技術編號：8277923
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 具有雙軸織構的薄膜，由于其晶粒取向具有一定的一致性，因此相對于無織構的 普通薄膜具有一些特殊的物理性質，因此雙軸織構氧化物薄膜在一些領域可以產(chǎn)生很好的 應用效果。如果要在無織構的基底材料上制備具有雙軸織構的薄膜，現(xiàn)有技術有兩種物理 氣相沉積方法，即傾斜基底沉積（ISD)和離子束輔助沉積（IBAD)。但是，ISD技術只能制備 種類很少的薄膜材料、而且薄膜的c軸方向并不與基底垂直，因此其使用范圍有很大的限 制。IBAD技術的適用范圍更加廣泛，其原理為在薄膜生...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。