涉及。背景技術(shù)柵極氧化層是調(diào)節(jié)器件特性的媒介，更是影響可靠性測試的一個重要因素，是整個半導(dǎo)體工藝流程中極其關(guān)鍵的一道工序。理想金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的柵極氧化層類似于平板電容器，就氧化層本身而言，它的壽命會遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于我們所要求的，但氧化層中的缺陷是影響柵極氧化層壽命的主要因素。對于某一固定的柵極工作電壓，當(dāng)柵極氧化層變薄的時候，其電場強(qiáng)度就增加；同時，柵極氧化層中如果存在雜質(zhì)從而導(dǎo)致缺陷，也會導(dǎo)致局部...
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