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一種pcb板真空吸附平臺的制作方法

文檔序號:8875371閱讀:479來源:國知局
一種pcb板真空吸附平臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種印刷電路板吸附、平展、臨時固定設備。
【背景技術】
[0002]目前真空吸附平臺多采用金屬殼體的真空平臺,單一真空區(qū)與孔板配合對物體進行吸附,或者采用多個真空區(qū)彼此聯(lián)通加蜂窩隔板和孔板的真空吸附手段,但上述采用普遍做法的設備存在以下弊端:真空平臺易變形,普通真空平臺在吸附多種尺寸的產品時,由于尺寸不同所吸附的產品區(qū)域也不同,即沒有吸附到產品的區(qū)域的真空孔也只能處于敞開的狀態(tài),或者采用復雜的中間結構,雖然保證剛度,但是必然導致空氣與設備過多摩擦,真空源消耗較大,產生噪音;因此真空度不夠大導致產品平面度差,測量精度不高,由于漏真空部分的真空孔產生的噪音也比較大,且普通孔板易劃傷所吸附的物體。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型:一種PCB板真空吸附平臺,采用石材質地的真空平臺,其真空平臺上有真空區(qū),其真空區(qū)被隔板分割為兩個或兩個以上的真空室,其每個真空室底部都有一個或一個以上的真空孔,其真空區(qū)上方的吸附平臺的外表面有吸附平板,其吸附平板與隔板緊密接觸,其吸附平板上有均勻密布的小孔。
[0004]優(yōu)選的,其真空平臺為不易變形的大理石平臺。
[0005]優(yōu)選的,其隔板與吸附平臺和真空區(qū)為一體成型結構,防止使用過程中漏氣。
[0006]優(yōu)選的,其真空室有4個,呈中心對稱分布,能在全部使用時保證被吸附物體均勻受力。
[0007]優(yōu)選的,其小孔為向真空區(qū)方向凹陷的圓孔,保證物體在收到較大的吸附力的情況下不會被吸附平板劃傷。
[0008]有益效果:真空平臺不易變形,普通真空平臺在吸附多種尺寸的產品時,由于尺寸不同所吸附的產品區(qū)域也不同,即沒有吸附到產品的區(qū)域的真空孔處于關閉狀態(tài),結構簡單,剛度大,空氣與設備過多摩擦極少,真空源效率高,不易劃傷所吸附的物體。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的立體圖;
[0010]圖2為本實用新型隱藏吸附平板的示意圖;
[0011]其中:1-真空平臺,2-真空區(qū),3-隔板,4-真空室,5-真空孔,6-吸附平板,7-吸附孔。
【具體實施方式】
[0012]如圖1~2所示,一種PCB板真空吸附平臺,采用大理石真空平臺1,其真空平臺上有向內凹陷形成的真空區(qū)2,其真空區(qū)被隔板3分割為4個呈中心對稱分布的真空室4,其每個真空室底部都有一個真空孔5,其真空區(qū)上方的吸附平臺的外表面有吸附平板6,其吸附平板與隔板緊密接觸,其吸附平板上有均勻密布的向內凹陷的吸附孔7。
[0013]以上所述僅為本實用新型的一種【具體實施方式】,并不作為本實用新型的限制,本領域的技術人員在不脫離本實用新型說明書和附圖的思想下所做的替代改進和變換,都同理包含在本實用新型的范圍內,具體保護范圍以權力要求為準。
【主權項】
1.一種PCB板真空吸附平臺,其特征在于:包括石材質地的真空平臺,所述真空平臺上有真空區(qū),所述真空區(qū)被隔板分割為兩個或兩個以上的真空室,所述每個真空室底部都有一個或一個以上的真空孔,所述真空區(qū)上方的吸附平臺的外表面有吸附平板,所述吸附平板與隔板緊密接觸,所述吸附平板上有均勻密布的小孔。
2.根據權利要求1所述的一種PCB板真空吸附平臺,其特征在于:所述真空平臺為不易變形的大理石平臺。
3.根據權利要求1所述的一種PCB板真空吸附平臺,其特征在于:所述隔板與吸附平臺和真空區(qū)為一體成型結構。
4.根據權利要求1所述的一種PCB板真空吸附平臺,其特征在于:所述真空室有4個,呈中心對稱分布。
5.根據權利要求1所述的一種PCB板真空吸附平臺,其特征在于:所述小孔為向真空區(qū)方向凹陷的圓孔。
【專利摘要】一種PCB板真空吸附平臺,采用石材質地的真空平臺,其真空平臺上有真空區(qū),其真空區(qū)被隔板分割為兩個或兩個以上的真空室,其每個真空室底部都有一個或一個以上的真空孔,其真空區(qū)上方的吸附平臺的外表面有吸附平板,其吸附平板與隔板緊密接觸,其吸附平板上有均勻密布的小孔。本實用新型的工作面不易變形,普通真空平臺在吸附多種尺寸的產品時,由于尺寸不同所吸附的產品區(qū)域也不同,即沒有吸附到產品的區(qū)域的真空孔處于關閉狀態(tài),結構簡單,剛度大,空氣與設備過多摩擦極少,真空源效率高,不易劃傷所吸附的物體。
【IPC分類】H05K3-00, B25H1-00
【公開號】CN204585175
【申請?zhí)枴緾N201520253119
【發(fā)明人】金俊南
【申請人】萬潤科技精機(昆山)有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月24日
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