技術(shù)編號(hào)：6816329
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與功率電子學(xué)領(lǐng)域有關(guān)，本發(fā)明介紹的是生產(chǎn)MOS控制功率半導(dǎo)體組件的方法，此功率半導(dǎo)體組件在共同的襯底上包括多個(gè)組件單元，它們布置成一個(gè)接一個(gè)，并且并聯(lián)連接，雙極晶體管由第一導(dǎo)電類型的集電極區(qū)、第二導(dǎo)電類型的上部基區(qū)和第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)組成，此發(fā)射區(qū)從上面結(jié)合到基區(qū)(incorporated from aboveinto)，并在每個(gè)組件單元都有，控制雙極晶體管的MOS溝道結(jié)構(gòu)處在發(fā)射極側(cè)，此MOS溝道結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電類型的處在發(fā)射區(qū)上面的源區(qū)、第一導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。