技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種六氟化硫氣體檢測(cè)用紅外濾光片及其制備方法，紅外濾光片基底材料選用單晶Si，高折射率材料選用Ge，低折射率材料選用ZnS。在基板兩個(gè)表面上分別沉積主膜系面薄膜和干涉截止膜系面薄膜。其鍍膜工藝條件是Ge選用電子束蒸鍍，沉積速率為ZnS選用多孔鉬舟電熱蒸鍍，沉積速率為開始蒸鍍真空度為1.0×10?3Pa，沉積溫度為130℃。本發(fā)明提供的一種六氟化硫氣體檢測(cè)用紅外濾光片及其制備方法得到的10560nm帶通紅外濾光片，峰值透過率可達(dá)90％以上，極大的提高信噪比，很好的抑制其他氣體的干擾，提高儀器探測(cè)精度和效能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉桂武;張旭;邵海成;侯海港
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鎮(zhèn)江愛豪科思電子科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610768860
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2016.11.16