技術(shù)編號：8071911
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明涉及一種，所述激光晶體的化學(xué)組成為MxN3，其中M為Bi和/或Sb，N為Te和/或Se，1.8≤x≤2.2，所述激光晶體的發(fā)光中心為反格位缺陷NM或者反格位缺陷MN，所述反格位缺陷NM為晶體生長過程中由于N進(jìn)入M格位形成的反格位缺陷，所述反格位缺陷MN為晶體生長過程中由于M進(jìn)入N格位形成的反格位缺陷。專利說明V - VI主族金屬化合物激光晶體及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明是一種新型的激光晶體材料，以及使其具有高效近紅外和中紅外波段寬帶發(fā)光特性的晶體制備方法。背景技術(shù)[0002]近紅外和中紅外3...
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