技術(shù)編號：9709905
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 當(dāng)前，在 GTO(Gate Turn Off Thyristor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等功率半導(dǎo)體裝置中，使用陶瓷電路基板。在該陶瓷電路基板中，陶瓷基板的 一個(gè)面與金屬電路板接合，另一個(gè)面與金屬散熱板接合。并且，在金屬電路板處安裝半導(dǎo)體 元件，使散熱器與金屬散熱板接合。 由于金屬電路板的熱膨脹率大于陶瓷基板的熱膨脹率，因此由于半導(dǎo)體元件的使 用時(shí)的熱量，金屬電路板比陶瓷基板更為膨脹。因此，在陶瓷...
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