技術(shù)編號：6890234
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CMOS晶體管中的通態(tài)電流得以提高的半導(dǎo)體器件及其制 造方法。背景技術(shù)以往，為了提高M(jìn)OS晶體管中的通態(tài)電流而應(yīng)用使溝道產(chǎn)生應(yīng)變的結(jié) 構(gòu)。例如，應(yīng)用被用于產(chǎn)生拉伸應(yīng)力的膜覆蓋的n溝道MOS晶體管。此夕卜， 也應(yīng)用在源極及漏極上形成有SiGe層的p溝道MOS晶體管。這樣，在n溝道MOS晶體管中，優(yōu)先使溝道產(chǎn)生拉伸方向的應(yīng)變(拉 伸應(yīng)變)，在p溝道MOS晶體管中，優(yōu)先使溝道產(chǎn)生壓縮方向的應(yīng)變(壓 縮應(yīng)變)。因此，在制造CMOS晶體管等具有n溝道MOS...
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