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一種半導(dǎo)體器件及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):9218530

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隨著半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)的不斷減小,如何進(jìn)一步提升互補(bǔ)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能成為焦點(diǎn)問(wèn)題。對(duì)于NFET而言,現(xiàn)有的做法是在將要形成源/漏區(qū)的部分中形成凹槽,在凹槽中形成頂部高于襯底表面的碳硅層,之后實(shí)施退火以在碳硅層與襯底之間朝向溝道區(qū)的界面位置形成位錯(cuò)。所述位錯(cuò)可以進(jìn)一步提升碳硅層施加于NFET的溝道區(qū)的應(yīng)力,而所述位錯(cuò)的深度以及與柵極邊緣之間距離的大小直接決定所述應(yīng)力的提升程度,但是,采用現(xiàn)有技術(shù)形成的所述位錯(cuò)的與柵極邊緣之間的距離過(guò)大,進(jìn)...
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