技術(shù)編號(hào)：9889791
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說(shuō)明本發(fā)明涉及離子布植方法與系統(tǒng)，特別是提升晶圓離子植入劑量比例的離子布植方法與系統(tǒng)。背景技術(shù)離子布植是引入摻質(zhì)進(jìn)入工件例如半導(dǎo)體晶圓以改變工件材料性質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。所需的摻質(zhì)為來(lái)自離子源的離子，經(jīng)加速至預(yù)定的能量以形成離子束，離子束則藉由導(dǎo)引至晶圓表面上的布植區(qū)域。離子布植的制程牽涉物理、化學(xué)以及機(jī)械與自動(dòng)控制等技術(shù)。當(dāng)集成電路晶圓的積集度不斷提高、組件尺寸持續(xù)縮小以及組件結(jié)構(gòu)朝向立體化方向發(fā)展，離子布植的制程也越趨復(fù)雜化。傳統(tǒng)離子布植技術(shù)系力求在整個(gè)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。