技術(shù)編號：7158878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種超級結(jié)器件；本發(fā)明還涉及一種超級結(jié)器件的制造方法。背景技術(shù)超級結(jié)MOSFET采用新的耐壓層結(jié)構(gòu)，利用一系列的交替排列的P型半導體薄層和 N型半導體薄層來在截止狀態(tài)下在較低電壓下就將所述P型半導體薄層和N型半導體薄層耗盡，實現(xiàn)電荷相互補償，從而使P型半導體薄層和N型半導體薄層在高摻雜濃度下能實現(xiàn)高的擊穿電壓，從而同時獲得低導通電阻和高擊穿電壓，打破傳統(tǒng)功率MOSFET理論極限。 在美國專利US5216275中，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。